BÁO CÁO THỰC TẬP ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ TUẦN 4 TRANSISTOR FET KHÓA CHUYỂN MẠCH FET Nguyễn Anh Tuấn – 20021594 1 Sơ đồ khuếch đại dùng JFET mắc theo kiểu cực nguồn chung CS 1 1 Khảo sát mạch khuếch đại 1 chi.
BÁO CÁO THỰC TẬP ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ TUẦN TRANSISTOR FET KHÓA CHUYỂN MẠCH FET Nguyễn Anh Tuấn – 20021594 Sơ đồ khuếch đại dùng JFET mắc theo kiểu cực nguồn chung CS 1.1 Khảo sát mạch khuếch đại chiều ? Nêu đặc điểm khác biệt transistor trường (yếu tố điều khiển ) transistor lưỡng cực (yếu tố điều khiển dòng ) Transistor trường (FET) Là Transistor đơn cực Có chân đrain,source,gate Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào hạt mang điện đa số lỗ trống electron Trở kháng lối vào lớn Là thiết bị điều khiển điện áp Ít nhiễu khơng có lớp chuyển tiếp tiếp giáp Độ ổn định nhiệt độ tốt Đát tiền Kích thước nhỏ Khơng offset Trở kháng lối thấp Có tốc độ chuyển mạch tần số cắt cao Cơng suất tiêu thụ thấp Có hệ số nhiệt độ dương Phân cực khó Transistor lưỡng cực (BJT) Là linh kiện lưỡng cực Có chân :common , emitter base Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào hạt mamng điện đa sô thiểu số Trở kháng lối vào nhỏ Là thiết bị điều khiển dịng điện Nhiểu FET có lớp tiếp giáp p-n Phụ thuộc vào nhiệt độ Rẻ tiền Kích thước lớn Có offset Trở kháng lối cao Có tốc đọ chuyển mạch tần số cắt thấp Cơng suất tiêu thụ cao Có hệ số nhiệt độ âm Phân cực đơn giản Bảng A4-B2 -9.25V -7.24V -4.933V -0.88V -0.631V Uv ID 97.2 μA 97.1 μA 97.1 μA 835 μA 1007 μA 11V 10.9V 11V 1.95V 0.15V VDS ? Biểu diễn đồ thị giá trị đo dòng ID (trục y) VDS(trục x) 0.653V 1006 μA 0.14V 1.2 Khảo sát mạch khuếch đại xoay chiều (AC) Bảng A4- B3 Vin(IN) 10mV 100mV 200mV Biên độ Vout 113mV 113mV 125mv A 11.3 1.13 0.625 Biên độ tín hiệu vào 100mv Vẽ dạng tín hiệu 300mV 150mV 0.50 400mV 1.19v 2.98 500mV 5v 10 Bảng A4-B4 F 100hz 1khz 10khz 100khz Biên độ Vout 1.39v 1.38v 1.39v 1.38v A 13.8 13.9 13.9 13.8 ? biểu diễn kết phụ thuộc hệ số khuếch đại vào tần sô 1Mhz 1.38v 13.9 10Mhz 1.38v 13.8 ? so sánh biên độ tín hiệu trường hợp , tính từ mát biên độ ảnh hưởng điện trở vào sơ đồ A=Vout/Vin Biên độ tín hiệu hai trường hợp khác nhau: Biên độ Vin tăng biên độ Vout tăng đến mức hạn định hệ số khuếch đại giảm dần Tần số Hz tăng dần biên độ Vout tăng đến mức hạn định hệ số khuếch đại tăng dần đến mức định Sự mát biên độ (23%) ảnh hưởng điện trở vào cửa sơ đồ hao hụt linh kiện thiết bị Sơ đồ khóa nối tiếp dung Jfet 2.1 khảo sát hoạt động với tín hiệu chiều (DC) Bảng A4-B5 Vin 0.5v 1v 2v 3v 4v Biên độ Vout 0.19v 0.23v 0.21v 0.22v 0.21v V -> 12V Biên độ Vout 0.32v 0.5v 0.9v 1.17v 1.61v (J1 nối ) ? Kết luận mối liên hệ giữu vào theo tín hiệu điều khiển 5v 0.23v 2v Khi transistor trường T1 bị cấm (nối V với nguồn -12 v), tương đương trường hợp mở lối vout < 0v Khi nối J1 transistor đóng vai trị khóa đóng 2.2 Khảo sát hoạt động với tín hiệu xoay chiều (AC) ? Nhận xét tượng Kênh có Kênh khơng Dạng sóng vng Sóng có tín hiệu V = 0.14 Sơ đồ khóa song song dùng JFET Vin(IN) 0.5v 1v 2v 3v 4v Biên độ 0.25v 0.5v 1v 1.6v 2.1v Vout ? Quan sát vẽ dạng xung theo xung điều khiển (CTRL) tín hiệu vào 5v 2.6v Các sơ đồ khuếch đại MOSFET 4.1 Sơ đồ source chung CS Giá trị dòng ban đầu qua T1 : I = 1.1mA Vin(IN) 10mV Biên độ Vout 600uV A 0.06 Vẽ dạng tín hiệu vào 100mV 5.7mV 0.056 200mV 11.4mV 0.057 300mV 17.7mV 0.058 400mV 23.3mV 0.057 500mV 28.2mV 0.057 1Mhz 30mV 0.05 10Mhz 30mV 0.05 Bảng A4-B8 F 100hz 1khz 10khz 100khz Biên độ Vout 30mV 30mV 30mV 30mV A 0.05 0.05 0.05 0.05 ? Biểu diễn đồ thị kết phụ thuộc hệ số khuếch đại vào tần số Đặt Vin = 1V ? So sánh biên độ sóng để tính mát biên độ ảnh hưởng điện a trở vào sơ đồ Vin thay đổi làm thay đổi hệ số khuếch đại, Vin tăng Vout tăng tỉ lệ tăng nhỏ Vin nên hệ số khuếch đại giảm giảm đến mức f thay đổi làm thay đổi hệ số khuếch đại, f tăng Vout tăng nên hệ số khuếch đại tăng tăng đến mức 2.88 Sự mát biên độ (22%) ảnh hưởng điện A trở vào sơ đồ 4.2 Sơ đồ Drain chung CD Ghi giá trị ban đầu qua dòng T2 : 5.92 Bảng A4-B9 10mV Vin(IN) Biên độ Vout 40mV A ? Vẽ dạng tín hiệu vào 100mV 180mV 1.8 200mV 300mV 1.5 300mV 380mV 1.267 400mV 460mV 1.15 500mV 660mV 1.32 2V 1.7V 0.85 3V 2.4V 0.8 4V 3.1V 0.75 5V 3.6V 0.72 4.3 Sơ đồ Gate chung CG Ghi gia trị dòng ban đầu qua T3 Bảng A4-B10 0.1V Vin(IN) Biên độ Vout A ? Vẽ dạng tín hiệu vào 1V 0.9V 0.9 ... 1.5 300mV 380mV 1.267 40 0mV 46 0mV 1.15 500mV 660mV 1.32 2V 1.7V 0.85 3V 2.4V 0.8 4V 3.1V 0.75 5V 3.6V 0.72 4. 3 Sơ đồ Gate chung CG Ghi gia trị dòng ban đầu qua T3 Bảng A4-B10 0.1V Vin(IN) Biên... 2.88 Sự mát biên độ (22%) ảnh hưởng điện A trở vào sơ đồ 4. 2 Sơ đồ Drain chung CD Ghi giá trị ban đầu qua dòng T2 : 5.92 Bảng A4-B9 10mV Vin(IN) Biên độ Vout 40 mV A ? Vẽ dạng tín hiệu vào 100mV... độ (23%) ảnh hưởng điện trở vào cửa sơ đồ hao hụt linh kiện thiết bị Sơ đồ khóa nối tiếp dung Jfet 2.1 khảo sát hoạt động với tín hiệu chiều (DC) Bảng A4-B5 Vin 0.5v 1v 2v 3v 4v Biên độ Vout 0.19v