Báo cáo thực tập điện tử số tuần 9

8 15 0
Báo cáo thực tập điện tử số tuần 9

Đang tải... (xem toàn văn)

Thông tin tài liệu

LỜI MỞ ĐẦUI. Bộ nhớ chỉ đọc – ROM dùng ma trận diode1.Cấp nguồn +5V mảng cho sơ đồ D912.Nối mạch của sơ đồ D91 với các mạch của DTLAB – 201 như sauII.Bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên – RAM – trên trigger D1.Cấp nguồn +5V cho mảng sơ đồ D922.Nối mạch của sơ đồ D92 với các mạch của DTLAB201 như sau:3.Nạp số liệu vào bộ nhớ:4.Đặt các công tắc logic theo bảng D93 để tạo địa chỉ và điều khiển cho việc đọc số liệu vừa được nạp vào bộ nhớ5.Giải thích nguyên tắc hoạt động của sơ đồ D92TÀI LIỆU THAM KHẢO

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ KHOA ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG - - BÁO CÁO MÔN HỌC THỰC TẬP ĐIỆN TỬ SỐ BÀI 9: BỘ NHỚ BÁN DẪN Họ tên sinh viên: Nguyễn Văn A Mã số sinh viên *** Lớp: Khoa: *** **** Giảng viên hướng dẫn: **** Hà nội, ngày * tháng * năm *** MỤC LỤC LỜI MỞ ĐẦU I Bộ nhớ đọc – ROM dùng ma trận diode Cấp nguồn +5V mảng cho sơ đồ D9-1 2 Nối mạch sơ đồ D9-1 với mạch DTLAB – 201 sau .2 II Bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên – RAM – trigger D Cấp nguồn +5V cho mảng sơ đồ D9-2 Nối mạch sơ đồ D9-2 với mạch DTLAB-201 sau: 3 Nạp số liệu vào nhớ: .3 Đặt công tắc logic theo bảng D9-3 để tạo địa điều khiển cho việc đọc số liệu vừa nạp vào nhớ Giải thích nguyên tắc hoạt động sơ đồ D9-2 TÀI LIỆU THAM KHẢO LỜI MỞ ĐẦU Đầu tiên, em xin bày tỏ lòng biết ơn đến thầy với cán khoa trường cung cấp cho em định hướng, hướng dẫn hỗ trợ suốt trình nghiên cứu hồn thiện báo cáo Nhờ có hướng dẫn chun mơn thầy/cơ, em có hội tìm hiểu phân tích vấn đề cách xác đầy đủ hơn, đồng thời hiểu rõ phương pháp nghiên cứu quy trình làm việc lĩnh vực Dưới báo cáo em trình nghiên cứu học tập, mong thầy/cô xem xét đánh giá Em xin chân thành cảm ơn! I Bộ nhớ đọc – ROM dùng ma trận diode Cấp nguồn +5V mảng cho sơ đồ D9-1 Nối mạch sơ đồ D9-1 với mạch DTLAB – 201 sau Hình D9-1 Bộ nhớ đọc – ROM dùng ma trận diode Bảng D9-1 Địa C B A Hàn g 0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 Y Y 1 1 1 1 1 1 1 Giải mã hàng Y Y Y 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Y Y Y Vị trí Diode/ Cột C C C C D Mã D D D 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1  Nhận xét: Tại vị trí có Diode đèn tương ứng sáng, vị trí khơng có Diode đèn tương ứng tắt  Số liệu phụ thuộc vào vị trí có gắn khơng gắn diode: Mạch ROM cố định gồm phần: Bộ giải mã địa (IC 74LS138), ma trận phần tử nhớ (các diode mắc với nhau), mạch đầu (các IC 74LS14) Các từ mã tín hiệu đầu vào đầu có quan hệ đơn trị Vì vậy, người ta thường xem từ mã đầu vào ABC địa từ mã D3D2D1D0 lưu giữ ROM, D3D2D1D0 xem nội dung liệu địa tương ứng ABC Trong ma trận phần tử nhớ, đường ngang để chọn từ gọi tắt dãy bit Chỗ giao dây từ dây bit gọi phần tử nhớ Tại phần tử nhớ, có gắn diode liệu lưu giữ 1, khơng có diode liệu lưu giữ II Bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên – RAM – trigger D Cấp nguồn +5V cho mảng sơ đồ D9-2 Hình D9-2 Bộ nhớ bit x hàng dùng trigger D Nối mạch sơ đồ D9-2 với mạch DTLAB-201 sau: Nạp số liệu vào nhớ: Bảng D9-2 LS7 CS LS8 OE DS2 B DS1 A PS1 WE LS2 IN1 LS1 IN0 0 0 0 0 0 1 1 ↓ ↓ ↓ ↓ 1 1 LED LED OUT OUT 1 1 1 Đặt công tắc logic theo bảng D9-3 để tạo địa điều khiển cho việc đọc số liệu vừa nạp vào nhớ Bảng D9-3 LS7 CS 0 0 LS8 OE 0 0 DS2 B 0 1 DS1 A 1 LED OUT 0 1 LED OUT 0 0  Nhận xét: Giá trị LED1/ LED0 phụ thuộc vào tín hiệu điều khiển B, A Tín hiệu LED1 LED0 giống với (B)IN1/ (A)IN0 Giải thích nguyên tắc hoạt động sơ đồ D9-2  Sơ đồ có phận là: Bộ giải mã điều chế (IC 74LS139), ma trận nhớ (IC 74LS74), điều khiển đọc viết (IC 74LS125) + IC 74LS139 gồm giải mã sang hay tách kênh sang 4, chúng có ngõ cho phép (tác động mức thấp) ngõ chọn riêng + IC 74LS74 phụ trách việc cho phép lưu liệu có liệu đầu vào + IC 74LS125 hoạt động sườn tác động âm, nên tác động mức thấp IC hoạt động cho phép liệu tiếp tục đầu ra, ngược lại, tác động mức cao IC dừng hoạt động − A, B: Ngõ vào chọn vị trí nhớ theo theo hàng − IN1, IN0: Ngõ vào chọn giá trị cho ô nhớ theo hàng − CS, OE với cổng logic OR phụ trách việc chọn vi mạch/ cho phép đọc liệu − WE tác động xung, định việc điều khiển đọc – ghi + Khi WE = 0, mạch hoạt động trạng thái ghi: Chọn giá trị muốn ghi vào ô nhớ cách điều chỉnh chân A, B để chọn vị trí cịn chân IN1, IN0 để chọn giá trị + Khi WE = 1, mạch hoạt động trạng thái đọc: chân A, B hai lối vào chọn địa muốn đọc (cùng hàng); chân OUT1, OUT0 hai lối thể trạng thái chọn; Khi thay đổi A, B để chọn hàng muốn đọc hai lối thể trạng thái hai chọn TÀI LIỆU THAM KHẢO (Tháng 12/2020) TÀI LIỆU HƯỚNG DẪN THỰC TẬP MÔN KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ SỐ, Khoa Điện tử - Viễn thông, Trường Đại học Công nghệ

Ngày đăng: 23/06/2023, 16:16