Nghiên ứu thiết kế và hế tạo đế plasmoni dựa trên ông nghệ khắ sử dụng hạt nano silia

TRƢỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI VIỆN ĐÀO TẠO QUỐC TẾ VỀ KHOA HỌC VẬT LIỆU LUẬN VĂN THẠC SĨ Nghiên cứu thiết kế chế tạo đế plasmonic dựa công nghệ khắc sử dụng hạt nano silica NGUYỄN THỊ THANH LAN Ngành Khoa học Vật liệu - Vật liệu điện tử HÀ NỘI, 06/2020 Tai ngay!!! Ban co the xoa dong chu nay!!! 17061132023641000000 i TRƢỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI VIỆN ĐÀO TẠO QUỐC TẾ VỀ KHOA HỌC VẬT LIỆU LUẬN VĂN THẠC SĨ Nghiên cứu thiết kế chế tạo đế plasmonic dựa công nghệ khắc sử dụng hạt nano silica NGUYỄN THỊ THANH LAN Lan.NTTCB180071@sis.hust.edu.vn Ngành Khoa học Vật liệu - Vật liệu điện tử Giảng viên hƣớng dẫn: PGS TS Chu Mạnh Hoàng Viện: Đào tạo Quốc tế Khoa học vật liệu Chữ ký GVHD HÀ NỘI, 06/2020 CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập – Tự – Hạnh phúc BẢN XÁC NHẬN CHỈNH SỬA LUẬN VĂN THẠC SĨ Họ tên tác giả luận văn : Nguyễn Thị Thanh Lan…… .…………… Đề tài luận văn: Nghiên cứu thiết kế chế tạo đế plasmonic dựa công nghệ khắc sử dụng hạt nano silica……………… …………… .… Chuyên ngành: Khoa học Vật liệu- Vật liệu điện tử…………… Mã số SV: CB180071……………………… ………………… … Tác giả, Ngƣời hƣớng dẫn khoa học Hội đồng chấm luận văn xác nhận tác giả sửa chữa, bổ sung luận văn theo biên họp Hội đồng ngày 30/06/2020 với nội dung sau: - Bổ sung bảng chữ viết tắt; - Chỉnh sửa lỗi tả, in ấn; - Chỉnh sửa bổ sung mục 2.5 4.3 theo ý kiến Hội đồng chấm luận văn Hà Nội, ngày Giáo viên hƣớng dẫn tháng năm Tác giả luận văn PGS TS Chu Mạnh Hoàng Nguyễn Thị Thanh Lan CHỦ TỊCH HỘI ĐỒNG GS TS Vũ Ngọc Hùng ĐỀ TÀI LUẬN VĂN Nghiên cứu thiết kế chế tạo đế plasmonic dựa công nghệ khắc sử dụng hạt nano silica Giáo viên hƣớng dẫn Ký ghi rõ họ tên PGS TS Chu Mạnh Hoàng Lời cảm ơn Luận văn đƣợc thực dƣới hƣớng dẫn thầy giáo Chu Mạnh Hoàng, với định hƣớng mặt chuyên môn động viên tinh thần, em xin gửi đến thầy lịng biết ơn sâu sắc Cảm ơn giáo Lƣu Thị Lan Anh quan tâm giúp đỡ em từ ngày Quá trình học tập viện ITIMS thực mang lại cho em nhiều kiến thức kỹ bổ ích Em ghi nhớ trân trọng, thay lời cảm ơn đến thầy cô, bạn bè anh chị nhóm Cảm ơn chú, anh chị đồng nghiệp tạo điều kiện tốt để em có thời gian thực khóa cao học Luận văn cịn nhiều thiếu sót phải tiếp nhận kiến thức mới, kính mong nhận đƣợc góp ý từ thầy giáo để em hồn thiện Em xin chân thành cảm ơn Tóm tắt nội dung luận văn Về kết cấu, luận văn bao gồm bốn chƣơng: Chƣơng giới thiệu tổng quan đế plasmonic, ứng dụng phƣơng pháp chế tạo; Chƣơng lý thuyết cộng hƣởng plasmon, kỹ thuật mô dựa phƣơng pháp phần tử hữu hạn, phƣơng pháp chế tạo đế plasmonic theo định hƣớng từ sol silica phƣơng pháp khảo sát đặc trƣng; Chƣơng đề xuất mơ hình đế silic cấu trúc nano plasmonic chế tạo phƣơng pháp khắc hạt nano, kết mô phân bố tăng cƣờng điện trƣờng cấu trúc nano, sử dụng phần mềm mô COMSOL Chƣơng kết thực nghiệm chế tạo sol nano silica phƣơng pháp sol-gel, chế tạo đơn lớp hạt nano silica đế silic theo quy trình quay phủ, phục vụ cho việc chế tạo đế plasmonic HỌC VIÊN Ký ghi rõ họ tên Nguyễn Thị Thanh Lan