Ảnh hƣởng của thế điện phân làm giàu (Edep)

Một phần của tài liệu Nghiên cứu phương pháp von ampe hòa tan với điện cực paste nanocacbon biến tính bằng oxit bitmut để xác định hàm lượng vết cadimi (cd), indi (in) và chì (pb) (Trang 65)

Trong phƣơng pháp Von-Ampe hòa tan, cần khảo sát thế điện phân làm giàu thích hợp để đảm bảo kết tủa đƣợc các ion cần phân tích đƣợc tích lũy lên bề mặt điện cực và hạn chế tối đa các ion khác ảnh hƣởng đến tín hiệu ghi đo xác định ion phân tích.

Trong phƣơng pháp ASV, cần chọn thế điện phân Ep âm hơn thế bán sóng E1/2

của các chất cần xác định để có thể kết tủa điện hóa làm giàu định lƣợng chất phân tích lên bề mặt điện cực làm việc. Mặt khác, vì Ep của Cd, In, Pb trong môi trƣờng đệm axetat và KBr là Ep (Pb) = -0,499 V; Ep (In) = -0,672 V; Ep (Cd) = -0,821 V (theo 3.2.2) nên chúng tôi khảo sát ảnh hƣởng của thế điện phân làm giàu từ -0,9V tới -1,4V. Các điều kiện thí nghiệm bao gồm: [Cd2+] = 1,78.10-8 M, [In3+] = 6,96.10-

8 M, [Pb2+] = 0,97.10-8 M; các ĐKTN khác nhƣ ở bảng 3.2.

Ghi đo dòng Von-Ampe hòa tan xung vi phân, các kết quả thể hiện ở bảng 3.8, hình 3.21, 3.22.

Bảng 3.8. Ảnh hƣởng của thế điện phân làm giàu đến Ip của Cd2+, In3+ và Pb2+ Edep (V) -0,9 -1,0 -1,1 -1,2 -1,3 -1,4 Ip(μA) Cd2+ 0,35 0,58 0,89 1,38 1,82 2,34 In3+ - 0,14 0,38 0,62 0,85 1,14

Hình 3.21. Đƣờng DP-ASV của Cd2+, In3+ và Pb2+ ở các thế điện phân làm giàu khác nhau

Hình 3.22. Ảnh hƣởng của thế điện phân

làm giàu đến Ip của Cd2+, In3+ và Pb2+ ĐKTN: [Cd2+] = 1,78.10-8 M, [In3+] = 6,96.10-8 M, [Pb2+] = 0,97.10-8 M trong nền đệm axetat 0,1M,

pH = 4,5 và KBr 0,1M; thế điện phân làm giàu thay đổi, các ĐKTN khác nhƣ đƣợc ghi ở bảng 3.2. Kết quả nghiên cứu ảnh hƣởng của thế điện phân làm giàu (Edep) đến Ip cho thấy khi tăng thế điện phân làm giàu từ -0,9 V đến -1,4 V thì dòng đỉnh hòa tan của Pb, Cd và In thay đổi đáng kể. Tuy nhiên, khi điện phân làm giàu ở thế từ -0,9 V đến -1,1 V, đỉnh pic thấp. Khi điện phân làm giàu ở thế -1,3 V, -1,4 V, chân pic của Pb và In, Cd và In dâng lên, pic không cân đối, chân pic dâng lên làm pic của Pb2+ giảm dần; đồng thời nếu điện phân ở các thế này có thể có các ion kim loại khác (nhƣ Zn2+, Co3+, Ni2+,…) cũng bị khử trên bề mặt điện cực làm việc làm ảnh hƣởng đến độ chính xác của phép đo. Tại thế điện phân -1,2 V, pic của Cd, In và Pb đều cao và cân đối nên chúng tôi chọn Edep = -1,2 V cho những nghiên cứu tiếp theo.

Một phần của tài liệu Nghiên cứu phương pháp von ampe hòa tan với điện cực paste nanocacbon biến tính bằng oxit bitmut để xác định hàm lượng vết cadimi (cd), indi (in) và chì (pb) (Trang 65)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(129 trang)