Ở trín ta đê phđn tích hoạt động của transistor ở chế độ tĩnh. Bđy giờ nếu ta đưa tín hiệu biến thiín văo E vă mắc tải ở C thì transistor hoạt động ở chế độ động (Hình 4.5)
Hình 4.5: Ngun lý khuếch đại tín hiệu của transistor
Khi mắc nguồn tín hiệu xoay chiều văo cực E của transistor như hình vẽ, thì nguồn có sức điện động lă Eth xếp chồng lín nguồn E1.Theo đẳng thức (4.4), khi IE thay đổi IC cũng thay đổi tương ứng. Đối với một hiệu điện thế đầu văo UEB cho trước sẽ có một dịng điện IE vă một dịng điín IC một chiều tương ứng chảy trong transistor. Giả sử nguồn E2 có trị số khơng đổi, thì dịng IC sẽ tăng khi ta tăng trị số của nguồn phđn cực thuận E1 (cực phât E căng dương)
Nếu trong mạch cực E có mắc thím điện âp xoay chiều của nguồn tín hiệu, thì điện âp năy xếp chồng lín điện âp phđn cực thuận của nguồn E1, lăm cho điện âp phđn cực thuận cũng thay đổi theo.
Trong bân kỳ dương của tín hiệu điện âp dương tại cực E tăng lín, transistor được phđn cực mạnh hơn, dịng IC tăng lín.
67 Trong bân kỳ đm của tín hiệu điện âp dương tại cực E giảm xuống, transistor phđn cực yếu đi, dòng IC giảm xuống.
Kết quả tại RC ta lấy ra được điện âp xoay chiều có biến thiín giống quy luật của nguồn tín hiệu ở đầu văo, nhưng có biín độ lớn hơn α lần biín độ của tín hiệu đầu văo. Nghĩa lă transistor đê khuếch đại được biín độ của tín hiệu văo.
4.Câc câch mắc cơ bản của transistor
Khi mắc transistor văo mạch điện, tín hiệu biến thiín cần khuếch đại có thể đưa văo cực E hoặc cực B (phần lớn đưa văo B). Tín hiệu sau khi khuếch đại xong có thể lấy ở cực C hoặc cực E (phần lớn lấy ra ở C). Tùy theo cực E, cực B hoặc cực C chung cho cả đầu văo lẫn đầu ra ta có 3 câch mắc cơ bản của transistor lă E chung, B chung vă C chung. Mỗi câch mắc có một tính chất riíng.
4.1 Mắc B chung
Tín hiệu văo cực phât E, tín hiệu khuếch đại xong lấy ra ở cực thu C. Cực gốc B chung (Cực B nối đất) (Hình 4.6). Khiắc B chung ta có:
Điện âp văo cực E vă điện âp sau khi khuếch đại xong lấy ra ở C cùng pha nhau.
Trở khâng văo ZV 30Ω ÷ 300Ω Trở khâng ra ZR 100kΩ ÷ 1MΩ Hệ số khuếch đại dịng điện:
EC C I I
α= ⇒ α < 1 (Do IE = IB + IC). Hệ số khuếch đại điện âp: KU = 200 ÷ 2000
Hình 4.6: Transistor mắc B chung
Do khơng thể khuếch đại dịng điện được nín mắc B chung chỉ dùng trong những mạch điện chỉ cần khuếch đại điện âp (mạch tạo sóng điện chẳng hạn).
68 Tín hiệu văo cực gốc B, tín hiệu khuếch đại xong lấy ra ở cưc thu C. Cực gốc E chung (Cực E nối đất) (Hình 4.7). Khi mắc E chung ta có:
Điện âp văo cực B, điện âp sau khi khuếch đại xong lấy ra ở C ngược pha
nhau 1800
Trở khâng văo ZV: 200Ω ÷ 2000Ω, trở khâng ra ZR: 20kΩ ÷ 100kΩ
Hình 4.7: Transistor mắc E chung Hệ số khuếch đại dòng điện:
α 1 α β I I I I I β C E C B C − = ⇒ − = = = 20 ÷ 100
Hệ số khuếch đại điện âp: KU = 500 ÷ 2000
Do vừa có thể khuếch đại điện âp vừa khuếch đại dịng điện, nín câch mắc E chung được dùng rất nhiều trong câc mạch khuếch đại. Đđy lă câch mắc thường gặp nhất trong câc sơ đồ vơ tuyến điện tử.
4.3. Mắc C chung
Tín hiệu văo cực gốc B, tín hiệu khuếch đại xong lấy ra ở cực thu C. Cực gốc E chung (Hình 4.8). Khi mắc C chung ta có:
Hình 4.8: Transistor mắc C chung
69 Trở khâng văo: ZV = 50kΩ ÷ 500kΩ
Trở khâng ra: ZR = 50Ω ÷ 5kΩ
Hệ số khuếch đại dòng điện β 1
I I I I I γ B B C B E = + = + = = 20 ÷ 100
Hệ số khuếch đại điện âp KU < 1
Do không thể khuếch đại điện âp được, câch mắc C chung chỉ dùng trong những mạch điện chỉ cần khuếch đại dòng điện (mạch khuếch đại công suất chẳng hạn). Hoặc dùng trong câc tầng phối hợp trở khâng (còn gọi lă tầng khuếch đại đệm).