+ Triac có thề điề$u khiền mở dấIn dòng bằng ca xung dòng dưởng dòng đi vào cực điề$u khiền hoặc bằng xung dòng ấm dòng đi ra khoi cực điề$u khiền.. Lựa chọn triac : + Giá trị dòng trun
Trang 11, Diode
Điôt có hai cực, anôt A là cực nôi với lớp p, catôt K
là cực nôi với lớp n Dòng điện chỉ chạy qua điôt theo chiề$u từ A đền K khi U AK>0 Khi U AK<0, dòng qua điôt bằng không
Cấ u tạo :
Điôt được cấu tạo bởi một lớp tiềp giáp p-n (vẽ hình)
Đặc tính :
+ Phấn cực thuận : điện áp U AK tăng dấ$n từ 0 đền khi vượt qua ngưỡng điện áp U D0 ≥0.65V có dòng chay qua diode + Phấn cực ngược : điện áp UAK tăng dấ$n từ 0 đền giá trị nho hởn U ng max (điện áp ngược lớn nhất) thì diode có dòng
rò rất nho Nều U AK đạt đền giá trị U ng max diode bị đánh
thung
Lựa chọn diode :
+ Giá trị điện áp ngược lớn nhất mà diode có thề chịu được U AK <U ng max
+ Giá trị trung bình cua dòng điện chạy qua diode theo chiề$u thuận I D
+ Tấ$n sô đóng căt cua diode
+ Thời gian phục hô$i
Ứng dụng :
điôt được dùng đề chỉnh lưu dòng xoay chiề$u thành dòng một chiề$u
Trang 22, Thyristor
Điề$u khiền bằng xung dòng { I G
V AK>0
Cấ u tạo :
Gô$m bôn lớp bán dấIn p-n-p-n tạo ra 3 lớp tiềp giáp p-n:
J1,J2,J3.Thyristor có 3 cực: anot A, catot K, cực điề$u
khiền G (vẽ hình)
Đặc tính :
A ) Khi dòng điề$u khiền I G= 0:
+ Khi cho U AK<0 : J1,J3 phấn cực ngược; J2 phấn cực thuận Lúc này chỉ có dòng rò Khi U AK ≥ U ng max thyristor bị đánh
thung dòng điện tăng lền rất lớn
+ Khi cho U AK>0: J1,J3 phấn cực thuận; J2 phấn cực ngược Lúc đấ$u chỉ có dòng rò Khi U AK ≥ U thmax thyristor dấIn dòng như diode
B ) Khi dòng điề$u khiền I G> 0:
Quá trình chuyền điềm làm việc trền đường đặc tính
thuận sẽ xay ra sớm hởn
C ) Mở thyristor :
+ Tăng U AK ≥ U thmax
+ Đưa xung dòng I G vào giữa cực điề$u khiền và catot
D ) khóa thyristor :
+ Đôi chiề$u dòng điện
+ Đặt một điện áp ngược lền giữa anot và catot cua
thyristor
Trang 3Lựa chọn thyristor :
+ Giá trị dòng trung bình cho phép chay qua thyristor,
I tbv(A)
+ Điện áp ngược cho phép lớn nhất U ng max(V) ,sao cho
U AK <U ng max
+ Thời gian phục hô$i tính chất khóa cua thyristor,t r( μs) + Tôc độ tăng dòng cho phép, dI dt(A/ μs)
+ Tôc độ tăng điện áp cho phép,dU dt (V / μs)
ứng dụng : Thyristor chu yều được sư dụng ở những ứng
dụng yều cấ$u điện áp và dòng điện lớn, và thường được
sư dụng đề điề$u khiền dòng xoay chiề$u AC
3, Triac
Điề$u khiền bằng xung dòng I G
Cấ u tạo :
Triac là phấ$n tư bán dấIn có cấu trúc bán dấIn gô$m năm lớp, tạo nền cấu trúc p-n-p-n như ở thyristor theo ca hai chiề$u giữa các cực T1 và T2
Đặc tính :
+ Đặc tính vôn-ampe cua triac bao gô$m hai đoạn đặc tính
ở góc phấ$n tư thứ I và thứ III, môIi đoạn đề$u giông như đặc tính thuận cua một thyristor
Trang 4+ Triac có thề điề$u khiền mở dấIn dòng bằng ca xung dòng dưởng (dòng đi vào cực điề$u
khiền) hoặc bằng xung dòng ấm (dòng đi ra khoi cực điề$u khiền)
Lựa chọn triac :
+ Giá trị dòng trung bình cho phép chay qua triac, I tbv
(A)
+ Thời gian phục hô$i tính chất khóa cua triac, t r(μs) + Tôc độ tăng dòng cho phép, dI dt(A/ μs)
+ Tôc độ tăng điện áp cho phép,dU dt (V / μs)
ứng dụng :
Triac đặc biệt hữu ích trong các ứng dụng điề$u chỉnh điện áp xoay chiề$u và các công-tăc-tở tĩnh Sư dụng trong tu lạnh, bình nóng lạnh
4, GTO (GATE TURN-OFF THYISTOR )
Cấ u tạo :
Có 4 lớp bán dấIn p-n-p-n
Có cấu trúc bán dấIn phức tạp so với thyristor
Đặc tính:
+ Mở GTO bằng cách đưa xung dưởng vào cực công I G>0 + Tăt GTO bằng cách đưa xung ấm vào cực công I G<0
Trang 5Lựa chọn GTO :
+ Giá trị dòng trung bình cho phép chay qua triac, I tbv
(A)
+ Thời gian phục hô$i tính chất khóa cua triac, t r(μs)
ứng dụng :
GTO dùng như một linh kiện có chuyền mạch nhanh GTO thường được dùng rất phô biền trong các mạch đềm, mạch tạo xung, mạch điề$u hoà điện thề
5, Transistor lưỡng cực BJT
Cấ u tạo :
gô$m 3 lớp bán dấIn p-n-p (bóng thuận) hoặc n-p-n (bóng
ngược) Có 3 cực bazở B, emitở
Đặc tính : ( tự vẽ hình )
Điề$u khiền bằng dòng điện I G Gô$m có vùng tuyền tính, vùng gấ$n bão hòa, vùng bão hòa
I B>0= ¿{BE phân cực thuận
đại I B tăng => {BE phân cực thuận
BC phân cực thuận
=> transistor hoạt ở chề độ bão hòa
Chọn transistor :
transistor, vượt qua dòng giới hạn này Transistor sẽ bị
Trang 6đặt vào cực CE , vượt qua điện áp giới hạn này
việc bình thường, vượt quá tấ$n sô này thì độ khuyềch
công xuất cực đại cua Transistor thì Transistor sẽ bị hong
Ứng dụng:
Dùng đề đóng căt mạch điện , bộ nạp điện, Tivi, màn hình, đông cở
6, Transistor trường MOSFET
Cấ u tạo cu&a MOSFET : (vẽ hình)
Transistor MOSFET được xấy dựng dựa trền lớp chuyền tiềp Oxit Kim loại và bán dấIn (ví dụ Oxit Bạc và bán dấIn Silic) MOSFET có hai loại: N-MOSFET: chỉ hoạt động khi nguô$n điện Input (Gate) là zero, các electron bền trong vấIn tiền hành hoạt động cho đền khi bị anh hưởng bởi nguô$n điện Input P-MOSFET: các electron sẽ bị cut-off cho đền khi gia tăng nguô$n điện thề vào ngo Input (Gate) Thông thường chất bán dấIn được chọn là silíc
Đặc tính :
Điề$u khiền bằng VGS , chề độ khóa với VGS≤ 0, chề độ dấIn với VGS>0 Hoạt động cua MOSFET có thề được chia thành
ba chề độ khác nhau tùy thuộc vào điện áp trền các đấ$u cuôi Với transistor NMOSFET thì ba chề độ đó là:
1.Chề độ cut-off hay sub-threshold (Chề độ dưới
ngưỡng tới hạn)
Trang 72.Triode hay vùng tuyền tính.
3.Bão hoà
Ứng dụng :
Đóng ngăt với tấ$n sô cao Trong các mạch sô thì các tranzito chỉ hoạt động trong chề độ cut-off và triode Chề độ bão hòa chu yều được dùng trong các ứng
dụng mạch tưởng tự
7, Transistor có cực điề5u khiề8n cách ly, IGBT
Cấ u tạo :
Transistor IGBT được xấy dựng dựa trền lớp chuyền tiềp Oxit Kim loại và bán dấIn giông với MOSFET, điềm khác nhau là có thềm lớp p nôi với colectở tạo nền cấu trúc bán dấIn p-n-p giữa emitở (tưởng tự cực gôc) với colectở (tưởng tự cực máng), không phai là n-n như ở MOSFET Đặc tính : điện áp điề$u khiền Vge>0 Đóng căt với tấ$n sô cao nhưng thấp hởn MOSFET
Chọn IGBT:
Quá trình đóng căt tấ$n sô cao có thề gấy hong IGBT vì thề cấ$n làm chậm lại quá trình khóa cua IGBT
Ứng dụng :
Bềp từ, lò vi sóng