Pin mặt trời sử dụng công nghệ giếng lượng tử ( quantum well solar cell pot

Quantum well solar cellpin mặt trời sử dụng công nghệ giếng lượng tử Nguyễn Tiến Long... Nguyên lí• Cấu trúc giếng lượng tử QW • Nguyên liệu chế tạo QW • Phân loại QW • Hố lượng tử G

Quantum well solar cell

pin mặt trời sử dụng công nghệ

giếng lượng tử

Nguyễn Tiến Long

Nguyên lí

• Cấu trúc giếng lượng tử (QW)

• Nguyên liệu chế tạo QW

• Phân loại QW

• Hố lượng tử GaAs/GaAsAl

Q = (∆Ec) /(∆Eg)

(Dingle)

• QW GaAs/GaAlAs và InGaAs/In­P quan trọng nhất về mặt công nghệ

GaAs/GaAsAl

Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ phi tuyến sóng

điện từ vào cường độ điện trường

Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ vào độ rộng L của hố lượng tử.

250 300 350 400 450 500 0.05

Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ

sóng điện từ vào nhiệt độ T

u i m

Ư đ ể

+) Có thể thay đổi gianh giới của giải

hấp thụ và hấp thụ được dải rộng hơn + ) Không gấy sai hỏng,trật khớp khi có khoảng tử 65 giếng thế được tạo ra

+) Khả năng thay đổi Eg dẫn tới hiệu suất nối tiếp ,tiếp đôi sẽ cao hơn

Cải tiến pin bằng chấn tử phân bố

phản quang Bragg

DBR IQE Non­DBR IQE

[3] D.C Johnson et al Solar Energy Materials and Solar Cells, 2005

Giải thích

Mục đích của DBR là hấp thụ

các photon khi chúng đi qua MQW lần thứ hai ,hoặc giam cầm nó trong MQW,và cũng hấp thụ chúng trực tiếp

Thế mạnh của SB-QWSC

đôi

+ Dải hấp thụ rộng, làm việc ổn định trong

nhiều điều kiện biến đổi ánh sáng mặt trời + kích cỡ vài độ mini mét , dễ sản xuất