+ Để khử sự ảnh h−ởng của sự chênh lệch nhiệt độ giữa dây sấy và khí nạp ∆T tới nhiêt l−ợng toả ra bởi dây sấy,ng−ời ta sẽ điều chỉnh cho giá trị này cố định( ở khoảng 1500C).
Hình 5.56 : ∆T cố định
+ Mặt khác,dây sấy Rh cĩ dịng điện chạy qua sẽ sinh nhiệt,dịng điện càng lớn thì
nhiệt sinh càng nhiều.Đồng thời khi động cơ chạy,dịng khí nạp sẽ hấp thụ nhiệt do Rh sinh ra,làm giảm nhiệt độ Rh.Do đĩ bộ khuếch đại vi xử lý phải điều chỉnh transistor để
thay đổi dịng điện đi qua Rh cho đến khi ∆T cố định.
+ Để nhận biết sự thay đổi ∆T,bộ khuếch đại vi xử lý nhận biết sự chênh lệch điện áp
VA và VB khi giá trị điện trở của nhiệt điện trở Ra thay đổi,qua đĩ sẽ điều khiển
transistor để thay đổi điện áp cấp vào mạch cầu (dịng điện qua Rh sẽ thay đổi) cho đến khi mạch cân bằng.
+ Nh− vậy,khi khối l−ợng giĩ tăng,nhiệt độ của dây sấy Rh giảm,để đ−a mạch cầu về vị trí cân bằng,bộ khuếch đại vi xử lý phải điều khiển tăng điện áp cấp vào mạch
cầu.Khi đĩ điện áp VB cũng tăng.IC sẽ nhận biết sự thay đổi VB để tính tốn ra l−u l−ợng
khí nạp.
* Cảm biến áp suất đ−ờng ống nạp (Manifold Absolute Pressure sensor - MAP sensor hay cảm biến chân khơng - vacuum sensor ) :
- Loại cảm biến này dựa trên nguyên lý cầu Wheatstone.
- Cảm biến gồm một tấm silicon nhỏ (hay gọi là màng ngăn) dày hơn ở hai mép ngồi (khoảng 0.25mm) và mỏng hơn ở giữa (khoảng 0.025mm). Hai mép đ−ợc làm kín cùng với mặt trong của tấm silicon tạo thành buồng chân khơng trong cảm biến.Mặt ngồi
137 tấm silicon tiếp xúc với áp suất đ−ờng ống nạp.Hai mặt của tấm silicon đ−ợc phủ thạch anh để tạo thành điện trơ áp điện (piezoresistor-giá trị của một điện trở đ−ợc dán trên một màng thay đổi khi màng đ−ợc kéo căng)
Hình 5.57 : Cấu tạo cảm biến MAP
Khi áp suất đ−ờng ống nạp thay đổi,giá trị của điện trở áp điện sẽ thay đổi.Các điện trở áp điện đ−ợc nối thành cầu Wheatstone.Khi màng ngăn khơng bị biến dạng (t−ơng ứng với tr−ờng hợp động cơ ch−a hoạt động hoặc tải lớn), tất cả bốn điện trở áp điện đều cĩ giá trị bằng nhau va lúc đĩ mạch cầu cân bằng.Khi áp suất đ−ờng ống nạp
giảm,màng silicon bị biến dạng dẫn đến giá trị điện trở áp điện cũng bị thay đổi và làm mất cân bằng mạch cầu.Kết quả là giữa hai điểm giữa mạch cầu sẽ cĩ sự chênh lệch điện áp và tín hiệu này đ−ợc khuếch đại để điều khiển mở transistor ở ngõ ra của cảm biến,độ mở của transistor phụ thuộc vào áp suất đ−ờng ống nạp dẫn tới sự thay đổi điện áp giắc PIM báo về ECU.
Hình 5.58 : Sơ đồ nguyên lý và mạch điện
Hình 5.59 : Đặc tuyến ngõ ra của cảm biến MAP
* Cảm biến b−ớm ga loại cơng tắc ( Thottle Position Sensor – TPS) :
- Cấu tạo :
138 + cam dẫn h−ớng xoay theo cần
+ tiếp điểm di động di chuyển theo rãnh của cam dẫn h−ớng + tiếp điểm khơng tải IDL (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
+ tiếp điểm tồn tải PSW
Hình 5.60 : Cảm biến b−ớm ga loại cơng tắc
- Hoạt động :
+ ở chế độ khơng tải,khi cánh b−ớm ga đĩng (gĩc mở <50) thì tiếp điểm di động sẽ
tiếp xúc với tiếp điểm IDL và gửi tín hiệu điện thế thơng báo cho ECU biết động cơ đang hoạt động ở mức khơng tải.
+ tín hiệu này dùng để cắt nhiên liệu khi động cơ giảm tốc đột ngột.
+ ở chế độ tải lớn,khi cánh b−ớm ga mở khoảng 500 – 700 (tuỳ từng loại động cơ) so
với vị trí đĩng hồn tồn,tiếp điểm di động tiếp xúc với tiếp điểm tồn tải và gửi tín hiệu điện thế để báo cho ECU động cơ biết tình trạng tải lớn của động cơ.
Hình 5.61 : Mạch điện và giá trị điện áp tại các chân giắc t−ơng ứng với hai vị trí khơng tải và tồn tải của b−ớm ga
* Cảm biến b−ớm ga loại tuyến tính :
Hình 5.62 : Cấu tạo và mạch của cảm biến b−ớm ga loại tuyến tính
Loại này cĩ cấu tạo gồm hai con tr−ợt,ở đầu mỗi con tr−ợt đ−ợc thiết kế cĩ các tiếp điểm cho tín hiệu khơng tải IDL và tín hiệu gĩc mở b−ớm ga VTA.
Một điện áp khơng đổi 5V từ ECU cung cấp đến cực VC.Khi cánh b−ớm ga mở,con tr−ợt tr−ợt dọc theo điện trở và tạo ra điện áp tăng dần ở cực VTA t−ơng ứng với gĩc
139 mở b−ớm ga.Khi cánh b−ớm ga đĩng hồn tồn,tiếp điểm khơng tải nổi chân IDL với chân E2.
Hình 5.63 : Đặc tuyến ra
Chú ý : Một số loại khơng cĩ tiếp điểm khơng tải,mà cĩ thêm một tiếp điểm VTA2 với đặc tuyến ra nh− sau :
* Cảm biến b−ớm ga loại Hall :
- Cấu tạo :
+ gồm các IC Hall đ−ợc cấp nguồn qua chân VC và đầu ra VTA1 và VTA2
+ các nam châm vĩnh cửu đ−ợc gắn trên trục b−ớm ga,quay quanh các IC Hall.
Hình 5.64 : Cảm biến b−ớm ga loại Hall
- Hoạt động : khi b−ớm ga mở,trục b−ớm ga xoay kéo theo các nam châm xoay quanh IC Hall. Từ thơng của các nam châm xuyên qua các IC Hall thay đổi dẫn đến điện áp tại các đầu ra VTA1,VTA2 thay đổi theo gĩc mở b−ớm ga.