Pin mặt trời sử dụng công nghệ giếng lượng tử ( quantum well solar cell pot

  Quantum well solar cell pin mặt trời sử dụng công nghệ giếng lượng tử Nguyễn Tiến Long k12 CNKHTN-ĐHQGHN   Outline           Nguyên lí • Cấu trúc giếng lượng tử (QW) • Nguyên liệu chế tạo QW • Phân loại QW • Hố lượng tử GaAs/GaAsAl   outline • History-lịch sử hình thành • Defination-định nghĩa • Properties-tính chất • Principle-nguyên lí,giải thích • Classification-phân loại • Application- ứng dụng   Cấu trúc QW & MQW • B(L’) // A( L ) // B( L’ )  QW • …    !"#$#%!&!#&'%()* '#$!#+&,$%+!%  #% -.∆/ 0.∆/0 .120   outline • History-lịch sử hình thành • Defination-định nghĩa • Properties-tính chất • Principle-nguyên lí,giải thích • Classification-phân loại • Application- ứng dụng   Nguyên liệu làm QW  34% )##%5##!3%% (# 6%!#&$7 $88,# +9:,#;'<*  =>+4)#)$%&+3 3&$)$#% $4%  34% # )# )?% )  @#'@#'!#&A@#'ABC,# +%:!&*>% D%   outline • History-lịch sử hình thành • Defination-định nghĩa • Properties-tính chất • Principle-nguyên lí,giải thích • Classification-phân loại • Application- ứng dụng   QW GaAs/GaAsAl   1 2 3 4 5 6 7 8 9 x 10 5 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 L1<L2 cuong do dien truong E(V/m) he so hap thu phi tuyen L1 L2 E%?%D%  )#%'D3?%?' $%&!#& 4&$D%$%+4& [...]... Johnson et al Solar Energy Materials and Solar Cells, 2005 Giải thích MQW DBR  Các photon bị hấp thụ lần thứ hai sẽ làm giảm dòng tối trong pin  Photon tái xử dụng làm hiệu suất pin lên tới 30,8% (Barham ) Mục đích của DBR là hấp thụ các photon khi chúng đi qua MQW lần thứ hai ,hoặc giam cầm nó trong MQW,và cũng hấp thụ chúng trực tiếp MQW DBR Thế mạnh của SB-QWSC + Công suất dòng pin được nhân... tiến pin bằng chấn tử phân bố phản quang Bragg Distributed Bragg Reflectors 100 100  tăng hiệu suất hấp thụ 80 80 80 80 60 60 60 60 Ánh sáng  Tăng dòng quang điện  Không hề gây cản trở dòng DBR IQE Non­DBR IQE DBR reflectivity 40 40 40 40 20 20 0 0 400 400 20 20 500 500 600 600 700 700 800 800 900 900 Reflectivity (% ) Internal quantum efficiency (% ) 100 100 0 0 1000 1000 Wavelength (nm) Wavelength (nm)... tiếp MQW DBR Thế mạnh của SB-QWSC + Công suất dòng pin được nhân lên gần gấp đôi + Dải hấp thụ rộng, làm việc ổn định trong nhiều điều kiện biến đổi ánh sáng mặt trời + kích cỡ vài độ mini mét , dễ sản xuất Ứng dụng + Công trình tích hợp năng lượng quang điện + Smart Windows + …… ... 5 6 do rong ho luong tu L(m) 7 8 9 10 -8 x 10 dothi 3 0.45 Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ sóng điện từ vào nhiệt độ T E1 E2 0.4 he so hap thu phi tuyen 0.35 0.3 0.25 E1>E2 0.2 0.15 0.1 0.05 250 300 350 400 nhiet do T 450 500 Ưu điểm +) Có thể thay đổi gianh giới của giải hấp thụ và hấp thụ được dải rộng hơn + ) Không gấy sai hỏng,trật khớp khi có khoảng tử 65 giếng thế được tạo ra +) .  Quantum well solar cell pin mặt trời sử dụng công nghệ giếng lượng tử Nguyễn Tiến Long k12 CNKHTN-ĐHQGHN   Outline           Nguyên lí • Cấu trúc giếng. loại • Application- ứng dụng   Cấu trúc QW & MQW • B(L’) // A( L ) // B( L’ )  QW • …    !"#$#%!&!#&'% ( )* '#$!#+&,$%+!%.  Outline           Nguyên lí • Cấu trúc giếng lượng tử (QW) • Nguyên liệu chế tạo QW • Phân loại QW • Hố lượng tử GaAs/GaAsAl   outline • History-lịch sử hình thành • Defination-định nghĩa • Properties-tính