Báo Cáo Bài Tập Lớn Môn - Thiết Kế Hệ Thống Vlsi - Đề Tài - Nghiên Cứu Tìm Hiểu Quy Trình Và Các Bước Về Các Công Nghệ Quang Khắc Duv, Euv Photolithography

HỌC VIỆN CƠNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THƠNG KHOA KĨ THUẬT ĐIỆN TỬ **************** BÁO CÁOBÀI TẬP LỚN MÔN THIẾT KẾ HỆ THỐNG VLSI ĐỀ TÀI: NGHIÊN CỨU TÌM HIỂU QUY TRÌNH VÀ CÁC BƯỚC VỀ CÁC CƠNG NGHỆ QUANG KHẮC DUV, EUV PHOTOLITHOGRAPHY MỤC LỤC DANH MỤC HÌNH ẢNH .3 DANH MỤC BẢNG BẢNG GIẢI NGHĨA CÁC TỪ VIẾT TẮT CHƯƠNG 1: GIỚI THIỆU VỀ CÔNG NGHỆ QUANG KHẮC 1.1 Khái niệm quang khắc 1.2 Quy trình quang khắc 1.3 Các phương pháp khắc hình khác 12 CHƯƠNG 2: CÔNG NGHỆ QUANG KHẮC DUV 14 2.1 Nguyên lý hoạt động công nghệ quang khắc DUV .14 2.2 Các bước quang khắc DUV 14 2.3 Ưu điểm hạn chế công nghệ quang khắc DUV 15 CHƯƠNG 3: CÔNG NGHỆ QUANG KHẮC EUV PHOTOLITHOGRAPHY 17 3.1 Nguyên lý hoạt động công nghệ quang khắc EUV photolithograph 17 3.2 Các bước quang khắc EUV photolithography 17 3.3 Ưu điểm hạn chế công nghệ quang khắc EUV photolithography 18 CHƯƠNG 4: SO SÁNH VÀ ĐÁNH GIÁ EUV VÀ DUV PHOTOLITHOGRAPLY 20 4.1 So sánh đặc tính hiệu suất EUV DUV 20 4.2 Đánh giá ứng dụng tiềm EUV DUV 20 TỔNG KẾT 21 TÀI LIỆU THAM KHẢO 21 DANH MỤC HÌNH ẢNH Hình 1.1:Quy trình chế tạo vi linh kiện kỹ thuật liff- off kĩ thuật ăn mòn Hình 1.2:Nguyên lý quang khắc .8 Hình 1.3:Các bước quy trình quang khắc Hình 1.4:Sơ đồ quay li tâm 10 Hình 1.5:Các phươ g pháp định vị mặt n chiếu sáng 11 Hình 1.6:Thiết bị khắc hình chùm tia điện tử 12 Hình 1.7:Sơ đồ hệ thống khắc hình tia X 13 Hình 1.8:Sơ đồ quang khắc ướt 13 DANH MỤC BẢNG BẢNG GIẢI NGHĨA CÁC TỪ VIẾT TẮT Từ viết tắt EUV Từ viết đầy đủ Extreme Ultraviolet DUV HMDS DOF Deep Ultraviolet hexamethyldislazane Depth of Field CHƯƠNG 1: GIỚI THIỆU VỀ CÔNG NGHỆ QUANG KHẮC 1.1 Khái niệm quang khắc 1.1.1 Định nghĩa Quang khắc (hay photolithography) kĩ thuật sử dụng công nghệ bán dẫn công nghệ vật liệu, nhằm tạo chi tiết vật liệu với hình dạng kích thước xác định, cách sử dụng xạ ánh sáng làm biến đổi chất cảm quang phủ bề mặt vật liệu Do ảnh hưởng nhiễu xạ ánh sáng nên phương pháp quang khắc không cho phép tạo chi tiết nhỏ micro mét, phương pháp cịn gọi quang khắc micro (micro photolithography) 1.1.2 Kỹ thuật quang khắc Quang khắc tập hợp q trình quang hóa nhằm thu phần tử bề mặt đế có hình dạng kích thước xác định Như vậy, quang khắc sử dụng phản ứng quang hóa để tạo hình Bề mặt đế sau xử lý phủ hợp chất hữu gọi chất cảm quang (photoresist) Chất cảm quang có tính chất nhạy quang, bền môi trường kiềm hay axit Cảm quang có vai trị bảo vệ chi tiết vật liệu khỏi bị ăn mòn tác dụng ăn mịn tạo khe rãnh có hình dạng chi tiết cần chế tạo Cảm quang thường phủ lên bề mặt kỹ thuật quay phủ (spin-coating).Cảm quang phân làm loại: 1.1.2.a Cảm quang dương: Chất cảm quang sau bị ánh sáng chiếu vào bị hòa tan dung dịch tráng rửa 1.1.2.b Cảm quang âm: Chất cảm quang sau ánh sáng chiếu vào khơng bị hịa tan dung dịch tráng rửa Hình 1:Quy trình chế tạo vi linh kiện kỹ thuật liff- off kĩ thuật ăn mòn Kĩ thuật liff - off (Quang khắc chất cảm quang dương): Chất cảm quang dương sau phủ đế chiếu sáng thông qua mặt nạ Những vùng chất cảm quang không mặt nạ che (bị chiếu sáng) bị biến đổi tính chất, tan dung dịch tráng rửa Còn lại vùng mặt nạ che (khơng bị chiếu sáng) bám dính đế Tiếp vật liệu bốc bay (bằng phương pháp phún xạ, …) bám dính lên đế lớp chất cảm quang Sau phần vật liệu bám chất cảm quang bị loại bỏ (liff-off) cách cho mẫu vào rung siêu âm acetone Phần vật liệu bám chất cảm quang lớp cảm quang bị rửa trơi, cịn lại lớp vật liệu bám đế Kĩ thuật ăn mòn (Quang khắc cảm quang âm): Là ngược lại quy trình quang khắc dương Ban đầu vật liệu bay bốc lên đế, sau phủ chất cảm quang âm Mẫu cho vào chiếu sáng thông qua mặt nạ, vùng cảm quang không chiếu sáng tan dung dịch tráng rửa, lại vùng cảm quang bị chiếu sáng Sau phần vật liệu bám dính đế bị ăn mịn chùm tia điện tử, lớp chất cảm quang lại bị rửa trôi cồn để lại phần chi tiết vật liệu cần tạo bên Việc ăn mịn vật liệu bám dính đế khó phức tạp việc rửa trơi lớp cảm quang đóng rắn nhiều quy trình ăn mịn quy trình bắn phá điện tử lên bề mặt mẫu Vì vậy, khơng kiểm sốt tốt quy trình hạt điện tử bắn phá đế gây thủng đế Trong kĩ thuật liff - off việc sử dụng cảm quang dương cho mặt nạ dương người ta cịn dùng tính chất âm cảm quang âm (photoresist revert) cho mặt nạ âm 1.1.3 Ngun lý hệ quang khắc Hình mơ tả nguyên lý hệ quang khắc, gồm nguồn phát tia tử ngoại, chùm tia tử ngoại khuếch đại sau chiếu qua mặt nạ Mặt nạ chắn sáng in chi tiết cần tạo (che sáng) để che không cho ánh sáng chiếu vào vùng cảm quang, tạo hình ảnh chi tiết cần tạo cảm quang biến đổi Sau chiếu qua mặt nạ, bóng chùm sáng có hình dạng chi tiết cần tạo, sau hội tụ bề mặt phiến phủ cảm quang nhờ hệ thấu kính hội tụ Hình 2:Ngun lý quang khắc 1.1.4 Ứng dụng quang khắc Quang khắc kỹ thuật phát triển từ đầu kỷ 20, sử dụng rộng rãi công nghiệp bán dẫn để chế tạo vi mạch điện tử phiến Si Ngoài ra, quang khắc sử dụng ngành khoa học công nghệ vật liệu để chế tạo chi tiết vật liệu nhỏ, chế tạo linh kiện vi điện tử Hạn chế quang khắc ánh sáng bị nhiễu xạ nên hội tụ chùm sáng xuống kích cỡ q nhỏ, nên khơng thể chế tạo chi tiết có kích thước nanơ (độ phân giải thiết bị quang khắc tốt 50 nm), chế tạo chi tiết nhỏ cấp nanomet, người ta phải thay công nghệ khắc chùm điện tử (electron beam lithography) 1.2 Quy trình quang khắc Hình mơ tả bước quy trình quang khắc Hình 3:Các bước quy trình quang khắc Bước 1: Làm khơ bề mặt đế: Có nhiều cách để tách tạp chất bề mặt đế như: thổi khí nitơ có áp suất cao, vệ sinh hóa chất, dịng nước có áp suất cao dùng cọ rửa Sau sấy tách ẩm cách gia nhiệt nhiệt độ từ 150 oC đến 200 oC thời gian 10 phút Bước 2: Phủ lớp tăng cường độ bám dính (primer): Vai trò lớp làm tăng khả kết dính đế chất cảm quang Lớp tăng cường độ bám dính thường sử dụng HMDS (hexamethyldislazane) Bước 3: Phủ lớp cảm quang phương pháp quay li tâm: Ở giai đoạn đế quay máy quay li tâm môi trường chân không Các thông số kĩ thuật giai đoạn này: tốc độ quay (3000 - 6000 vòng/phút), thời gian quay (15 - 30 s), độ dày lớp phủ (0.5 ÷ 15 m)m) Cơng thức thực nghiệm để tính độ dày lớp phủ cảm quang với: k: số thiết bị quay li tâm (80-100) p: hàm lượng chất rắn chất cảm quang (%) w: tốc độ quay máy quay li tâm (vịng/1000) Hình 4:Sơ đồ quay li tâm Các cố thường gặp trình phủ lớp cảm quang: Sự cố Nguyên nhân  Bề mặt khô không  Độ dày không  Các đường biên dày Hướng khắc phục  Có thể đặt vịng trịn đường biên (có thể dày 20-30 lần)  Dùng dung môi phun lên lớp biên để hoàn tan  Xuất đường sọc  Do chất cảm quang  Làm chất cảm quang có hạt rắn có đường trước quay phủ kính lớn độ dày lớp phủ Bảng 1:Các cố thường gặp trình phủ lớp cảm quang Bước 4: Sấy sơ (Soft-Bake): Mục đích bước làm bay dung mơi có chất cảm quang Trong q trình sấy, độ dày lớp phủ giảm khoảng 25% Phương pháp thực hiện: Dùng lò đối lưu nhiệt Dùng gia nhiệt Nhiệt độ: 90-100oC Nhiệt độ: 75-85oC Thời gian: 20 phút Thời gian: 45 giây Bảng 2:Phương pháp thực sấy sơ Bước 5: Định vị mặt nạ chiếu sáng: Trong giai đoạn này, hệ chiếu ánh sáng để chuyển hình ảnh lên nền, mặt nạ đặt hệ thấu kính Có phương pháp chiếu dựa vào vị trí đặt mặt nạ(hình 1.5):  Mặt nạ tiếp xúc  Mặt nạ đặt cách chất cảm quang khoảng cách nhỏ  Mặt nạ đặt cách xa chất cảm quang, ánh sáng chiếu qua hệ thấu kính Hình 5:Các phươ g pháp định vị mặt n chiếu sáng Bước 6: Tráng rửa: Dùng hóa chất tách chất cảm quang chưa đóng rắn Tỷ lệ hịa tan vùng chiếu vùng khơng chiếu 4:1 Do cảm quang dương nhạy cảm quang âm Các thông số kiểm sốt q trình rửa: nhiệt độ, thời gian, phương 10 pháp hóa chất để rửa Phương pháp rửa bao gồm hai phương pháp: phương pháp nhúng (đưa trực tiếp dung dịch rửa) phương pháp phun Cảm quang âm Chất rửa: xylen Cảm quang dương Chất rửa: (NaOH, KOH), nonionic soln Chất súc lại: n-butylacetate Chất súc lại: nước Bảng 3:Công thức tráng rửa Bước 7: Sấy sau ảnh: Mục đích bước làm cho lớp cảm quang cứng hoàn toàn, đồng thời tách tồn dung mơi khỏi chất cảm quang 1.3 Các phương pháp khắc hình khác 1.3.1 Khắc hình chùm tia điện tử Khắc hình chùm tia điện tử phương pháp công nghệ mới, tạo chi tiết nhỏ mạch điện tử tích hợp Chùm tia điện tử chiếu thông qua “mặt nạ”- tạo nhờ thấu kính điện từ - truyền hình ảnh mặt nạ lên đế bán dẫn 11 Hình 6:Thiết bị khắc hình chùm tia điện tử 1.3.2 Khắc hình tia X Thiết bị khắc hình tia X dùng nguồn xạ synchrotron, điện tử gia tốc chuyển động vòng nhờ nam châm định hướng trước có đủ lượng đến va đập vào đối âm cực, làm phát tia X bước sóng 𝜆 10 Các máy in quang khắc kiểu dò bước dùng đồng thời, với chùm tia X khác phát từ nguồn xạ synchrotron Đối với máy in dùng mặt nạ sát mẫu với khoảng cách g nhỏ, độ phân giải phụ thuộc 𝜆 Sơ đồ đường truyền xạ X máy in quang khắc chiếu dò bước – qt mơ tả hình 1.7 Hình 7:Sơ đồ hệ thống khắc hình tia X 1.3.3 Quang khắc ướt Quang khắc ướt thực cách nhúng hệ chất lỏng chiết suất n > Sơ đồ hệ quang khắc ướt mô tả hình 1.8 12 Hình 8:Sơ đồ quang khắc ướt Ưu điểm phương pháp này:  Độ phân giải tăng tỷ lệ theo chiết suất n chất lỏng Ví dụ, dùng nước có n = 1,44 bước sóng 𝜆 = 193 nm, độ phân giải tăng từ 90 nm đến 64 nm  Độ sâu tiêu điểm DOF tăng lên kích thước đặc trưng lớn hơn, so với kích thước đặc trưng quang khắc thơ CHƯƠNG 2: CÔNG NGHỆ QUANG KHẮC DUV 2.1 Nguyên lý hoạt động công nghệ quang khắc DUV Công nghệ quang khắc DUV (Deep Ultraviolet) phương pháp chế tạo vi mạch điện tử sử dụng ánh sáng có bước sóng ngắn 200nm (vùng tử ngoại cực sâu) để khắc đường dẫn, hốc gờ lớp vật liệu mẫu mạch điện tử Công nghệ sử dụng rộng rãi ngành công nghiệp điện tử để sản xuất sản phẩm công nghệ vi mạch, cảm biến, nhớ, linh kiện quang học nhiều ứng dụng khác Nguyên lý hoạt động công nghệ quang khắc DUV dựa tượng quang khắc, ánh sáng DUV chiếu qua khu vực mẫu mạch điện tử phủ lớp vật liệu nhạy quang (photoresist) Các hạt ánh sáng (photon) ánh sáng DUV hấp thụ lớp nhạy quang, tạo trình hóa học vật lý, gây thay đổi cấu trúc tính chất lớp nhạy quang Sau đó, lớp nhạy quang xử lý chất ăn mịn hóa chất khác để loại bỏ 13 khu vực quang khắc, để lộ đường dẫn, hốc gờ mẫu mạch điện tử 2.2 Các bước quang khắc DUV Các bước quang khắc DUV chủ yếu bao gồm: Bước 1: Chuẩn bị mẫu Mẫu cần chuẩn bị lớp vật liệu, chẳng hạn lớp nhựa định hình (photoresist) mạch điện tử hay kính Lớp nhựa định hình có khả phản ứng với ánh sáng cực tím thay đổi tính chất hóa học Bước 2: Chiếu ánh sáng cực tím Ánh sáng cực tím có bước sóng ngắn ánh sáng hồng ngoại có độ lượng cao, có khả phá vỡ liên kết hóa học lớp nhựa định hình Ánh sáng cực tím chiếu lên lớp nhựa định hình thơng qua hệ thống quang học phức tạp gồm ống kính, gương phản xạ máy chiếu Bước 3: Phản ứng hóa học Trong vùng chiếu sáng, lớp nhựa định hình phản ứng hóa học trở nên dung nạp khó tan dung mơi phát triển Trong đó, vùng khơng chiếu sáng giữ ngun tính chất Bước 4: Phát triển Sau chiếu sáng, mẫu đưa vào trình phát triển Các dung môi phát triển sử dụng để loại bỏ vùng nhựa định hình phản ứng hóa học, từ tạo thành khe đường dẫn lớp nhựa định hình, tạo thành mẫu vật liệu cấu trúc mong muốn Bước 5: Rửa kiểm tra Sau trình phát triển hoàn thành, mẫu cần rửa để loại bỏ dung mơi phát triển cịn sót lại mẫu Sau đó, mẫu kiểm tra chất lượng để đảm bảo khe đường dẫn mẫu quang khắc DUV đạt độ xác đáp ứng yêu cầu thiết kế 2.3 Ưu điểm hạn chế công nghệ quang khắc DUV Cơng nghệ quang khắc DUV có nhiều ưu điểm hạn chế sau: 2.3.1 Ưu điểm: 14 2.3.1.a Độ phân giải cao: Công nghệ quang khắc DUV cho phép đạt độ phân giải cực cao, đạt đến mức nanometer, cho phép chế tạo cấu trúc cực nhỏ phức tạp bề mặt mẫu 2.3.1.b Tốc độ chế tạo nhanh: Q trình quang khắc DUV thực nhanh chóng đạt suất cao, giúp tiết kiệm thời gian nguồn lực sản xuất 2.3.1.c Độ xác cao: Cơng nghệ quang khắc DUV đạt độ xác cao q trình chế tạo, đảm bảo tính đồng độ xác mẫu sản xuất 2.3.1.d Ứng dụng đa dạng: Cơng nghệ quang khắc DUV áp dụng nhiều lĩnh vực, chẳng hạn chế tạo vi mạch điện tử, sản xuất cảm biến, chế tạo linh kiện quang học, sản xuất vật liệu nano ứng dụng liên quan 2.3.2 Hạn chế: 2.3.2.a Giới hạn vật liệu: Cơng nghệ quang khắc DUV địi hỏi sử dụng loại vật liệu đặc biệt, chẳng hạn photoresist có khả phản ứng hóa học với ánh sáng cực tím Điều hạn chế đa dạng vật liệu chế tạo cơng nghệ 2.3.2.b Chi phí cao: Cơng nghệ quang khắc DUV sử dụng thiết bị phức tạp đắt tiền, đồng thời yêu cầu điều kiện phòng đặc biệt để đảm bảo chất lượng sản phẩm Điều làm tăng chi phí đầu tư ban đầu chi phí sản xuất 2.3.2.c Độ phức tạp quy trình: Quá trình quang khắc DUV có nhiều bước phức tạp yêu cầu kiến thức chuyên môn cao việc hoạt động điều khiển thiết bị Điều đòi hỏi nguồn nhân lực có kỹ đào tạo cao làm tăng độ phức tạp trình sản xuất 2.3.2.d Giới hạn độ sâu quang khắc: Công nghệ quang khắc DUV có giới hạn độ sâu quang khắc, giới hạn độ sâu khe đường dẫn tạo Điều hạn chế ứng dụng cơng nghệ ứng dụng địi hỏi độ sâu quang khắc lớn 15 2.3.2.e Hiệu suất quang khắc: Cơng nghệ quang khắc DUV đối mặt với số khó khăn hiệu suất quang khắc, chẳng hạn việc kiểm soát độ sâu chiều rộng khe đường dẫn, hiệu phản ứng hóa học photoresist, đồng trình quang khắc bề mặt mẫu 2.3.2.f Nguy nhiễm mơi trường: Q trình quang khắc DUV sử dụng chất hóa học thiết bị phức tạp, gây nguy nhiễm mơi trường, chẳng hạn việc xử lý xả thải hóa chất độc hại chất thải từ trình sản xuất CHƯƠNG 3: CƠNG NGHỆ QUANG KHẮC EUV PHOTOLITHOGRAPHY 3.1 Nguyên lý hoạt động công nghệ quang khắc EUV photolithograph Công nghệ quang khắc EUV photolithography sử dụng tia tử ngoại cực ngắn (EUV) để tạo hình ảnh mẫu gọi "mask" lên lớp phủ nhạy quang, gọi "photoresist," bề mặt vật liệu gốc (thường wafer) Nguyên tắc hoạt động cơng nghệ bao gồm bước sau: Bước 1: Tạo mẫu Bước tạo mẫu, gọi mask, cách áp dụng trình khắc chìm (etching) trình phóng ảnh (photomask) silicon Bước 2: Sản xuất ánh sáng EUV Công nghệ EUV photolithography sử dụng tia tử ngoại cực ngắn với bước sóng khoảng 13,5 nanomet để tạo ánh sáng Điều đòi hỏi sử dụng nguồn sáng 16 đặc biệt gọi nguồn sáng EUV (EUV source) để sản xuất ánh sáng có bước sóng Bước 3: Sử dụng hệ thống quang học Ánh sáng EUV hướng vào mẫu ảnh hưởng lên lớp photoresist phủ bề mặt vật liệu gốc Photoresist tạo mơ hình hóa học mẫu bề mặt wafer Bước 4: Phát triển Sau ánh sáng EUV ảnh hưởng lên photoresist, bước trình phát triển, dung dịch hố học sử dụng để loại bỏ vùng không cần thiết photoresist, để lộ khu vực mong muốn wafer Bước 5: Quá trình tái tạo Sau phát triển, bề mặt wafer xử lý để tạo cấu trúc đặc tính mong muốn mẫu ban đầu 3.2 Các bước quang khắc EUV photolithography Các bước quang khắc EUV photolithography bao gồm: Bước 1: Chuẩn bị wafer Wafer làm phủ lớp photoresist Bước 2: Ánh sáng EUV Ánh sáng EUV tạo từ nguồn sáng EUV Bước 3: Phơi Ánh sáng EUV dùng để phơi lớp photoresist wafer, tạo mô hình hóa học mẫu bề mặt wafer Bước 4: Phát triển Wafer xử lý dung dịch phát triển để loại bỏ vùng không cần thiết photoresist, để lộ khu vực mong muốn wafer Bước 5: Kiểm tra sửa chữa Sau trình phát triển, wafer kiểm tra để xác định xem khu vực mong muốn tạo theo yêu cầu hay chưa Nếu cần thiết, sửa chữa thực để chỉnh sửa khuyết điểm Bước 6: Quá trình tái tạo Sau hồn thành q trình phát triển kiểm tra, wafer xử lý để tạo cấu trúc đặc tính mong muốn mẫu ban đầu Các cơng đoạn bao 17 gồm thực trình khắc chìm tráng mạ, tạo kết cấu mạch điện tử wafer 3.3 Ưu điểm hạn chế công nghệ quang khắc EUV photolithography 3.3.1 Ưu điểm: 3.3.1.a Độ phân giải cao: Công nghệ EUV photolithography cho phép tạo chi tiết nhỏ wafer với độ phân giải cao so với cơng nghệ photolithography trước 3.3.1.b Độ xác cao: Với bước sóng EUV ngắn, cơng nghệ cung cấp độ xác cao việc tạo cấu trúc mạch điện tử phức tạp wafer 3.3.1.c Khả tạo kích thước nhỏ hơn: EUV photolithography cho phép tạo kích thước độ dày nhỏ hơn, giúp cải thiện hiệu suất tích hợp linh kiện chip 3.3.2 Hạn chế: 3.3.2.a Chi phí cao: Cơng nghệ EUV photolithography đòi hỏi đầu tư lớn vào thiết bị sản xuất ánh sáng EUV hệ thống quang học phức tạp, gây chi phí cao việc triển khai công nghệ 3.3.2.b Độ xác kiểm sốt khó khăn: Cơng nghệ EUV photolithography địi hỏi xác kiểm sốt cao q trình sản xuất Việc kiểm sốt ánh sáng EUV, trình phát triển bước tái tạo địi hỏi cơng nghệ kiến thức chun mơn cao Điều tạo thách thức việc trì ổn định đạt chất lượng sản phẩm đồng tồn quy trình sản xuất 3.3.2.c Độ bền mask: 18 Ánh sáng EUV có lượng cao gây hại cho mask sử dụng trình quang khắc Điều đặt thách thức độ bền tuổi thọ mask, ảnh hưởng đến hiệu suất chi phí sản xuất 3.3.2.d Kỹ thuật gia cơng mask phức tạp: Q trình sản xuất mask cho cơng nghệ EUV photolithography địi hỏi kỹ thuật gia cơng kiểm sốt cao, chi tiết mask cần phải đạt độ xác cao để tạo cấu trúc nhỏ wafer 3.3.2.e Hạn chế vật liệu: Vì ánh sáng EUV có lượng cao, cần sử dụng vật liệu đặc biệt có khả chịu ánh sáng Điều đặt hạn chế việc lựa chọn vật liệu cho thành phần quang học mask công nghệ EUV photolithography 3.3.2.f Môi trường làm việc: Cơng nghệ EUV photolithography địi hỏi mơi trường làm việc ổn định khơng có bụi hay hạt nhỏ, hạt bụi gây khuyết điểm wafer ảnh hưởng đến chất lượng sản phẩm cuối Tuy có hạn chế thách thức, công nghệ quang khắc EUV photolithography coi bước tiến quan trọng việc đạt kích thước nhỏ độ phân giải cao sản xuất linh kiện điện tử, đồng thời mở nhiều hội tiềm lĩnh vực công nghệ nano viễn thông CHƯƠNG 4: SO SÁNH VÀ ĐÁNH GIÁ EUV VÀ DUV PHOTOLITHOGRAPLY 4.1 So sánh đặc tính hiệu suất EUV DUV EUV (Extreme Ultraviolet) công nghệ sử dụng việc tạo hình xác linh kiện bề mặt chip cách sử dụng sóng có bước sóng ngắn so với cơng nghệ DUV (Deep Ultraviolet) So với DUV, EUV cho phép tạo chi tiết nhỏ xác hơn, sản xuất chip có hiệu suất độ tin cậy cao Tuy nhiên, EUV có hạn chế, ví dụ tín hiệu phát từ nguồn EUV yếu, nên cần phải sử dụng thiết bị phân tích tia X cảm biến để đo lường điều chỉnh DUV (Deep Ultraviolet) công nghệ sử dụng để sản xuất linh kiện ngành công nghệ điện tử với độ chi tiết cao Đặc tính DUV bước 19