CHƯƠNG v : TRANSISTOR HAI TIẾP GIÁP (BJTs)

CHƯƠNG V TRANSISTOR HAI TIẾP GIÁP (BJTs) CHƢƠNG 5 TRANSISTOR HAI TIẾP GIÁP (BJTs) Giới thiệu 5 1 Cấu trúc vật lý, nguyên lý hoạt động của BJT 5 2 Đặc tuyến V A của BJT 5 3 Các mạch BJT.

CHƢƠNG TRANSISTOR HAI TIẾP GIÁP (BJTs) Giới thiệu 5.1 Cấu trúc vật lý, nguyên lý hoạt động của BJT 5.2 Đặc tuyến V-A của BJT 5.3 Các mạch BJT chế độ một chiều 5.4 BJT hoạt động chế độ khuếch đại và chế độ chuyển mạch 5.5 Phân cực các mạch khuếch đại dùng BJT 5.6 Hoạt động của BJT với tí n hiệu nhỏ và các mô hình tương đương 5.7 Các mạch khuếch đại BJT đơn tầng 5.8 Đáp ứng tần số của mạch khuếch đại emitơ chung Tổng kết Bài tập GIỚI THIỆU Trong chương này nghiên cứu một linh kiện ba cực quan trọng khác, đó transistor lưỡng cực (BJT) Nội dung của chương này được trì nh bày song song không phụ thuộc vào nội dung phần MOSFET Chương 4, nếu muốn, transistor lưỡng cực nghiên cứu trước MOSFET Những linh kiện ba cực hữu ích nhiều so với linh kiện hai cực, chẳng hạn DIODES được nghiên cứu chương 3, vì chúng sử dụng rất nhiều các ứng dụng, từ khuếch đại tín hiệu đến thiết kế mạch logic số và các mạch nhớ Nguyên lý bản là sử dụng điện áp hai cực để kiểm soát dòng điện chạy cực thứ ba Bằng cách này, mợt linh kiện ba cực sử dụng là được điều khiển bởi một nguồn mà học chương và là sở để thiết kế bợ kh́ch đại Ngoài tín hiệu điều khiển sử dụng để tạo dòng điện cực thứ ba bằng cách thay đổi từ đến giá trị lớn, vậy cho phép linh kiện hoạt động một thiết bị chuyển mạch Như học Chương 1, bộ chuyển mạch là sở cho việc thực bộ biến đổi logic, là thành phần của các mạch số Sự phát minh của BJT vào năm 1948 tại phịng thí nghiệm Bell Telephone mở thời đại cho mạch bán dẫn, mà các thiết bị điện tử làm thay đổi cách làm việc, chơi, và sống Sự phát minh của BJT cuối dẫn đến thống trị của công nghệ thông tin và xuất của nền kinh tế tri thức Transistor lưỡng cực sử dụng gần ba thập kỷ là một linh kiện lựa chọn các thiết kế của mạch rời rạc và mạch tích hợp Mặc dù MOSFET biết đến từ sớm phải đến năm 1970 và 1980 trở thành đối thủ cạnh trạnh quan trọng với BJT Tại thời điểm viết sách này (2003), MOSFET chắn sử dụng rộng rãi các thiết bị điện tử, và công nghệ CMOS là công nghệ lựa chọn việc thiết kế các mạch tích hợp Tuy vậy BJT là mợt linh kiện quan trọng và vượt trội ứng dụng định Ví dụ như, đợ tin cậy của các mạch dùng BJT điều kiện môi trường khắc nghiệt làm cho chúng trở thành linh kiện có ưu thế vượt trội ngành điện tử ô tô, một lĩnh vực quan trọng và phát triển BJT phổ biến thiết kế mạch rời rạc, mợt lựa chọn đa dạng của các loại BJT có sẵn cho các nhà thiết kế Ở ta nên đề cập đến các đặc tính của transistor lưỡng cực hiểu rõ thiết kế mạch transistor có đặc tính dự đoán và khá nhạy cảm với thay đổi của các thông số linh kiện BJT là linh kiện ưu tiên các ứng dụng mạch tương tự đòi hỏi khắt khe, mạch tích hợp và rời rạc Điều này đặc biệt các ứng dụng tần số cao, chẳng hạn mạch tần số vô tuyến (RF) cho các hệ thống không dây Một họ mạch logic số tốc độ rất cao dựa transistor lưỡng cực, tên là mạch logic ghép emitơ được sử dụng Cuối transistor lưỡng cực kết hợp với MOSFETs để tạo mợt mạch có tính mà giữ lợi thế của MOSFET là trở kháng đầu vào cao và công suất tiêu thụ thấp, tần số hoạt động cao và khả chịu dịng lớn của transistor lưỡng cực Cơng nghệ cuối biết là BiMOS hoặc BiCMOS, và tìm thấy ngày một nhiều các lĩnh vực ứng dụng (xem Chương 6,7,9 và 11) Trong chương này, bắt đầu với mô tả đơn giản về hoạt động vật lý của BJT Mặc dù đơn giản, mô tả vật lý cung cấp một cái nhìn sâu sắc đáng kể về đặc tính của transistor là mợt phần tử của mạch Sau nhanh chóng chuyển từ mơ tả dịng điện dưới dạng các điện tử và lỗ trống đến một nghiên cứu về đặc tí nh các cực của transistor Các mơ hình mạch cho hoạt động của transistor các chế độ khác phát triển và sử dụng phân tích và thiết kế các mạch transistor Mục tiêu của chương này là để trình bày cho người đọc sự hiểu biết sâu sắc về BJT Do vào cuối chương này người đọc thực nhanh chóng việc phân tích mạch transistor và thiết kế tầng khuếch đại đơn dùng transistor và các bộ biến đổi logic đơn giản 5.1 Cấu trúc vật lý, ngun lý hoạt đợng của BJT 5.1.1 Đơn giản hóa cấu trúc nguyên lý hoạt động Hình 5.1 chỉ một cấu trúc đơn giản của BJT Một cấu trúc thực tế chỉ sau (xem phụ lục A, có đề cập đến cơng nghệ chế tạo) Như được chỉ hình 5.1, BJT bao gồm vùng bán dẫn: vùng phát (loại n), vùng gốc (loại p) và vùng góp (loại n) Một transistor vậy gọi là transistor npn Một transistor khác được chỉ hình 5.2 có một vùng phát loại p, một vùng gốc loại n, và mợt vùng góp loại p, và gọi mợt transistor pnp Hình 5.1 Cấu trúc đơn giản hóa của transistor npn Hình 5.2 Cấu trúc đơn giản hóa của transistor pnp Mỗi cực nối với một ba vùng bán dẫn của transistor, với các tên gọi là cực phát (E) , cực gốc (B) và cực góp (C) Transistor gồm có tiếp giáp pn, tiếp giáp phát-gốc (EBJ) và tiếp giáp góp-gốc (CBJ) Tùy tḥc vào điều kiện phân cực (thuận hay ngược ) của lớp tiếp giáp này, transistor BJT hoạt động các chế độ khác và thể Bảng 5.1 BẢNG 5.1 Các chế độ hoạt động của BJT Chế độ EBJ CBJ Cắt dòng Ngược Ngược Tích cực Tḥn Ngược Tích cực ngược Ngược Tḥn Bão hịa Tḥn Tḥn Chế đợ tích cực, hay cịn gọi là chế độ Forward active, là một chế độ được sử dụng mà transistor hoạt động một bộ khuếch đại Các ứng dụng khóa điện tử (ví dụ các mạch logic) sử dụng hai chế đợ cắt dịng bão hịa Chế đợ tích cực ngƣợc (reverce active) có ứng dụng là giới hạn là mợt khái niệm quan trọng Như thấy ngay, các hạt tải điện với hai cực tính – đó là các điện tử và các lỗ trống tham gia vào quá trình dẫn dịng mợt transistor lưỡng cực, là lý xuất phát cho tên gọi lưỡng cực Hình 5.3 Dịng điện chảy mợt transistor npn phân cực để hoạt động chế độ tích cực (các thành phần dịng ngược trơi nhiệt của các hạt dẫn điện thiểu số sinh hiện) 5.1.2 Hoạt động của transistor npn chế độ tí ch cƣ̣c Ta bắt đầu xét hoạt động vật lý của transistor ở chế độ tí ch cực Chế độ này minh họa hình 5.3 cho transistor loại npn Hai điện áp ngoài (thể nguồn pin) sử dụng để thiết lập các điều kiện phân cực cần thiết cho chế độ hoạt động tí ch cực Điện áp VBE dẫn đến cực gốc loại p có điện thế cao so với điện thế cực phát loại n, phân cực thuận lớp tiếp giáp phát-gốc Điện áp góp-gốc VCB dẫn đến cực góp loại n có điện thế lớn điện thế cực gốc loại p, dẫn đến phân cực ngược lớp tiếp giáp góp-gốc Dịng điện Trong mơ tả sau của dòng điện chỉ các thành phần dòng khuếch tán xem xét Dịng trơi nhiệt, các hạt dẫn điện thiểu sớ sinh , thường nhỏ và bỏ qua Tuy nhiên ta nói nhiều về các thành phần dòng này phần sau Phân cực thuận lớp tiếp giáp phát-gốc dẫn đến có dịng chảy qua lớp tiếp giáp này Dịng điện gồm hai thành phần: electrons chảy từ cực phát vào cực gốc, và lỗ trống chảy từ cực gốc vào cực phát Sớm có thể thấy được , là mong muốn thành phần (điện tử từ cực phát đến cực gốc) một mức độ cao so với thành phần thứ hai (lỗ trống từ cực gốc đến cực phát) Điều này thực cách chế tạo linh kiện với một cực phát nhiều tạp chất và một cực gốc có nồng đợ tạp chất ít; nghĩa là linh kiện thiết kế để có mật đợ lớn các hạt điện tử cực phát và mật độ thấp các lỗ trống cực gốc Dòng điện chảy qua lớp tiếp giáp phát - gốc tạo thành dòng điện phát i E chỉ hình 5.3 Hướng của dòng i E từ đầu cực phát, với hướng của dòng lỗ trống và ngược hướng với dòng điện tử, với dòng cực phát i E tổng của hai thành phần này Tuy nhiên, thành phần điện tử lớn nhiều so với thành phần lỗ trống, dòng cực phát chi phối thành phần điện tử (electrons) Hình 5.4 Mơ tả nờng đợ của các hạt dẫn điện thiểu số cực gốc và cực phát của một transistor npn hoạt động chế độ tí ch cực : vBE  và vCB  Bây ta xét các điện tử chảy từ cực phát vào cực gốc Các điện từ này là các hạt dẫn điện thiểu số vùng cực gốc loại p Bởi vì cực gốc thường mỏng , điều kiện ổn định, nồng độ các hạt thiểu số dư thừa cực gốc có mợt dạng gần đường thẳng thể đường thẳng nét liền Hình 5.4 Nồng độ điện tử (electron) cao (ký hiệu là nP (0) ) phía cực phát (emitơ) và thấp phía cực góp (collecter) Như trường hợp của lớp tiếp giáp p – n phân cực thuận nào (phần 3.7.5), nồng độ nP (0) tỉ lệ thuận với e vBE / VT , n p (0)  n p e vBE / VT (5.1) Trong n p là giá trị cân nhiệt của các hạt thiểu số (electron) tập trung vùng cực gốc, vBE là điện áp phân cực thuận cho tiếp giáp gốc -phát, VT là điện thế nhiệt , xấp xỉ bằng 25 mV ở nhiệt đợ phịng Lý cho khơng có nờng đợ electron phí a cực góp vùng cực gốc là điện áp colectơ vCB dương dẫn đến các electron cuối chảy qua vùng nghèo CBJ Nồng độ các hạt dẫn điện thiểu số có hình nón (Hình 5.4) dẫn đến các electron chảy vào cực gốc khuếch tán qua vùng cực gốc về phía vùng cực góp Dịng electron khuếch tán I n tỷ lệ thuận với độ dốc của biên dạng đường thẳng, I n  AE qDn dn p ( x) dx  n p (0)    AE qDn    W  (5.2) AE là tiết diện của của lớp tiếp giáp bazơ – emitơ (hướng vng góc với trang giấy), q là đợ lớn điện tích của electron , Dn là nồng độ electron khuếch tán cực gốc và W là độ rộng thực tế của bazơ Quan sát thấy độ dốc âm của đường thẳng nồng độ các hạt dẫn điện thiểu số dẫn đến mợt dịng điện âm I n chảy qua cực gốc; nghĩa là, I n chảy từ bên phải sang bên trái (ngược hướng của x ) Một số các điện tử khuếch tán qua vùng cực gốc kết hợp với với các lỗ trống , là các hạt dẫn điện đa số vùng cực gốc Tuy nhiên, vì cực gốc thường mỏng, tỉ lệ các electron “bị mất” quá trình tái tổ hợp này khá nhỏ Tuy nhiên, tái tổ hợp vùng cực gốc làm dư thừa nồng độ các hạt dẫn điện thiểu số , dẫn tới đường đặc tí nh bị lệch khỏi đường thẳng và có hình dạng lõm xuống biểu thị đường nét đứt Hình 5.4 Độ dốc của đường nồng độ tại tiếp giáp EBJ cao một chút so với tại CBJ , tính toán khác cho thấy số lượng các hạt electron bị vùng cực gốc thông qua quá trình tái tổ hợp Dịng điện cực góp Từ mơ tả phía ta thấy phần lớn các electron khuếch tán đạt tới ranh giới của vùng nghèo góp-gốc Bởi vì cực góp dương cực gốc ( điện áp vCB ) , electron này chạy qua vùng nghèo CJB vào cực góp Do chúng “tập trung” lại để tạo thành dịng điện cực góp iC Vì thế iC  I n , tạo mợt giá trị âm cho dịng iC , cho thấy dòng iC chảy ngược hướng của trục x (đó là từ phải sang trái) Chúng ta làm cho iC chạy theo chiều dương , ta bỏ dấu âm phương trình (5.2) Thực việc này và thế n p (0) từ phương trình (5.1) vào, biểu diễn dịng điện iC sau iC  I S e vBE / VT (5.3) Trong dịng điện bão hòa I S cho bởi I S  AE qDn n p / W Thay n p  ni2 / N A , ni là mật đợ các hạt bên và N A là mật độ tạp chất cực gốc, ta biểu diễn I S IS  AE qDn ni2 N AW (5.4) Một quan sát quan trọng có thể thấy là đợ lớn của dịng iC khơng phụ tḥc vào điện áp vCB Nghĩa là, miễn là cực góp dương so với cực gốc, các electron mà tiến đến phía cực góp của vùng cực gốc chảy vào cực góp và coi dịng điện cực góp Dòng điện bão hòa I S tỷ lệ nghịch với độ rộng của cực gốc W và tỷ lệ thuận với diện tích của tiếp giáp EBJ Giá trị điển hình của I S nằm dải từ 10 12 A đến 10 18 A (phụ thuộc vào diện tích của linh kiện ) Vì I S tỉ lệ với ni2 , là mợt hàm sớ phụ tḥc mạnh vào nhiệt độ, lên khoảng gấp đôi với nhiệt độ tăng lên C (Sự phụ thuộc của ni2 vào nhiệt độ tham khảo phương trình 3.37) Vì I S tỷ lệ thuận với diện tích lớp tiếp giáp (nghĩa là kích thước linh kiện), gọi là dịng điện tỷ lệ Hai transistor giống ngoại trừ mợt cái có tiết diện EBJ gấp đơi cái có mợt dòng điện bão hòa với tỉ lệ đó (nghĩa là 2) Do giá trị vBE linh kiện lớn có mợt dịng colectơ gấp đôi so với linh kiện nhỏ Khái niệm này thường xuyên được sử dụng việc thiết kế mạch tích hợp Dịng điện cực gốc Dịng bazơ i B bao gồm hai thành phần Thành phần iB1 các lỗ trống chảy từ vùng cực gốc vào vùng cực phát Thành phần dòng điện này tỉ lệ với e vBE / VT , iB1  AE qDp ni2 N D Lp e vBE / VT (5.5) DP là nờng đợ lỗ trống khuếch tá n cực phát, L p là độ dài khuếch tán của lỗ trống cực phát, N D là nồng độ tạp chất cực phát Thành phần thứ hai của dòng điện cực gốc, iB các lỗ trống mà phải cấp mạch điện ngoài để thay thế các lỗ trống bị từ cực gốc quá trình tái hợp Biểu thức cho dịng iB xây dựng cách lưu ý nếu thời gian trung bình cho một hạt electron thiểu số tái hợp với một hạt đa số là lỗ trống cực gốc ký hiệu  b ( gọi là thời gian tồn của các hạt thiểu số),  b giây, điện tí ch các hạt dẫn điện thiểu số cực gốc, Qn tái tổ hợp với các lỗ trống Tất nhiên trạng thái xác lập, Qn bổ sung electron chảy từ cực phát Để bổ sung lỗ trống, dòng điện iB phải cấp cho cực gốc mợt điện tích dương Qn sau mỡi  b giây, iB  Qn b (5.6) Điện tích các hạt thiểu số tích trữ vùng cực gốc, Qn tì m thấy cách tham khảo Hình 5.4 Rõ ràng Qn miêu tả diện tích hình tam giác đường thẳng phân bố cực gốc, Qn  AE q  n p (0)W Thế n p (0) từ Phương trình (5.1) và thay n p ni2 / N A Qn  AE qWni2 vBE / VT e 2N D (5.7) Qn thế vào Phương trình (5.6) để có iB  AE qWni2 vBE / VT e bNA (5.8) Kết hợp Phương trình (5.5) và (5.8) và sử dụng phương trình (5.4), ta có biểu thức tổng dịng điện cực gốc i B  D N W W  vBE / VT e iB  I S  p A   Dn N D Lp Dn b    (5.9) So sánh phương trình (5.3) và Phương trình (5.9), ta thấy dòng i B biểu diễn theo mợt tỷ lệ của dòng iC : iB  iC (5.10)  Nghĩa là I iB   S   vBE / VT e  (5.11) Trong  cho  Dp N A W W     1/   D N L D  n b   n D p (5.12) Từ ta thấy  là một số một transistor cụ thể Với các transistor npn đại,  nằm khoảng từ 50 đến 200 1000 đối với các linh kiện đặc biệt Với lý trở lên sáng tỏ sau, số  gọi là hệ số khuếch đại dòng điện common-emitơ Phương trình (5.12) chỉ giá trị  bị ảnh hưởng lớn bởi hai yếu tố : độ rộng của vùng cực gốc, W , và tỷ đối tạp chất vùng cực gốc và vùng cực phát ( N A / N D ) Để có mợt hệ số  lớn ( điều này mong muốn vì  đặc trưng cho một thông số hệ số khuếch đại), cực gốc nên mỏng ( W nhỏ) và nồng độ tạp chất thấp cò n cực phát nồng độ tạp chất lớn (làm cho N A / N D nhỏ) Cuối cùng, ta lưu ý các tranh luận đến đều với giả thiết trường hợp lý tưởng,  là mợt số mợt transistor định Dịng điện cực phát Vì dòng điện vào transistor cần phải , thấy Hình 5.3 dòng điện cực phát i E tổng của dịng điện cực góp iC và dịng điện cực gốc i B ; nghĩa là, iE  iC  iB (5.13) Sử dụng Phương trình (5.10) và (5.13) đưa iE   1 i  C (5.14) Nghĩa là, iE   1 v I e  S BE / VT (5.15) Ngoài ra, ta biểu diễn Phương trình (5.14) dạng iC  iE (5.16) Trong số  liên hệ với     1 (5.17) Do vậy dòng điện cực phát Phương trình (5.15) viết iE  ( I S /  )evBE / VT (5.18) Cuối cùng, ta sử dụng Phương trình (5.17) để biểu diễn  theo  , là   1 (5.19) Có thể thấy từ Phương trình (5.17) ,  là một số ( mợt transistor cụ thể), nhỏ rất gần mợt Ví dụ, nếu   100   0.99 Phương trình (5.19) chỉ một điều quan trọng là : Sự thay đổi nhỏ hệ số  tương ứng với một sự thay đổi lớn hệ số  Điều nhận xét về mặt toán học này phản ánh chất vật lý của , với kết các transistor loại có các giá trị  khác lớn Các nguyên nhân của tượng này trình bày sau,  gọi là hệ số khuếch đại dòng điện bazơ chung Cuối cùng, nên lưu ý vì hệ số khuếch đại   tiêu biểu cho hoạt động của BJT chế độ tí ch cực (ngược lại chế độ tí ch cực ngược , ta thảo luận sau), Chúng thường kí hiệu là  F  F Ta sử dụng   F thay thế cho và   F tương tự Hình 5.5 Các mơ hình mạch điện tương đương tín hiệu lớn của transistor npn hoạt đợng chế đợ tích cực tḥn Các mơ hình mạch điện tóm tắt tƣơng đƣơng Ta trình bày một kiểu mô hình của transistor npn hoạt động chế độ tí ch cực (hay chế độ phân cực thuận ) Nói chung, điện áp phân cực thuận vBE tạo mợt dịng điện iC quan hệ theo hàm số mũ chảy vào cực góp Dịng điện cực góp iC khơng phụ tḥc vào giá trị của điện áp cực góp miễn là lớp tiếp giáp góp-gốc trì phân cực ngược ; nghĩa là, vCB  Do chế đợ tí ch cực, cực góp coi là mợt nguồn dịng khơng đổi lý tưởng, giá trị của dòng điện xác định điện áp vBE Dòng điện cực gốc i B là mợt hệ số 1/  F của dịng điện cực góp , dịng điện cực phát tổng của các dịng điện cực góp và dịng điện cực gốc Vì dịng i B nhỏ nhiều so với dòng iC (nghĩa là  ≫ 1), iE  iC Chính xác hơn, dịng điện cực góp là mợt tỉ số  F của dịng điện cực phát, với  F nhỏ rất gần một Mô hình kiểu này của transistor hoạt động chế đợ tí ch cực tḥn trình bày mạch điện tương đương Hình 5.5(a) Ở điốt DE có mợt dịng tỷ lệ I SE I S /  F và vậy cấp mợt dịng điện i E phụ tḥc vào vBE theo phương trình (5.18) Dòng của nguồn điều khiển, với dịng cực góp điều khiển vBE theo quan hệ hàm mũ , theo phương trình (5.3) Mơ hình này về chất là mợt nguồn dịng điều khiển bằng điện áp phi tuyến Nó chuyển đổi thành mơ hình nguồn dịng điều khiển bằng dòng điện Hình 5.5(b) cách biểu diễn dòng của nguồn điều khiển là  F iE Chú ý mô hình này khơng tún tính vì mối quan hệ theo hàm số mũ của dòng điện i E qua điốt DE và điện áp vBE Từ mô hình này thấy nếu transistor sử dụng là mạng điện hai cửa với ngõ vào E và B và ngõ C B (nghĩa là với B l à cực chung), thì hệ số khuếch đại dòng điện quan sát  F Vậy  F gọi là hệ số khuếch đại dòng điện bazơ chung 5.1.3 Cấu trúc của các transistor thực tế Hình 5.6 chỉ mợt mặt cắt thực (nhưng vẫn đơn giản ) của một transistor lưỡng cực npn Chú ý cực góp thực tế bao quanh vùng cực phát, làm cản trở các electron chạy vào cực gốc mỏng để thoát khỏi bị thu thập Bằng cách này, kết là  F gần một, và  F lớn Ngoài quan sát thấy linh kiện này không đối xứng Để biết thêm chi tiết về cấu trúc vật lý của các linh kiện thực tế, người đọc tham khảo phụ lục A Một thực tế là cấu trúc của transistor không đối xứng , nghĩa là nếu cực phát và cực góp đổi chỗ cho và transistor hoạt động chế độ tí ch cực ngược , kết là các giá trị của   , kí hiệu là  R  R , khác các giá trị chế độ tí ch cực thuận  F  F Hơn nữa, vì cấu trúc tối ưu cho hoạt động chế độ tí ch cực thuận ,  R  R thấp nhiều với chế độ phân cực thuận của chúng Tất nhiên,  R  R quan hệ các phương trình giống hệt với quan hệ  F  F Thông thường,  R nằm khoảng từ 0.01 đến 0.5, và khoảng tương ứng của  R là từ 0.01 đến Cấu trúc Hình 5.6 chỉ CBJ có diện tích lớn nhiều EBJ Theo nếu transistor hoạt đợng chế đợ tí ch cực ngược ( nghĩa là CBJ phân cực thuận và EBJ phân cực ngược) và hoạt động mô hì nh hóa theo kiểu Hình 5.5(b), ta có mô hình thể Hình 5.7 Ở điốt DC biểu diễn lớp tiếp giáp góp-gốc và có mợt dòng tỷ lệ I SC lớn nhiều so với dòng tỷ lệ I SE của điốt DE Tất nhiên hai dịng điện I SC I SE có ... thiết: I iE   S F  vBE / VT  e   I S e vBC / VT       (5.26) I  iC  I S evBE / VT    S  evBC / VT   R      (5.27) I  I  iB   S  evBE / VT    S  evBC... e vBE / VT iB  iC I   S    vBE / VT e  iE  iC I  S    vBE / VT e  Chú ? ?: V? ??i transistor pnp, thay vBE vEB iC  iE iB  (1   )iE  iC  iB iE  (  1)iB   1 VT... bao gồm v? ?ng bán dẫn: v? ?ng phát (loại n), v? ?ng gốc (loại p) và v? ?ng góp (loại n) Mợt transistor v? ?̣y gọi là transistor npn Một transistor khác được chỉ hình 5.2 có mợt v? ?ng phát