Một số hiệu ứng cao tần trong bán dẫn siêu mạng

Một số hiệu ứng cao tần trong bán dẫn siêu mạng

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN Lương Văn Tùng MỘT SỐ HIỆU ỨNG CAO TẦN TRONG BÁN DẪN SIÊU MẠNG Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán Mã số: 62.44.01.01 TÓM TẮT LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Hà nội, 2009 CễNG TRèNH C HON THNH TI T VT Lí Lí THUYT KHOA VT Lí, TRNG I HC KHOA HC T NHIấN I HC QUC GIA H NI Ngi hng dn khoa hc: Hng dn chớnh: GS. TS. Nguyn Quang Bỏu Hng dn ph: PGS. TS. Trn Cụng Phong Phn bin 1: GS.TSKH Nguyn Hu Tng Phn bin 2: GS.TSKH Nguyn i Vit Phn bin 3: GS.TS V Vn Hựng Lun ỏn s c bo v trc Hi ng chm lun ỏn cp nh nc hp ti vo hi gi ngy thỏngnm 2009 Có thể tìm luận án tại: th viện Quốc gia Hà nội, th viện KHKT Trung ơng, th viện Đại học Quốc gia Hà nội. 8. Tran Cong Phong, Luong Van Tung, Nguyen Quang Bau, Parametric resonance of acoustic and optical phonons in semiconductor superlattices in presence of two electromagnetic waves, Proceedings of the IWOFM-IWONN Conference, 6-9 December, 2006, Halong, Vietnam, pp. 707-709. 9. Luong Van Tung, Tran Cong Phong, Nguyen Thi Le Thuy, Nonlinear Optical Conductivity in Doped Semiconductor Superlattices Due to LO Phonon Scattering, Proceedings of the 10th German-Vietnamese Seminar on Physics and Engineering, Bonn, 04 -09 June, 2007. 10. Tran Cong Phong, Luong Van Tung, and Le Thi Thu Phuong, Optically detected electrophonon resonance effects in semiconductor superlattices, Proceeding of IWNA 2007, Vung Tau 15-17/11/2007, pp. 334-337. 11. Tran Cong Phong, Luong Van Tung, Vo Thanh Lam, Optically detected magnetophonon resonances in doped semiconductor superlattices, Proceedings of the Eleventh Vietnamese-German Seminar on Physics and Engineering, Nha Trang City, from March, 31, to April, 5, 2008. 12. Luong Van Tung, Bui Dinh Hoi, Nguyen Quang Bau, On the nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in doped superlattices, Proceeding of the 5 th National Conference on Solid State Physics, Vung Tau, 12-14/11/2007, pp. 516-519. 13. Luong Van Tung, Le Thai Hung, Nguyen Quang Bau, The effect of confined phonons on the absorption coefficient of a weak electromagnetic wave by confined electrons in doped superlattices, Proceeding of the 5th National Conference on Solid State Physics, Vung Tau, 12-14/11/2007, pp. 512-515. 14. Tran Cong Phong, Nguyen Thi Le Thuy, Luong Van Tung, Line-width in nonlinear optical conductivity of semiconductor superlatices, International Journal of Modern Physics B (submitted). MỞ ĐẦU 1. Lý do chọn đề tài Trong thời gian gần đây việc nghiên cứu các hiệu ứng cao tần trong các vật liệu bán dẫn thấp chiều được đặc biệt chú ý. Trong luận án này tác giả tập trung nghiên cứu một số hiệu ứng cao tần trong hai loại bán dẫn siêu mạng điển hình là bán dẫn siêu mạng pha tạp và bán dẫn siêu mạng thành phần dưới tác dụng của trường laser. Vấn đề đầu tiên được quan tâm nghiên cứu là các hàm dạng phổ. Nghiên cứu hiệu ứng này cho phép chúng ta thu được các thông tin hữu ích về cấu trúc và tương tác electron-phonon trong vật liệu. Các hàm độ rộng vạch phổ và dịch chuyển vạch phổ trong các bán dẫn siêu mạng có thể được tính toán và so sánh với thực nghiệm. Hiệu ứng kích thích và tạo ra phonon trong bán dẫn siêu mạng dưới ảnh hưởng của trường bức xạ laser là chủ đề thứ hai được quan tâm nghiên cứu. Tương tác electron-phonon dẫn đến sự tái chuẩn hóa phổ phonon và tạo ra cơ chế bẩy bắt phonon thông qua thay đổi phổ và trạng thái của electron. Tương tác electron-phonon đã gây ra hiệu ứng tạo phonon. Tác giả đặc biệt chú trọng nghiên cứu sự phụ thuộc của phổ phonon vào các tham số của bán dẫn siêu mạng để từ đó so sánh các hiệu ứng này trong hai loại bán dẫn siêu mạng điển hình là bán dẫn siêu mạng pha tạp và bán dẫn siêu mạng thành phần là một vấn đề chưa được nghiên cứu. Khi có mặt của trường sóng điện từ ngoài, nếu điều kiện cộng hưởng tham số được thỏa mãn sẽ xuất hiện các khả năng tương tác và biến đổi tham số dẫn đến sự tắt dần của loại kích thích này và tăng lên của loại kích thích khác. Trong luận án tác giả nghiên cứu cộng hưởng tham số của phonon âm và phonon quang trong các loại bán dẫn siêu mạng. Thiết lập phương trình tán sắc tổng quát để từ phương trình này có thể nghiên cứu ảnh hưởng của tham số siêu mạng cũng như trường cao tần đặt vào siêu mạng lên phổ phonon. Đây là chủ đề nghiên cứu thứ ba của luận án. Trong các bán dẫn siêu mạng, các vấn đề này chỉ mới được nghiên cứu 1 một phần, chưa đầy đủ và hệ thống. Đối với chủ đề thứ nhất, nghiên cứu bằng kỹ thuật chiếu toán tử nhóm của J.Y.Ryu đã dựa trên lý thuyết phản ứng phi tuyến của Tani kết hợp với chiếu toán tử theo phương của dòng đã tìm được biểu thức độ dẫn một chiều phụ thuộc thời gian dưới dạng khai triển liên phân số, giải thích được hai hiệu ứng quan trọng là mở rộng va chạm (collisional broadening) và trường nội va chạm (intracollional field effect). Tuy nhiên độ dẫn chỉ dừng lại ở tính số hạng tuyến tính. Nhóm của A. Suzuki và M. Ashikawa dựa trên kỹ thuật toán tử K của Fujita và Lodder đã tìm được biểu thức của độ dẫn tuyến tính và phi tuyến bậc một nhưng không thể hiện được quá trình chuyển mức năng lượng của electron. Một số công trình của nhóm H. J. Lee đã đưa ra được hình thức luận của độ dẫn tuyến tính và phi tuyến bậc một, nhưng chỉ dừng lại ở mức tính toán lý thuyết hoặc nêu lên tính toán số cho hệ electron trong hố lượng tử trong trường hợp tuyến tính. Trong luận án này, tác giả dựa vào lý thuyết chuyển tải lượng tử, thông qua tenxơ độ dẫn tuyến tính và phi tuyến nghiên cứu độ rộng vạch phổ của độ dẫn tuyến tính và phi tuyến là một nội dung hoàn toàn mới mẻ, chưa được tác giả nào đề cập tới. Các kết quả tính toán về độ rộng vạch phổ trong bán dẫn khối cho thấy: độ rộng vạch phổ tăng khi nhiệt độ tăng. Chủ đề này muốn tính toán và khảo sát độ rộng vạch phổ phụ thuộc vào nhiệt độ, tần số phôtôn hấp thụ và các tham số của bán dẫn siêu mạng. Về chủ đề thứ hai, nghiên cứu sự gia tăng phonon trong bán dẫn siêu mạng, các công trình nghiên cứu của các tác giả khác trước đây chủ yếu chỉ nghiên cứu sự phụ thuộc của phổ vào và nhiệt độ hoặc tần số trường laser. Trong luận án này tác giả đặc biệt chú trọng nghiên cứu sự phụ thuộc của phổ phonon vào các tham số của bán dẫn siêu mạng để từ đó so sánh các hiệu ứng này trong hai loại bán dẫn siêu mạng điển hình là bán dẫn siêu mạng pha tạp và bán dẫn siêu mạng thành phần. Về chủ đề thứ ba, nghiên cứu cộng hưởng tham số giữa phonon âm và phonon quang, áp dụng phương trình tán sắc tổng quát cho bán dẫn siêu mạng để từ phương trình này có thể nghiên cứu ảnh hưởng của tham số siêu mạng cũng như trường cao tần đặt vào siêu mạng lên phổ phonon. 2 Nhờ đó tìm được trường ngưỡng và điều kiện gia tăng phonon trong các loại bán dẫn siêu mạng. Với những lý do vừa trình bày, tác giả lựa chọn đề tài "Một số hiệu ứng cao tần trong bán dẫn siêu mạng" nhằm giải quyết các vấn đề còn bỏ ngỏ nói trên trong bán dẫn siêu mạng pha tạp và bán dẫn siêu mạng thành phần. 2. Mục tiêu, nội dung và phạm vi nghiên cứu của luận án Luận án tập trung nghiên cứu các nội dung bao gồm: - Độ rộng vạch phổ của độ dẫn tuyến tính và phi tuyến trong các loại bán dẫn siêu mạng; - Hiệu ứng tạo ra phonon trong các loại bán dẫn siêu mạng khi có mặt của sóng điện từ; - Cộng hưởng tham số và biến đổi tham số giữa phonon âm và phonon quang trong các loại bán dẫn siêu mạng; Tương ứng với từng nội dung nghiên cứu, luận án sẽ dành một phần thích hợp để tính số và vẽ đồ thị. Vì chỉ tập trung nghiên cứu tương tác electron với các loại phonon khác nhau nên trong Hamiltonian tương tác của hệ không tính đến tương tác giữa các hạt cùng loại như electron-electron và phonon-phonon. Ngoài ra, trong một số nội dung cụ thể, chúng tôi có thêm một số giới hạn phụ. Chẳng hạn: tính toán các hiệu ứng phi tuyến mới chỉ dừng lại ở số hạng phi tuyến bậc nhất, phonon và trường phân cực theo các phương cụ thể, xác định, 3. Phương pháp nghiên cứu Trong luận án, tác giả sử dụng các phương pháp lý thuyết trường lượng tử cho các hệ nhiều hạt trong vật lý thống kê. Hai phương pháp được sử dụng chủ yếu trong luận án là phương pháp phương trình động lượng tử và phương pháp toán tử chiếu. Phương pháp phương trình động lượng tử đối với hàm phân bố electron hoặc phonon trong hình thức luận lượng tử hoá lần thứ hai để nghiên cứu tốc độ thay đổi mật độ phonon, 3 cộng hưởng tham số giữa phonon âm và phonon quang trong các các bán dẫn siêu mạng. Phương pháp chiếu toán tử để nghiên cứu bài toán về các hàm dịch chuyển vạch phổ và độ rộng vạch phổ trong các loại bán dẫn siêu mạng khi có mặt của trường ngoài. 4. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của luận án Với các kết quả thu được, đóng góp mới của luận án so với các luận án khác và với các kết quả trước đây là: - Thu được các biểu thức giải tích tường minh và khảo sát số về độ dẫn phi tuyến bậc một, về các hàm dạng phổ có mặt trong độ dẫn phi tuyến bậc một; đánh giá được đóng góp của số hạng phi tuyến bậc một vào độ dẫn. - Đã nghiên cứu một cách hệ thống các hiệu ứng đối với cả hai loại siêu mạng. So sánh các đặc trưng giống nhau và khác nhau của các hiệu ứng trong hai loại bán dẫn siêu mạng. 5. Cấu trúc của luận án Luận án có bố cục như sau: ngoài phần mở đầu, kết luận, lập trình tính số, tài liệu tham khảo, luận án có 04 chương, 13 mục với 72 đồ thị, 88 tài liệu tham khảo, tổng cộng 140 trang. Các kết quả chính nghiên cứu trong luận án này đã được trình bày dưới dạng 14 bài báo và báo cáo khoa học trên các tạp chí khoa học chuyên ngành trong và ngoài nước, tại các hội nghị khoa học trong nước và quốc tế. Cụ thể là (có phụ lục kèm theo): - 01 bài đăng trong tạp chí Journal of the Korean Physical Society, Vol. 53, No. 4, October 2008, pp. 1971-1975. - 01 bài gửi đăng trong tạp chí International Journal of Modern Physics B - 02 bài đăng trong Communications in Physics (2004, 2007). - 01 bài báo trong Tạp chí Khoa học, Đại học Huế, số 42 (2007). - 05 báo cáo tại các Hội nghị quốc tế tổ chức trong nước và nước ngoài. - 02 báo cáo tại Hội nghị Vật lý toàn quốc lần thứ VI, Hà Nội 22- 25/11/2005. - 02 bài tại Hội nghị Vật lý chất rắn toàn quốc, Vũng Tàu, 12-14/11/2007. 4 Chương 1. Một số vấn đề tổng quan 1.1 Hàm sóng và phổ năng lượng của electron trong bán dẫn siêu mạng 1.1.1. Bán dẫn siêu mạng Cấu trúc gồm các lớp bán dẫn mỏng A có bề dày d A nằm xen kẽ giữa các lớp bán dẫn B có bề dày là d B được gọi là bán dẫn siêu mạng. Khoảng cách d = d A + d B được gọi là chu kỳ của siêu mạng. Dựa vào cấu trúc của các lớp bán dẫn A và B, người ta chia bán dẫn siêu mạng thành hai loại: bán dẫn siêu mạng pha tạp (viết tắt là DSSL) và bán dẫn siêu mạng thành phần (viết tắt là CSSL). 1.1.2. Hàm sóng và phổ năng lượng của electron trong bán dẫn siêu mạng pha tạp Hàm sóng: ϕ n,  k (r) = e i  k ⊥ r ⊥ u n (r) s 0  j=1 e ik z jz ψ n (z −jd), (1.3) Phổ năng lượng: ε n (  k) =  2  k 2 ⊥ 2m + ω p  n + 1 2  . (1.4) 1.1.3. Hàm sóng và phổ năng lượng của electron trong bán dẫn siêu mạng thành phần Phổ năng lượng: ε n (  k) =  2 k 2 ⊥ 2m +  2 π 2 n 2 2md 2 − ∆ n cos(k z d) (1.12) Hàm sóng: ψ(r) = 1  L x L y s 0 e i  k ⊥ r ⊥ s 0  j=1 e ik z jz ψ n (z −jd) (1.13) 1.2. Độ dẫn và phép chiếu toán tử hệ nhiều hạt 1.2.1 Biểu thức tổng quát của tenxơ độ dẫn Tenxơ độ dẫn tuyến tính σ ij (Ω) = −e lim δ→+0  α,β  γ,δ (r j ) α,β (J i ) γ,δ A αβ (ω), (1.27) 5 với Ω là tần số sóng điện từ, ω = Ω − iδ và tenxơ độ dẫn phi tuyến σ ijk (Ω 1 , Ω 2 ) = e 2 lim δ→+0  α,β  γ,δ  ξ, (r j ) α,β (r k ) γ,δ (j i ) ξ, U γδ αβ (ω 1 , ω 2 ) (1.27) ω 1 = Ω 1 − iδ; ω 2 = Ω 2 − iδ. 1.2.2 Biểu thức tổng quát của độ dẫn qua phép chiếu phụ thuộc trạng thái Độ dẫn tuyến tính σ ij (Ω) = −e lim δ→+0  α,β (r j ) αβ (J i ) βα f β − f α ω −ε βα − Γ αβ 0 (ω) , (1.29) Độ dẫn phi tuyến σ ijk (Ω 1 , Ω 2 ) = e 2 lim δ→+0  α,β  γ,δ  ξ, (r j ) α,β (r k ) γ,δ (j i ) ξ, (1.30) × (f β − f α ) ω 2 − ε βα − Γ αβ 0 (ω 2 )  δ αδ δ ξβ δ γ ω 2 − ε βγ − Γ αβγ 1 (ω 12 ) − δ α δ γβ δ ξδ ω 2 − ε δα − Γ αβδ 2 (ω 12 )  . với ω 12 = ω 1 + ω 2 . 1.3. Phương pháp phương trình động lượng tử 1.3.1. Phương pháp phương trình động lượng tử đối với elec- tron Từ Hamiltonian của hệ electron - phonon đặt trong trường Laser ta thiết lập phương trình động lượng tử cho electron trong bán dẫn khối có dạng là công thức (1.38) trong luận án. 1.3.2 Phương pháp phương trình động lượng tử đối với phonon Tương tự ta thiết lập được phương trình động lượng tử cho phonon trong bán dẫn khối là phương trình (1.40) trong luận án. 6 Chương 2. Độ rộng vạch phổ của độ dẫn 2.1. Biểu thức giải tích của độ rộng vạch phổ trong bán dẫn siêu mạng pha tạp 2.1.1 Độ rộng vạch phổ của độ dẫn tuyến tính trong DSSL γ α,β 0 (Ω) =  n η K n β ,n η   f n η (k (+) 1 ) −f n η (k (+) 1 )f α + N q f n η (k (+) 1 ) −N q f α  −  f α − f α f n η (k (−) 1 ) + N q f α − N q f n η (k (−) 1 )   +  n η K n η ,n α   f β − f β f n η (k (+) 2 ) + N q f β − N q f n η (k (+) 2 )  −  f n η (k (−) 2 ) −f β f n η (k (−) 2 ) + N q f n η (k (−) 2 ) −N q f β   , (2.6) với K n η ,n µ = me 2 ω q I n η ,n µ 8 2 χq 2 d (f β − f α )  1 χ ∞ − 1 χ 0  , I n η ,n µ =  s0  j=1  d 0 ψ n η (z −jd)ψ n µ (z −jd)dz  2 , k ± 1 =  (k α ⊥ ) 2 + 2mω p  (n α − n η ) + 2m  (Ω ±ω q ), k ± 2 =  (k β ⊥ ) 2 + 2mω p  (n β − n η ) − 2m  (Ω ±ω q ), (2.7) 2.1.2. Độ rộng vạch phổ của độ dẫn phi tuyến trong DSSL γ αβγ 1 (Ω 1 , Ω 2 ) =  n η K n γ n η  (1 + N q )f β [1 −f n η (k (+) 3 )] −N q f n η (k (+) 3 )(1 −f β ) − (1 + N q )f α [1 −f n η (k (+) 3 )] + N q f n η (k (+) 3 )(1 −f α ) + (1 + N q )f n η (k (−) 3 )(1 −f α ) −N q f α [1 −f n η (k (−) 3 )] − (1 + N q )f n η (k (−) 3 )(1 −f β ) + N q f β [1 −f n η (k (−) 3 )]  7 [...]... của bán dẫn siêu mạng pha tạp và bán dẫn siêu mạng thành phần phụ thuộc vào tần số sóng photon khác nhau Đối với bán dẫn siêu mạng pha tạp thì khi tần số photon tăng biên độ trường ngưỡng cũng tăng, đối với bán dẫn siêu mạng thành phần ta lại tìm thấy một tần số của photon biên độ trường ngưỡng cực đại và một tần số khác của photon biên độ trường ngưỡng cực tiểu - Hệ số gia tăng phonon âm trong bán dẫn. .. đổi và hiệu ứng tạo phonon trong bán dẫn siêu mạng 3.1.1 Hệ số gia tăng phonon trong bán dẫn siêu mạng + − γq = γq + γq , 3.1.2 (3.15) Trường hợp khí electron không suy biến Biểu thức giải tích của hệ số gia tăng phonon trong bán dẫn siêu mạng pha tạp 3 ± γq Sm 2 = 8π 4 × 2π β e−β(εq Λ) βm 2 β(εF −εn ) − 2 2 q2 |Dn,n1 (q)| e e 2 2 2 2m q +εn1 −εn −εq ±Λ n,n1 −1 , (3.19) và trong bán dẫn siêu mạng thành... phonon âm trong bán dẫn siêu mạng thành phần Tương tự đối với bán dẫn siêu mạng pha tạp, thay phổ năng lượng của electron trong bán dẫn siêu mạng thành phần, thực hiện tính toán, cuối cùng thu được các các biểu thức giải tích tính trường ngưỡng va hệ số gia tăng phonon âm trong bán dẫn siêu mạng thành phần 4.2 Kết quả tính số và thảo luận 4.2.1 Trường ngưỡng trong bán dẫn siêu mạng 6 V m 2.5 2 4 106 106... bán dẫn siêu mạng pha tạp và bán dẫn siêu mạng thành phần Từ các biểu thức giải tích này chúng ta có thể biện luận các điều kiện gia tăng phonon âm và cộng hưởng tham số trong các loại bán dẫn siêu mạng 19 5 F, Arb units 4.5 4 F, Arb units 3.5 3 2.5 2 4 3 2 1 1.5 0 1 4 2 6 d 10 8 8 m 10 1 12 3 2 d 10 8 4 m 5 6 Hình 4.6: Hệ số gia tăng phonon âm trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trái) và trong bán. .. hiện tượng hệ số gia tăng phonon cộng hưởng đối với chu kỳ siêu mạng d Chỉ có một số miền giá trị của chu kỳ siêu mạng thì mới xảy ra gia tăng phonon mạnh Số chu kỳ siêu mạng cũng tác động mạnh lên hệ số gia tăng phonon Chỉ có trong trường hợp số chu kỳ siêu mạng khá lớn thì hệ số này mới có giá trị đáng kể Chương 4 Cộng hưởng tham số giữa phonon âm và phonon quang trong bán dẫn siêu mạng 4.1 Biểu... trường ngưỡng trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trái) và bán dẫn siêu mạng thành phần (hình phải) phụ thuộc vào nhiệt độ T ứng với số sóng q = 108 m−1 (đường chấm), q = 1.2 × 108 m−1 (đường gạch) và q = 1.5 × 108 m−1 (đường liền) 4 6 8 10 12 14 q 107 1 m 16 5 0 18 4 6 8 q 10 12 14 107 1 m 16 18 Hình 4.2: Biên độ trường ngưỡng trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trái) và trong bán dẫn siêu mạng thành... hệ số gia tăng phonon âm trong bán dẫn siêu mạng pha tạp Thay phổ năng lượng của electron không suy biến trong bán dẫn siêu mạng pha tạp, tính toán thu được kết quả các biểu thức của A1 , A2 , A3 , A4 , A5 17 vào (??) và (??) ta có biểu thức trường ngưỡng và hệ số gia tăng phonon âm cho bán dẫn siêu mạng pha tạp 4.1.5 Biểu thức giải tích của trường ngưỡng và hệ số gia tăng phonon âm trong bán dẫn siêu. .. khác tìm thấy cho bán dẫn khối (chỉ tìm thấy ngưỡng dưới) - Tốc độ gia tăng phonon âm trong bán dẫn siêu mạng pha tạp và bán 13 4 Γ, Arb units Γ, Arb units 6 2 0 -2 -4 5 0 -5 -10 -6 3 q 109 2.5 4 3.5 m 0 20 1 40 60 q 107 m 80 100 1 Hình 3.6: Hệ số gia tăng phonon âm trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trái) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình phải) phụ thuộc vào số sóng q ứng với nhiệt độ... tính cộng hưởng đối với chu kỳ siêu mạng d và số chu kỳ siêu mạng s0 - Các kết quả thu được trong chương này phù hợp tốt với kết quả tương ứng đã thu được trong chương 3 KẾT LUẬN 1 Thu được biểu thức giải tích tường minh cho độ dẫn tuyến tính và độ dẫn phi tuyến; độ rộng vạch phổ của độ dẫn tuyến tính và phi tuyến bậc một trong bán dẫn siêu mạng pha tạp và bán dẫn siêu mạng thành phần khi có mặt của... bão hòa khi chu kỳ siêu mạng tăng Độ rộng vạch phổ của bán dẫn siêu mạng thành 21 phần phụ thuộc phi tuyến vào số chu kỳ siêu mạng còn độ rộng vạch phổ của bán dẫn siêu mạng pha tạp lại có hiện tượng bão hòa khi số chu kỳ siêu mạng lớn Riêng bán dẫn siêu mạng pha tạp độ rộng vạch phổ đạt cực đại khi mật độ pha tạp nD có giá trị khoảng 1020 m−3 1.4 Giá trị độ rộng vạch phổ của độ dẫn phi tuyến nhỏ hơn . vào các tham số của bán dẫn siêu mạng để từ đó so sánh các hiệu ứng này trong hai loại bán dẫn siêu mạng điển hình là bán dẫn siêu mạng pha tạp và bán dẫn siêu mạng thành phần là một vấn đề chưa. 3. Hiệu ứng tạo phonon trong bán dẫn siêu mạng 3.1. Biểu thức giải tích của tốc độ thay đổi và hiệu ứng tạo phonon trong bán dẫn siêu mạng 3.1.1. Hệ số gia tăng phonon trong bán dẫn siêu mạng γ q =. điều kiện gia tăng phonon trong các loại bán dẫn siêu mạng. Với những lý do vừa trình bày, tác giả lựa chọn đề tài " ;Một số hiệu ứng cao tần trong bán dẫn siêu mạng& quot; nhằm giải quyết