CHƯƠNG I : CƠ SỞ Lí THUYẾT
3.6. Phõn bố ỏnh sỏng tại vựng hội tụ của một vật kớnh cú khẩu độ số cao theo cỏc
vị trớ bề mặt khỏc nhau.
Sự thay đổi phõn bố cường độ ỏnh sỏng của vựng hội tụ theo cỏc vị trớ bề mặt D được thể hiện trong Hỡnh 3.19. Chỳng tụi đó nghiờn cứu bốn vị trớ khỏc nhau của D, đú là: d = 0 μm; 5 μm; 10 μm; 15 μm. Kết quả tớnh toỏn thu được với NA = 0.9, n1 = 1.0, n2 = 1.5 và chựm tia tới được giả định là phõn cực trũn (λ = 532 nm).
Hỡnh 3.19 cho thấy rằng, khi độ sõu của giao diện (hướng trục z2 dịch về phớa nguồn sỏng so với mặt D) tăng từ d = 0 đến d = 15 μm, vựng hội tụ được chuyển từ 0 đến 14.13 μm. Hơn nữa, khi so sỏnh với kớch thước điểm dọc theo hướng song song, một độ gión dài cú thể xuất hiện dọc theo trục quang học. Do đú, trong nhiều ứng dụng khỏc nhau, vớ dụ như đĩa compact đa lớp, nếu cú vấn đề khụng khớp chiết suất ở bề mặt của đĩa, khoảng cỏch dọc của cỏc lớp khỏc nhau bờn trong đĩa đó được tăng lờn để trỏnh tớn hiệu khụng mong muốn gõy ra từ hỡnh dỏng dài (Hỡnh 3.19 (d)).
Hỡnh 3.19. Phõn bố cường độ ỏnh sỏng của vựng hội tụ theo cỏc vị trớ bề mặt D. (a) d
= 0 μm, zshift = 0 μm, (b) d = 5 μm, zshift = 4.11 μm, (c) d = 10 μm, zshift = 7.25 μm, (d) d = 15 μm, zshift = 10.13 μm. [(a2) - (c2)] đồ thị phõn bố cường độ (thang đo log) của
[(a1 ) - (c2)]. λ = 532 nm, NA = 0.9. n1 = 1.0, n2 = 1.5.
Hỡnh 3.19 (a2 - d2), hiển thị cỏc đường đồng mức (thang đo log) của cỏc phõn bố cường độ tương ứng với Hỡnh 3.19 (a1-d1). Nú tiếp tục chỉ ra sự xuống cấp của chất lượng điểm lấy nột gõy ra bởi độ sõu của lớp điện mụi. Tuy nhiờn, do kớch thước bờn khụng được điều chỉnh thường xuyờn, nờn nú cú thể được sử dụng như một phương phỏp để tạo ra cỏc trường dài như kim trong khu vực trọng tõm.
Túm lại, chiết suất khỏc nhau ảnh hưởng mạnh mẽ đến chất lượng của một vựng hội tụ. Do đú, trong thực tế, tốt nhất là chọn một lớp phủ, cú độ dày phự hợp cũng như chiết suất tương tự đối với vật liệu nghiờn cứu.