Tính chất quang của vật liệu

4.3. Các kết quả nghiên cứu và thảo luận

4.3.2. Tính chất quang của vật liệu

Hình 4.6 là phổ huỳnh quang của mẫu bột Ba2MgSi2O7:Eu3+ được thiêu kết ở nhiệt độ 1260 oC trong môi trường không khí với thời gian thiêu kết 3 giờ. Phổ được đo ở nhiệt độ phòng với nguồn kích thích đèn Xe bước sóng 370 nm.

Như có thể quan sát thấy trên hình 4.6, phổ PL của bột huỳnh quang Ba2MgSi2O7:Eu3+ được đặc trưng bởi hai dải phát xạ có sự khác biệt hết sức rõ nét: i) Dải phát xạ đỏ trong vùng bước sóng ~575-702 nm bao gồm các đỉnh phát xạ hẹp tại 575, 589, 613, 654 và 702 nm. Đây là các đỉnh phát xạ đặc trưng của ion Eu3+ trong mạng nền Ba2MgSi2O7 tương ứng với các chuyển rời phát xạ 5D0 →7Fj (j = 0, 1, 2, 3, 4). Trong đó đỉnh phát xạ tại 613 nm tương ứng với chuyển tiếp phát xạ 5D0 →7F2 có cường độ mạnh nhất; ii) Dải phát xạ rộng trong vùng bước sóng từ 400-560 nm có cường độ tương đương với dải phát xạ đỏ và cực đại phổ tại bước sóng ~497 nm (xanh lục). Trên cơ sở tham khảo các tài liệu đã công bố, chúng tôi cho rằng, dải phát xạ rộng vùng ánh sáng màu lục này là phát xạ của ion Eu2+ trong mạng nền Ba2MgSi2O7. Việc xuất hiện dải phát xạ của ion Eu2+

khi mẫu chưa được khử (để chuyển một phần hoặc toàn bộ Eu3+ thành ion Eu2+) cho thấy

trong quy trình chế tạo của chúng tôi, ngay trong quá trình thiêu kết mẫu ở nhiệt độ cao trong môi trường không khí, đã có một lượng nhất định ion Eu3+ bị khử chuyển thành ion Eu2+. Như vậy, việc thiêu kết mẫu ở nhiệt độ cao và trong một thời gian dài có thể chính là nguyên nhân dẫn tới quá trình khử ion Eu3+ thành ion Eu2+, như đã được thảo luận trong một nghiên cứu của M. Peng và các cộng sự [52]. Dải phát xạ màu lục của Eu2+ trong mạng nền Ba2MgSi2O7 này sẽ được chúng tôi thảo luận kỹ trong phần tiếp theo khi chủ động tiến hành khử ion Eu3+ thành ion Eu2+ trong mẫu. Một kết quả đáng quan tâm khác mà chúng tôi đã thu được ở đây là bột huỳnh quang Ba2MgSi2O7:Eu3+ chế tạo được cho phổ phát xạ rộng đồng thời, trong cả hai vùng màu đỏ và màu lục với cường độ tương đương khi kích thích bởi nguồn kích thích tử ngoại bước sóng 370 nm. Tính chất này có thể chính là một ưu điểm nổi trội của bột huỳnh quang Ba2MgSi2O7:Eu3+ cho ứng dụng trong chế tạo WLED trên cơ sở dùng nguồn kích UV LED.

Hình 4.6. Phổ huỳnh quang của mẫu bột Ba2MgSi2O7:Eu3+ được thiêu kết ở nhiệt độ 1260C trong môi trường không khí với thời gian thiêu kết 3 giờ khi kích thích với bước

sóng tử ngoại λex = 370 nm.

Tương tự như đã thực hiện đối với bột huỳnh quang Sr2MgSi2O7 pha tạp Eu trong chương 3, để chế tạo bột huỳnh quang Ba2MgSi2O7:Eu2+ chúng tôi đã tiến hành khử bột Ba2MgSi2O7:Eu3+ nhận được trong môi trường khí khử yếu (10%H2/90%N2) ở nhiệt độ 1100 oC trong thời gian 2 giờ. Hình 4.7 là phổ huỳnh quang của các mẫu bột huỳnh quang Ba2MgSi2O7 pha tạp Eu2+ thiêu kết tại các nhiệt độ 1150, 1200 và 1260 oC trong môi trường không khí trong 3 giờ, và khử trong môi trường khí khử (10%H290%N2) ở nhiệt độ 1100 oC trong cùng thời gian 2 giờ. Phép đo được thực hiện ở nhiệt độ phòng sử dụng bước sóng kích thích 370 nm của đèn Xe. Để so sánh các thông số của hệ đo được giữ

nguyên đối với cả ba mẫu. Có thể thấy mặc dù nhiệt độ thiêu kết các mẫu chênh lệch không nhiều, nhưng phổ huỳnh quang nhận được là hoàn toàn khác nhau. Phổ PL của mẫu thiêu kết ở 1150 oC chỉ bao gồm một đỉnh phát xạ duy nhất tại bước sóng 435 nm, trong khi phổ PL của mẫu thiêu kế ở 1200 oC bao gồm hai đỉnh tại ~435 và 500 nm, và phổ PL của mẫu thiêu kết ở 1260 oC chỉ có một đỉnh phát xạ rộng trong vùng xanh lục ~515 nm.

Hình 4.7. Phổ PL của các mẫu bột huỳnh quang Ba2MgSi2O7:Eu2+ được thiêu kết ở các nhiệt độ khác nhau 1150, 1200 và 1260C trong 3 giờ và cùng được khử ở nhiệt độ 1100

oC trong thời gian 2 giờ. Phổ được đo ở nhiệt độ phòng với nguồn kích thích đèn Xe bước sóng 370 nm.

Các dải phát xạ khác nhau như trên theo chúng tôi là do các chuyển dời phát xạ 4f65d1 → 4f7 của Eu2+ trong trường tinh thể của các mạng nền khác nhau. Kết quả phân tích phổ XRD hình 4.1 ở trên đã cho thấy ở nhiệt độ thiêu kết 1150 oC trong mẫu nhận đước có ba pha tinh thể là BaMgSiO4, Ba3MgSi2O8 và Ba2MgSi2O7 trong đó Ba3MgSi2O8

là pha có hàm lượng lớn nhất (căn cứ vào cường độ các đỉnh nhiễu xạ). Hàm lượng của pha này giảm dần trong khi hàm lượng của hai pha BaMgSiO4 và Ba2MgSi2O7 tăng lên khi nhiệt độ thiêu kết tăng lên 1200 oC. Ở nhiệt độ thiêu kết 1260 oC pha tinh thể trong mẫu là Ba2MgSi2O7. Căn cứ vào thành phần của mẫu ở các nhiệt độ khác nhau, chúng tôi có thể gắn các đỉnh phát xạ ~435, 500 và 515 nm tương ứng với phát xạ của io Eu2+ trong các mạng nền Ba3MgSi2O8, BaMgSiO4, và Ba2MgSi2O7.

Để hiểu rõ hơn về sự khác biệt của chuyển tiếp phát xạ của ion Eu2+ trong các mạng nền khác nhau, trước hết chúng ta xem xét sự tách mức năng lượng của trạng thái kích thích 5d. Sự tách mức năng lượng của trạng thái kích thích 5d phụ thuộc vào độ mạnh yếu của trường tinh thể xung quanh ion này hay nói một cách khác vị trí của ion Eu2+ trong

mạng tinh thể sẽ quyết định dạng phổ phát xạ. Như đã thảo luận ở trên, do có sự tương đồng về bán kính ion, khi pha tạp vào cá mạng nền BaMgSiO4, Ba3MgSi2O8 hay Ba2MgSi2O7, ion Eu2+ có nhiều khả năng thay vào các vị trí của ion Ba2+ trong các mạng nền này. Trong cấu trúc pha hecxagonal BaMgSiO4 và monoclinic Ba3MgSi2O8 đều có 3 vị trí của cation Ba2 +, Ba(I), Ba(II) và Ba(III). Ba vị trí của Ba2+ này khác nhau ở số phối trí với ion O2- xung quanh và khác nhau ở độ dài liên kết giữa Ba2+ - O2- đẫn đến trường tinh thể xung quanh Ba2+ ở ba vị trí này là khác nhau thể hiện trong bảng 4.1 và 4.2. Và như chúng tôi cũng đã thảo luận kỹ trong chương 1, trong cấu trúc pha Ba2MgSi2O7 thì Ba2+ chỉ có một vị trí duy nhất thể hiện trong bảng 4.3.

Bảng 4.2. Eu2+ thay thế vào các vị trí Ba2+ khác nhau trong cấu trúc hecxagonal BaMgSiO4 có thể cho các phát xạ khác nhau [52, 61].

Vị trí Ba trong BaMgSiO4 Số phối trí với Oxi (O)

Độ dài liên kết Ba-O

(Å)

Phát xạ của Eu2 + khi thay thế vào các vị trí khác

nhau của Ba Nghiên

cứu khác

Nghiên cứu của chúng tôi

Ba(I) 9- Ba(I) 2,89 500 nm 500 nm

Ba(II) 9- Ba(II) 2,94 500 nm 500 nm

Ba(III) 6- Ba(III) 2,74 398 nm

Bảng 4.3. Eu2+ thay thế vào các vị trí Ba2+ khác nhau trong cấu trúc monoclinic- P21/a Ba3MgSi2O8 có thể cho các phát xạ khác nhau [33].

Vị trí Ba trong Ba3MgSi2O8

Số phối trí với Oxi (O)

Độ dài liên kết Ba-O

(Å)

Phát xạ của Eu2 + khi thay thế vào các vị trí khác

nhau của Ba J. S. Kim

và cộng sự [33]

Nghiên cứu của chúng tôi Ba(I) (Vị trí chịu trường

tinh thể yếu vì độ dài liên kết Ba-O lớn)

12- Ba(I) 2,5 442 nm 435 nm (màu lam) Ba(II) (Vị trí chịu trường

tinh thể mạnh vì độ dài liên kết Ba-O nhỏ)

10- Ba(II) 1.05 505 nm 500 nm (màu lục) Ba(III) (Vị trí chịu trường

tinh thể mạnh vì độ dài liên kết Ba-O nhỏ)

10- Ba(III) 1 505 nm 500 nm

Bảng 4.4. Eu2 + thay thế vào vị trí duy nhất của Ba2+ trong cấu trúc monoclinic- C2/c Ba2MgSi2O7 cho phát xạ dải ánh sáng màu lục [50, 66].

Vị trí Ba trong Ba2MgSi2O7

Số phối trí với Oxi (O)

Độ dài liên kết Ba-O (Å)

Phát xạ của Eu2 + khi thay thế vào vị trí duy nhất của Ba J. Holsa và

cộng sự [66]

Nghiên cứu của chúng tôi

Ba 8- Ba 2,820 505 nm 515 nm (màu lục)

Ion Eu2+ thay vào các vị trí khác nhau này của Ba2+ sẽ chịu ảnh hưởng của trường tinh thể là khác nhau, khi Eu2+ vào vị trí chịu tác dụng của trường tinh thể mạnh làm tách mức năng lượng trạng thái 5d về phía vùng nằng lượng thấp, dẫn đến mép dưới của vùng năng lượng này hạ thấp xuống và làm giảm khoảng năng lượng giữa giữa mức 5d và 4f.

Khi chuyển tiếp phát xạ xảy 4f65d1 → 4f7 xảy ra tại vị trí này sẽ cho phát xạ bước sóng dài hơn. Còn khi Eu2+ vào vị trí chịu tác dụng của trường tinh thể yếu làm tách mức năng lượng trạng thái 5d về phía vùng nằng lượng cao, dẫn đến mép dưới của vùng năng lượng này được nâng cao và làm tằng khoảng năng lượng giữa giữa mức 5d và 4f. Khi chuyển tiếp phát xạ xảy 4f65d1 → 4f7 xảy ra tại vị trí này sẽ cho phát xạ bước sóng ngắn hơn.

Do đó đỉnh phát xạ tại 435 nm có thể là do quá trình chuyển dời phát xạ của Eu2+

thay thế vào vị trí Ba(I) có trường tinh thể yếu trong cấu trúc mạng Ba3MgSi2O8 [33] . Mặc dù có sự hiện diện của cấu trúc pha BaMgSiO4 với 3 vị trí của cation Ba2+, nhưng theo các nghiên cứu về sự phát quang của Eu2+ trong mạng nền BaMgSiO4 [52, 61] thì khi Eu2+

thay vào các vị trí Ba(I) và Ba(II) cho phát xạ 500 nm, thay vào vị trí Ba(III) cho phát xạ 398 nm. Trong các nghiên cứu này [52, 61], đỉnh phát xạ 398 nm rất yếu so với đỉnh phát xạ 500 nm, nó xuất hiện như một vai phát xạ. Mặt khác hàm lượng pha BaMgSiO4 trong nghiên cứu của chúng tôi là rất nhỏ so với pha Ba3MgSi2O8. Kết hợp hai yếu tố này chúng tôi cho rằng đỉnh phát xạ ánh sáng màu lam 435 nm trên là do sự dịch chuyển phát xạ của Eu2+ trong mạng nền Ba3MgSi2O8 hình thành khi mẫu chất thiêu kết ở nhiệt độ 1150 oC.

Khi nhiệt độ thiêu kết mẫu tăng tới 1200 oC, phổ huỳnh quang nhận được gồm 2 dải phát xạ ~435 và 500 nm. Dải phát xạ màu lục có bán độ rộng phổ rất lớn này có thể là do hỗn hợp của các phát xạ của Eu2+ trong cả hai mạng nền Ba2MgSi2O7 và Ba3MgSi2O8. Trong đó, trong mạng nền Ba3MgSi2O8 ion Eu2 + có thể chiếm các vị trí chịu ảnh hưởng mạnh của trường tinh thể mạnh là Ba(II), Ba(III)[33, 35, 37, 44, 79, 84]. Ngoài ra, phát xạ của ion Eu2+ tại các vị trí Ba(I), Ba(II) trong cấu trúc mạng nền BaMgSiO4 cũng có thể đóng góp vào dải phát xạ này [52, 61]. Tuy nhiên với hàm lượng nhỏ pha BaMgSiO4 trong mẫu khi thiêu kết ở nhiệt độ này, chúng tôi cho rằng sự đóng góp cho dải phát xạ vùng màu lục tại 500 nm này của dịch chuyển phát xạ của Eu2+ trong BaMgSiO4 là rất ít. Mô hình mô tả các quá trình dịch chuyển phát xạ của ion Eu2+ trong các mạng nền khác nhau

được mô tả trên hình 4.8. Dải phát xạ màu lục với cực đại phổ ~515 nm nhận được khi mẫu được thiêu kết ở nhiệt độ 1260 oC, do dó được giải thích là do dịch chuyển phát xạ của ion Eu2+ trong mạng tinh thể Ba2MgSi2O7-pha tinh thể trong mẫu khi thiêu kết ở nhiệt độ này. Ở đây, ion Eu2+ đã thay thế vào vị trí duy nhất của Ba2+ trong mạng nền Ba2MgSi2O7 (xem Bảng 4.3 và Hình 4.8). So sánh với phổ phát xạ đã công bố của vật liệu Ba2MgSi2O7:Eu2+, phổ phát xạ mà chúng tôi nhận được ở nhiệt độ thiêu kết 1260 oC với độ rộng bán phổ (FWHM)~75 nm và cực đại phát xạ tại ~515 nm là tương tự như kết quả mà J. Holsa và các công sự nhận được đối với mẫu Ba2MgSi2O7:Eu2+ [29, 66]. Theo các công bố của nhóm này thì vật liệu Ba2MgSi2O7:Eu2+ mà họ chế tạo được không hoàn toàn đơn pha với sự có mặt của một hàm lượng nhỏ các pha khác như Ba3MgSi2O8, BaMgSiO4 và SiO2 và các pha này được coi như các pha tạp chất trong mẫu. Sự khác biệt về vị trí đỉnh phát xạ 515 nm đối với mẫu của chúng tôi và 505 nm trong nghiên cứu của nhóm J. Holsa có thể liên quan đến độ tinh khiết và mức độ đơn pha của mẫu chế tạo được. Đây cũng là sự khác biệt giữa phổ phát xạ trong nghiên cứu của chúng tôi với hầu hết các công bố khác về bột huỳnh quang Ba2MgSi2O7:Eu2+ với cực đại phát xạ của dải phát xạ xanh lục tại

~505 nm [17, 36, 63, 76]. Lưu ý rằng, kết quả đo phổ XRD của mẫu thiêu kết tại 1260 oC trong nghiên cứu của chúng tôi, cho thấy mẫu nhận được gần như chỉ có pha duy nhất là Ba2MgSi2O7.

Hình 4.8. Sự phát xạ của Eu2+ khi thay thế vào các vị trí khác nhau trong mạng nền.

Hình 4.9. Phổ PLE tương ứng với các phát xạ 435, 500 và 515 nm của các mẫu bột huỳnh quang Ba2MgSi2O7:Eu2+ được thiêu kết ở các nhiệt độ 1150, 1200 và 1260  C trong thời

gian 3 giờ và cùng được khử ở nhiệt độ 1100 oC trong thời gian 2 giờ.

Để có thể đánh giá về khả năng ứng dụng của bột Ba2MgSi2O7:Eu2+ trong chế tạo điốt phát sáng trắng (WLED), chúng tôi đã tiến hành đo phổ kích thích huỳnh quang (PLE) của các mẫu được thiêu kết ở các nhiệt độ khác nhau. Hình 4.9 là phổ kích thích huỳnh quang của các mẫu bột Ba2MgSi2O7:Eu2+ thiêu kết ở nhiệt độ 1150 oC (đường màu xanh), 1200 oC (đường màu đỏ) và 1260 oC (đường màu đen) khi đo tương ứng với các đỉnh phát xạ 435, 500 và 515 nm. Có thể thấy phổ PLE nhận được của hai mẫu thiêu kết ở 1200 và 1260 oC có dạng phổ rộng bao phủ toàn bộ vùng bước sóng từ ~280-450 nm bao gồm ít nhất bốn đỉnh tại các bước sóng 288, 310, 360 và 405 nm. Trong khi phổ PLE của mẫu thiêu kết tại 1150 oC có độ rộng hẹp hơn và bao gồm hai vùng hấp thụ tách biệt rõ nét với các đỉnh hấp thụ tại các bước sóng ~278, 330 và 360 nm Dạng phổ kích của hai mẫu thiêu kết tại nhiệt độ 1200 và 1260 oC là hoàn toàn phù hợp với các kết quả nghiên cứu công bố trước đây về phổ kích kích của bột huỳnh quang Ba2MgSi2O7:Eu2+ [67, 76]. Sự khác biệt của phổ kích thích của mẫu thiêu kế ở 1150 oC và hai mẫu thiêu kết ở nhiệt độ cao hơn, một lần nữa cho thấy dải phát xạ ~435 nm và hai dải phát xạ màu lục 500 va 515 nm đến từ các chuyển dịch phát xạ của ion Eu2+ trong hai mạng nền khác nhau là Ba3MgSi2O8 và Ba2MgSi2O7. Hơn nữa, dạng phổ PLE rộng bao trùm vùng bước sóng 280-440 nm của bột huỳnh quang Ba2MgSi2O7:Eu2+, cho thấy bột huỳnh quang mà chúng tôi chế tạo được hấp thụ tốt các bước sóng kích thích trong vùng tử ngoại, do đó hoàn toàn có thể sử dụng trong chế tạo WLED sử dụng nguồn kích là UV-LED (thậm trí có thể cả blue LED).

Hình 4.10. Phổ PL của các mẫu bột Ba2MgSi2O7:Eu2+ với các nồng độ pha tạp Eu2+ khác nhau được thiêu kết 3 giờ ở nhiệt độ 1260 oC trong không khí và sau đó thiêu kết 2 giờ ở nhiệt độ 1100 oC trong môi trường khí khử yếu (10%H290%N2)với bước sóng kích thích

λex = 370 nm. Hình chèn là cường độ phát xạ chuẩn hóa của các mẫu trên.

Hình 4.10 là phổ phát xạ của các mẫu bột huỳnh quang Ba2MgSi2O7:yEu2+ với nồng độ pha tạp khác nhau (y = 0,02; 0,04; 0,05; 0,06 và 0,07 %). Có thể thấy cường độ của đỉnh phát xạ màu lục (515 nm) tăng khi nồng độ Eu2+ pha tạp tăng và đạt cực đại tại nồng độ pha tạp 5 % mol. Tiếp tục tăng nồng độ Eu2+ pha tạp cao hơn giá trị này sẽ dẫn tới làm giảm cường độ phát xạ của đỉnh 515 nm. Sự tăng cường độ phát xạ khi tăng nồng độ Eu2+ pha tạp được giải thích là do sự tăng nồng độ các tâm phát quang. Tuy nhiên, khi nồng độ các ion Eu2+ cao đến một giá trị tới hạn, các ion này ở gần nhau đến mức các tương tác lưỡng cực điện – lưỡng cực điện hoặc lưỡng cực điện – tứ cực điện trở nên đáng kể, điều này dẫn tới khả năng truyền năng lượng giữa các ion tạp chất với nhau thông qua các kênh truyền năng lượng không bức xạ, và hệ quả là làm giảm hiệu suất phát quang hay làm giảm cường độ phát quang ở các mẫu có nồng độ pha tạp cao. Giá trị nồng độ Eu2+ pha tạp tối ưu 5 % mol mà chúng tôi nhận được trong nghiên cứu này là phù hợp với các kết quả nghiên cứu đã công bố trước đây về vật liệu này [63, 76].

Theo dữ liệu quang phổ thưc nghiệm thì khoảng cách hiệu dụng (RC) của tương tác trao đổi giữa các ion Eu2+ là vào khoảng cỡ 5 Å và của tương tác lưỡng cực điện giữa các ion Eu2+ là 20 Å , trong khi đó khoảng cách hiệu dụng này được tính theo công thức

3 1

4

2 3 









 

N x R V

C

C  ( trong đó N = 4 là số cation trong một ô cơ sở mạng nền, V = 760,34 Å là thể tích ô cơ sở mạng nền, xc = 0,05 (5 %mol Eu2+) là nồng độ tới hạn) có giá trị cỡ 19,37 Å. Với khoảng cách này thì giữa các ion Eu2+ tương tác trao đổi được nhận địnhlà

không thể xảy ra tức là cơ chế của tương tác trao đổi không có vai trò trong trong sự truyền năng lượng giữa các ion Eu2+ trong Ba2MgSi2O7. Mà chỉ có khả năng xảy ra tương tác lưỡng cực điện – lượng cực điện [63]. Ngoài ra, chúng tôi cũng không quan sát thấy các bằng chứng cho cơ chế tái hấp thụ phát xạ xảy ra trong mẫu, do sự tái hấp thụ phát xạ chỉ có thể xảy ra khi trên phổ phát xạ huỳnh quang của vật liệu có sự chồng chéo của một dải phát xạ rộng. Hơn nữa, kết quả đo phổ phát xạ của các mẫu với nồng độ tạp khác nhau và kết quả chuẩn hóa cường độ phát xạ của các mẫu (hình chèn trong hình 4.10) cho thấy ngoài sự thay đổi về cường độ thì hình dạng phổ nhận được hầu như không thay đổi, và cũng không xuất hiện sự mở rộng phổ khi nồng độ tăng. Từ các phân tích ở trên, chúng tôi cho rằng có thể loại bỏ ảnh hương của tương tác trao đổi giữa các Eu2+ và tái hấp thụ phát xạ của Eu2+, trong sự suy giảm cường độ huỳnh quang do nồng độ. Sự suy giảm cường độ huỳnh quang khi nồng độ Eu2+ đưa vào mạng nền Ba2MgSi2O7 lớn hơn giá trị tới hạn (5%

mol) trong nghiên cứu của chúng tôi, do đó là do sự tương tác lưỡng cực điện- lưỡng cực điện giữa các ion Eu2+.

Hình 4.11. Sự phụ thuộc cường độ huỳnh quang vào bước sóng kích thích của mẫu bột Ba2MgSi2O7:Eu2+ được thiêu kết trong không khí 3 giờ ở nhiệt độ 1260 oC và sau đó thiêu

kết trong môi trường khí khử yếu 2 giờ ở 1100 °C.

Sự phụ thuộc của cường độ phát xạ của bột huỳnh quang Ba2MgSi2O7:Eu2+ vào bước sóng kích thích từ 260 đến 420 nm được thể hiện trên hình 4.11. Kết quả nhận được cho thấy, khi thay đổi bước sóng kích thích trong toàn bộ vùng khảo sát, chúng tôi không quan sát thấy đỉnh phát xạ đỏ của Eu3+ trong phổ phát xạ nhận được, điều này rõ ràng là một bằng chứng tin cậy cho thấy trong quy trình chế tạo mẫu của chúng tôi, sau khi khử mẫu ở nhiệt độ 1100 oC trong 2 giờ, ion Eu3+ trong mạng nền đã bị khử hoàn toàn chuyển thành Eu2+. Bột huỳnh quang nhận được cho cường độ phát xạ cao nhất khi được kích