Thiết bị nghiên cứu điện hóa:
Các phép đo điện hóa được thực hiện trên thiết bị điện hóa đa năng CPAiocHH5B điều khiển bằng máy tính (Hình 2.1). Thiết bị được chế tạo tại Phòng Ứng dụng Tin học trong Nghiên cứu Hóa học – Viện Hóa học – Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam.
Hình 2.1. Hệ thống thiết bị phân tích điện hóa đa năng CPAiocHH5B Hệ điện cực sử dụng cho các phép đo điện hóa gồm ba điện cực:
Điện cực làm việc (WE): các loại điện cực chế tạo được.
Điện cực so sánh (RE): điện cực Ag/AgCl/KCl bão hòa.
Điện cực đối (CE): điện cực Pt.
Thiết bị chụp ảnh hiển vi điện tử quét (SEM) S-4800 (Hitachi, Nhật Bản) với chùm điện tử sơ cấp được gia tốc bằng điện thế từ 1520 kV được sử dụng để quan sát cấu trúc bề mặt các điện cực platin nano chế tạo được với độ phóng đại lớn.
Thiết bị JSM-6510LV (JEOL Ltd, Nhật bản) được sử dụng để nghiên cứu sự có mặt và tỷ lệ của nguyên tố có mặt trên bề mặt điện cực.
Thiết bị D8 ADVANCE – Bruker, CuKα (λ=1,54060nm) được sử dụng để tìm ra sự giống nhau cả về vị trí lẫn tỷ lệ cường độ của chất nghiên cứu và chất chuẩn đã biết.
Thiết bị hiển vi lực nguyên tử (AFM) Solver PRO Scanning Probe Microscope (NT – MDT, Nga) được sử dụng để xác định cấu trúc bề mặt điện cực.
GC (BAS Ltd, Nhật bản)
Cân phân tích AB204-S (± 0,1 mg) (Mettler Toledo, Thụy Sỹ)
Máy đo pH, Metrohm, Thụy Sĩ
Máy cất nước 2 lần Aquatron (Bibbly Sterilin, Anh)
Máy khuấy từ IKA RCT basic, tốc độ khuấy từ 01200 vòng/phút
Bộ phá mẫu UV 909 UV DIGESTER, Metrohm, Thụy Sỹ
Bể siêu âm Ultrasonicsteri-Cleaner (ISO-9001/ISO13485)
Micropipet các loại: 10 – 100 μL; 100 – 1000 μL.
Các dụng cụ như buret, pipet, bình định mức, cốc... đều được làm bằng thủy tinh, thạch anh, Teflon.
Tất cả các dụng cụ chai thủy tinh, chai nhựa PET đựng hóa chất đều được rửa sạch trước khi dùng bằng cách: ngâm qua đêm trong dung dịch HNO3 2 M, sau đó rửa lại bằng nước cất 2 lần.
Một số dụng cụ khác.
2.2. Hóa chất
CH3COONa, CH3COOH, H2PtCl6.6H2O, H2SO4, K3[Fe(CN)6], NaOH, K4[Fe(CN)6], HNO3, K2HPO4, KH2PO4, H3PO4, H3BO3, KCl, HCl, CTAB (cetyl trimethyl amoni bromit), TritonX-100.
Các hóa chất có độ tinh khiết cao từ hãng Merck (Đức), Sigma (Mỹ) được sử dụng để pha thành các dung dịch có nồng độ xác định trong từng nghiên cứu cụ thể.
Các dung dịch làm việc của các kim loại: Pb2+, Cd2+, Zn2+, Cu2+, Fe3+... được pha chế từ dung dịch chuẩn sử dụng cho AAS có nồng độ 1000 ppm ±1. Các dung dịch chuẩn làm việc được dùng trong vòng một tuần và được bảo quản ở 4 oC.
Etanol tuyệt đối, axeton 99,5%.
Nước cất dùng để pha chế hóa chất và tráng rửa dụng cụ là nước cất 2 lần đã được lọc qua thiết bị lọc nước siêu sạch.
2.3. Chế tạo điện cực
Glassy cacbon (GC) được lựa chọn làm điện cực nền cho việc tạo lớp nano platin. Đầu tiên, điện cực GC có đường kính 3,0 mm được xử lý bằng cách đánh bóng bề mặt bằng giấy nhám siêu mịn, rửa sạch bằng nước cất trong bể siêu âm.
Sau đó, điện cực được làm sạch điện hóa bằng cách áp thế E = -1,0 V (với Ag/AgCl) trong dung dịch axit H2SO4 0,5 M với thời gian 200 s.
Lớp nano platin dạng hạt được kết tủa lên bề mặt GC từ dung dịch H2PtCl6 có nồng độ 1mM pha trong H2SO4 0,1 M bằng phương pháp thế tĩnh – potentiostatic, sử dụng hệ 3 điện cực RE, CE, WE: GC, một điện thế cố định được áp vào hệ trong thời gian nhất định.
Ảnh hưởng của thế và thời gian áp thế điện phân đến bề mặt điện cực được khảo sát. Quy trình chế tạo điện cực được mô phỏng như hình 2.2.
Hình 2.2. Mô phỏng quy trình chế tạo điện cực PtNFs/GC
Thế điện phân tạo kết tủa Pt được khảo sát: -0,5 V; -0,3 V; -0,2 V; 0,0 V; 0,2 V với tPt = 150 s có khuấy dung dịch.
Thời gian điện phân tạo kết tủa Pt được khảo sát 50 s; 100; 150 s; 200 s; 300 s với EPt = -0,2 V có khuấy dung dịch.
Sự khuấy và không khuấy dung dịch: EPt= -0,2 V; tPt= 150 s.
Diện tích hoạt động điện hóa (Ahd) của điện cực tính được dựa vào phương trình Randles- Sevcik. Giá trị dòng píc (Ip) đo được trên đường Von-Ampe:
p
hd 5 3/2 1/2 1/2
A = I
2,69.10 .n .D .C.V 2.4. Các phép đo điện hóa
Các phép đo điện hóa được sử dụng để nghiên cứu các hoạt tính điện hóa cũng như khả năng phân tích của các điện cực đã chế tạo.
2.4.1. Khảo sát tính chất điện hóa của các điện cực Pt/GC bằng phương pháp Von – Ampe quét thế vòng (CV)
Tính chất điện hóa của các điện cực đã chế tạo được nghiên cứu bằng phương pháp Von – Ampe quét thế vòng (CV)
2.4.1.1. Khảo sát độ ổn định của tín hiệu điện hóa trên điện cực platin nano đã chế tạo
Sự hình thành lớp nano platin trên điện cực nền GC cũng như khả năng làm việc điện hóa (độ ổn định bề mặt, sự nhiễm bẩn bề mặt) của các điện cực platin đã chế tạo được nghiên cứu bằng phương pháp Von – Ampe quét thế vòng trong dung dịch H2SO4 0,5 M [65, 96 – 97].
Các thông số đo cụ thể như sau: thế đầu (U1) bằng -0,2 V, thế cuối (U2) bằng 1,6 V.
Tốc độ quét thế là 0,1 V/s.
2.4.1.2. Khảo sát tính chất khuếch tán và độ thuận nghịch của phản ứng điện hóa trên các điện cực đã chế tạo
Tính chất khuếch tán và khả năng làm việc thuận nghịch của các điện cực được nghiên cứu trên hệ điện hóa đơn giản của cặp oxi hóa – khử Fe3+/Fe2+. Dung dịch điện li sử dụng trong nghiên cứu này là dung dịch K3[Fe(CN)6] 0,5 mM pha trong đệm photphat (PBS) 0,2 M, pH = 7.
Các thông số đo cụ thể như sau: thế đầu (U1) bằng 0,7 V, thế cuối (U2) bằng -0,2 V.
Tốc độ quét thế là 0,1 V/s.
2.4.2. Khảo sát khả năng phân tích Cd, Pb trên điện cực Pt/GC bằng phương pháp Von-Ampe hòa tan
Phương pháp điện hóa phân tích Cd, Pb được sử dụng trong luận án là phương pháp Von-Ampe hòa tan anot xung vi phân (Differential pulse anodic stripping voltammetry – DPASV).
Quá trình làm giàu bằng kết tủa điện hóa sau đó quét hòa tan được thực hiện ngay trong dung dịch chứa ion Cd, Pb (phương pháp Von-Ampe hòa tan anot xung vi phân – DPASV) với các điều kiện đo như sau:
Dung dịch điện li được khảo sát trong các dung dịch sau: dung dịch đệm axetat 0,1M pH = 4, dung dịch KCl 0,1M trong HCl pH = 4, dung dịch đệm Britton- Robinson pH = 4 và dung dịch đệm photphat 0,1 M pH = 4.
Thế điện phân kết tủa làm giàu được khảo sát trong khoảng giá trị từ -0,9 V đến -1,4 V
Thời gian điện phân làm giàu được khảo sát từ 60 s đến 300 s
Biên độ xung được khảo sát từ 10 mV đến 100 mV
Bước nhảy thế được khảo sát từ 1 mV đến 15 mV
Khoảng quét thế: được lựa chọn trên cơ sở vị trí xuất hiện píc của Cd, Pb
Có khuấy dung dịch trong giai đoạn làm giàu
Làm sạch bề mặt điện cực sau mỗi phép đo, giữ ở thế +0,2 V (Eclean) trong thời gian 30 s (tclean) để hoà tan hoàn toàn lượng vết Cd, Pb còn lại trên bề mặt điện cực.
Đường Von – Ampe thu được xuất hiện píc tương ứng với cadimi và chì, với chiều cao píc tỉ lệ thuận với nồng độ trong dung dịch của các kim loại tương ứng.
Thế đỉnh píc - Ep và chiều cao píc - Ip từ các đường Von-Ampe hoà tan thu được được xác định để đánh giá khả năng phân tích của các điện cực chế tạo được.
Sơ đồ tóm tắt quá trình chế tạo, đặc trưng bề mặt điện cực Pt/GC; khảo sát tính chất điện hóa và khả năng ứng dụng phân tích một số kim loại nặng của điện cực được trình bày trên hình 2.3.
Hình 2.3. Mô phỏng quy trình chế tạo, đặc trưng bề mặt điện cực Pt/GC; khảo sát tính chất điện hóa và khả năng ứng dụng phân tích một số kim loại nặng 2.5. Các phương pháp đặc trưng bề mặt điện cực chế tạo được: SEM, EDX, XRD, AFM
Phương pháp hiển vi điện tử quét (SEM) được sử dụng để nghiên cứu hình thái bề mặt điện cực được chế tạo ở các điều kiện EPt, tPt khác nhau, có và không có sự khuấy trộn dung dịch.
Mẫu được đo tại Viện Vật liệu, Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam.
Phương pháp phổ tán xạ năng lượng tia X (EDX) được sử dụng để nghiên cứu sự có mặt và tỷ lệ của nguyên tố có mặt trên bề mặt điện cực.
Mẫu được đo tại Viện Kỹ thuật Nhiệt Đới, Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam
Phương pháp nhiễu xạ tia X (XRD) được sử dụng để tìm ra trên giản đồ đó sự giống nhau cả về vị trí lẫn tỷ lệ cường độ của chất nghiên cứu và chất chuẩn đã biết.
Mẫu được đo tại khoa Hóa học, trường Đại học Khoa học Tự nhiên – Đại học Quốc gia Hà Nội.
Phương pháp hiển vi lực nguyên tử (AFM) được sử dụng để xác định cấu trúc bề mặt điện cực.
Mẫu được đo tại phòng thí nghiệm trọng điểm công nghệ micro và nano, Đại học Quốc gia Hà Nội.
2.6. Mô hình hóa thực nghiệm nghiên cứu ảnh hưởng đồng thời của pH, tdep, Edep và Ustep đến cường độ dòng đỉnh hòa tan (Ip) của Cd, Pb
Thiết kế thực nghiệm
Phần mềm thống kê Modde 12.1 (Umetric, Sweden) được sử dụng để thiết kế ma trận thực nghiệm, phân tích thống kê và mô hình hóa hàm mục tiêu. Phương pháp mặt mục tiêu (RSM) dựa trên mô hình hóa thực nghiệm bậc hai tâm xoay đầy đủ với các thực nghiệm ở tâm và những thực nghiệm ở điểm sao (*) được sử dụng để nghiên cứu sự ảnh hưởng đồng thời của các yếu tố đến cường độ dòng đỉnh hòa tan (Ip) của Cd, Pb.
Dựa vào các thí nghiệm thăm dò, chúng tôi nhận thấy có 4 yếu tố chính ảnh hưởng đến tín hiệu điện hóa (Ip) của Cd, Pb đó là pH, thế điện phân làm giàu (Edep), thời gian điện phân làm giàu (tdep), bước nhảy thế (Ustep). Để tối ưu hóa Ip của Cd, Pb, đồng thời chỉ ra sự ảnh hưởng và tương tác với nhau của các yếu tố đến quá trình phân tích, phương pháp đáp ứng bề mặt được sử dụng với thiết kế ma trận thực nghiệm bậc 2 tâm xoay 4 yếu tố và 5 mức thí nghiệm (bảng 2.1). Số thí nghiệm thiết kế là 31 (trong đó mức gốc là 24, 8 thí nghiệm điểm * và 7 thí nghiệm tại tâm phương án). Các thí nghiệm phải được tiến hành một cách ngẫu nhiên theo các giá trị mã hóa. Để tránh sai số hệ thống, mỗi thí nghiệm được lặp lại 2 lần và tiến hành một cách ngẫu nhiên theo Box – Behnken [98]. Các thí nghiệm cùng với các biến đã mã hóa và giá trị thực được chỉ ra ở bảng 2.2.
Các biến pH, tdep, Edep, Ustep được mã hóa thành x1, x2, x3, x4, giữa biến độc lập và biến mã hóa liên hệ với nhau bởi công thức:
Biến mã hóa = x-x0
λ (2.1) Trong đó, x0 là giá trị thực ở mức tâm và λ là bước nhảy của biến.
Mối quan hệ giữa hàm mục tiêu Y và các biến (x1, x2, x3 và x4) được thể hiện bằng phương trình (2.2):
Y = b0 + bi∑xi + bii∑x2i + bij∑xix j (2.2)
Trong đó: b0 là hằng số; bi, bij và bii lần lượt là hệ số tuyến tính và tương tác bậc 2.
Bảng 2.1. Mức thí nghiệm của các biến
Biến Mức thí nghiệm
Mức sao (-)
Mức thấp
Mức tâm
Mức cao
Mức sao (+)
x1 pH 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5
x2 Thời gian điện phân (s) 60 90 120 150 180 x3 Thế điện phân làm giàu (V) -1,3 -1,2 -1,1 -1,0 -0,9
x4 Bước nhảy thế (mV) 4 6 8 10 12
Bảng 2.2. Ma trận thiết kế thực nghiệm TT Thứ
tự TN
Các biến mã hóa Các biến độc lập
x1 x2 x3 x4 pH tdep (s) Edep (V) Ustep (mV)
1 14 -1 -1 -1 -1 4 90 -1,2 6
2 9 1 -1 -1 -1 5 90 -1,2 6
3 21 -1 1 -1 -1 4 150 -1,2 6
4 29 1 1 -1 -1 5 150 -1,2 6
5 3 -1 -1 1 -1 4 90 -1 6
6 18 1 -1 1 -1 5 90 -1 6
7 16 -1 1 1 -1 4 150 -1 6
8 23 1 1 1 -1 5 150 -1 6
9 10 -1 -1 -1 1 4 90 -1,2 10
10 17 1 -1 -1 1 5 90 -1,2 10
11 1 -1 1 -1 1 4 150 -1,2 10
12 13 1 1 -1 1 5 150 -1,2 10
13 22 -1 -1 1 1 4 90 -1 10
14 15 1 -1 1 1 5 90 -1 10
15 31 -1 1 1 1 4 150 -1 10
16 8 1 1 1 1 5 150 -1 10
17 2 -2 0 0 0 3,5 120 -1,1 8
18 20 2 0 0 0 5,5 120 -1,1 8
19 25 0 -2 0 0 4,5 60 -1,1 8
20 27 0 2 0 0 4,5 180 -1,1 8
21 28 0 0 -2 0 4,5 120 -1,3 8
22 30 0 0 2 0 4,5 120 -0,9 8
23 11 0 0 0 -2 4,5 120 -1,1 4
24 4 0 0 0 2 4,5 120 -1,1 12
25 7 0 0 0 0 4,5 120 -1,1 8
26 26 0 0 0 0 4,5 120 -1,1 8
27 24 0 0 0 0 4,5 120 -1,1 8
28 6 0 0 0 0 4,5 120 -1,1 8
29 5 0 0 0 0 4,5 120 -1,1 8
30 12 0 0 0 0 4,5 120 -1,1 8
31 19 0 0 0 0 4,5 120 -1,1 8
Thí nghiệm đo cường độ dòng đỉnh hòa tan (Ip) của Cd, Pb trên điện cực PtNFs/GC bằng phương pháp Von-Ampe hòa tan
Tiến hành ghi đo đường DPASV của dung dịch chứa [Cd2+, Pb2+] = 10 ppb trong nền đệm axetat 0,1 M; biên độ xung 60 mV, bề rộng xung 40 ms; thời gian mỗi bước thế 0,03 s, khoảng quét thế từ -1,0 V đến -0,2 V trên điện cực PtNFs/GC được chế tạo ở điều kiện tối ưu như chỉ ra ở các nghiên cứu trên.
2.7. Đánh giá độ tin cậy của phương pháp và xử lý số liệu thực nghiệm
Độ tin cậy của phương pháp được đánh giá qua độ lặp lại, độ đúng, khoảng tuyến tính, độ nhạy, giới hạn phát hiện (LOD) [99 – 100].
Độ lặp lại và độ tái lặp được đánh giá qua độ lệch chuẩn tương đối (RSD):
RSD càng lớn thì sai số của phương pháp càng lớn.
Tiêu chuẩn đánh giá độ lặp lại (RSD) được xác định theo phương trình Horwitz:
RSDH (%) = 2.C-0,1505
Trong đó, C là nồng độ của chất phân tích trong mẫu thử tính theo phần thập phân.
Ví dụ: 1 mg/L tương đương với 1 mg chất cần phân tích /106 mg dung dịch. Như
vậy, tính theo phần thập phân thì 1 mg/L = 10-6
Theo AOAC [101] trong nội bộ phòng thí nghiệm, những RSD chấp nhận được là những RSD nhỏ hơn một nửa RSDH tớnh theo hàm Horwitz: RSD < PRSDr = ẵ RSDH
Độ đúng của phương pháp: là độ gần sát giữa kết quả xác định được x và giá trị thực của nó
Có các cách xác định độ đúng như sau:
Phân tích mẫu thêm chuẩn rồi tính độ thu hồi (Recovery):
Độ thu hồi (Rev) = lượng tìm thấy.100/(lượng thêm vào + lượng có sẵn trong mẫu). Rev100 1/ 2RSDH, phương pháp có độ đúng tốt
So sánh với phương pháp chuẩn khác bằng phương pháp thống kê kiểm tra cặp (paired test)
Khoảng tuyến tính được xác định qua phương trình hồi quy biểu diễn mối tương quan giữa Ip và nồng độ Cd2+, Pb2+ và hệ số tương quan (R). Phương trình hồi quy tuyến tính được thiết lập dưới dạng:
y = (a ± t. Sa) + (b ± t. Sb). x (2.3)
Trong đó: Sa, Sb là độ sai chuẩn tương ứng với các hệ số a và b Các giá trị a, b, Sa, Sb thu được từ phần mềm origin
Với độ tin cậy thống kê 95% và bậc tự do f = 13 thì giá trị chuẩn t là: t = 2,160
y = (a ± 2,160. Sa) + (b ± 2,160. Sb). x
Độ nhạy được xác định qua độ dốc (giá trị b) của phương trình hồi qui tuyến tính
Giới hạn phát hiện (LOD) được xác định theo quy tắc “3”
Giới hạn định lượng (LOQ): LOQ = (3 4).LOD [102].
Hàm lượng Pb, Cd trong các mẫu thực được xác định: X ± ε = X ± t. S N Trong đó: t (95%, n=3) = 1,3; N: số thí nghiệm; S: độ lệch chuẩn
Các giá trị chiều cao píc, thế đỉnh píc trên các đồ thị của các phép đo điện hóa được tính toán bằng chính phần mềm tương ứng với từng phép đo: PGSdynam và DPVA
Xử lý số liệu thực nghiệm bằng phương pháp thống kê, sử dụng phần mềm origin 8.0, Excel 2010.
2.8. Cách chuẩn bị mẫu thực tế cho quá trình phân tích Cd, Pb 2.8.1. Lấy và bảo quản mẫu
Các mẫu nước hồ Phú Hòa được lấy vào tháng 11, 12/2018, các mẫu nước Đầm Thị Nại được lấy vào tháng 01/2019, các mẫu nước Hồ Núi Một được lấy vào tháng 02/2019, các mẫu nước Sông Hà Thanh, các mẫu nước biển ven bờ được lấy vào tháng 03 - 04/2019, các mẫu nước thải KCN Nhơn Bình và nước thải KCN Phú Tài được lấy vào tháng 04 - 05/2019. Các mẫu nước được lấy theo tiêu chuẩn TCVN 6663 – 1: 2011 (ISO 5667 – 1: 2006) Chất lượng nước – Lấy mẫu – Phần 1: Hướng dẫn lập chương trình lấy mẫu và kỹ thuật lấy mấu [103]. Bảo quản mẫu theo TCVN 6663-3: 2016 (ISO 5667 – 3: 2012) Chất lượng nước – Lấy mẫu – Phần 3: Hướng dẫn bảo quản và xử lý mẫu [104]. Mẫu nước sau khi lấy về phòng thí nghiệm được axit hóa bằng HNO3 đặc tới pH < 2 (2 mL HNO3 đặc/1 lít mẫu), tiến hành lọc qua giấy lọc 0, 45μm để loại bỏ các chất lơ lửng, nước được đựng trong chai nhựa polietylenterphtalat sạch và bảo quản trong tủ lạnh ở 4oC để chờ phân tích. Sơ đồ vị trí lấy các mẫu nước được chỉ ra ở hình 2.4. Kí hiệu và vị trí các mẫu nước được lấy chỉ ra ở bảng 2.3.
Hình 2.4. Sơ đồ vị trí lấy mẫu Bảng 2.3. Kí hiệu và vị trí các mẫu
Loại mẫu STT Kí hiệu Tên mẫu Vị trí lấy mẫu
Nước Đầm Thị Nại 1 DTN1 Mẫu D1 13°47'47.4"N 109°13'45.4"E
2 DTN2 Mẫu D2 13°48'25.2"N 109°15'16.5"E 3 DTN3 Mẫu D3 13°50'23.2"N 109°13'25.5"E 4 DTN4 Mẫu D4 13°51'25.7"N 109°15'02.9"E
Nước Hồ Núi Một
1 HNM1 Mẫu H1 13°45'47.3"N 108°58'25.7"E 2 HNM2 Mẫu H2 13°47'01.6"N 108°58'57.0"E 3 HNM3 Mẫu H3 13°47'18.5"N 108°58'19.0"E 4 HNM4 Mẫu H4 13°48'30.8"N 108°59'57.5"E
Nước Hồ Phú Hòa
1 HPH1 Mẫu P1 13°46'31.9"N 109°11'29.1"E 2 HPH2 Mẫu P2 13°46'42.1"N 109°11'45.3"E 3 HPH3 Mẫu P3 13°46'13.9"N 109°11'34.1"E 4 HPH4 Mẫu P4 13°46'26.2"N 109°11'50.5"E Nước Sông Hà
Thanh
1 SHT1 Mẫu S1 13°47'53.6"N 109°09'59.7"E 2 SHT2 Mẫu S2 13°47'22.1"N 109°11'03.1"E 3 SHT3 Mẫu S3 13°47'20.5"N 109°12'49.0"E Nước thải KCN
Nhơn Bình
1 NB1 Mẫu N1 13°47'51.0"N 109°12'13.8"E 2 NB2 Mẫu N2 13°47'52.5"N 109°12'16.3"E Nước thải KCN
Phú Tài
1 PT1 Mẫu T1 13°46'52.6"N 109°08'35.8"E 2 PT2 Mẫu T2 13°47'19.1"N 109°08'57.3"E 3 PT3 Mẫu T3 13°47'29.8"N 109°08'23.1"E
Nước biển ven bờ
1 QN1 Mẫu Q1 13°46'11.9"N 109°14'42.6"E 2 QN2 Mẫu Q2 13°45'56.4"N 109°13'52.5"E 3 QN3 Mẫu Q3 13°45'19.7"N 109°13'14.8"E 4 QN4 Mẫu Q4 13°44'48.3"N 109°13'02.0"E
2.8.2. Quá trình phân tích mẫu thực
Các mẫu nước sau khi lấy về phòng thí nghiệm được axit hóa bằng HNO3 đặc tới pH < 2 (2 mL HNO3 đặc/1 lít mẫu), tiến hành lọc qua giấy lọc μm để loại bỏ các chất lơ lửng, chuyển vào bình định phân, thêm đệm axetat 0,1 M đến thể tích gấp đôi, ghi đo dòng DPASV theo phương pháp thêm chuẩn sử dụng điện cực PtNFs/GC. Các điều kiện ghi đo: thế điện phân -1,14 V trong thời gian 120 s, biên độ xung 60 mV, bước nhảy thế 7 mV, điện cực được làm sạch ở thế + 0,2 V trog 30 s.
0, 45