Mở đầu
Transistor vừa khảo sât, được gọi lă transistor lưỡng cực BJT vì dịng điện
trong transistor lưỡng cực do cả hai loại hạt tải điện lă điện tử vă lỗ trống tạo nín. Do cực B ln ln được phđn cực thuận nín BJT có khuyết điểm lă điện trở văo nhỏ (từ văi trăm đến văi chục kΏ),. Trong khi đó đỉn điện tử chđn khơng do lưới khiển ln ln được phđn cực nghịch so với cathode nín điện trở văo vô cùng lớn. Việc tăng điện trở văo cho transistor dẫn đến sự ra đời của transistor hiệu ứng trường FET (Field Effect Transistor).
Năm 1935 Lilienfeld (Julius Edgar Lilienfeld 1882 - 1963) nhă vật lý người Âo-Hungary đê tìm ra hiện tượng điện dẫn suất của bân dẫn chịu ảnh hưởng của điện trường. Năm 1952 Shockley cha đẻ của transistor lưỡng cực, đề nghị âp dụng hiệu ứng năy để chế tạo transistor hiệu ứng trường. Độ dẫn điện của FET được điều khiển nhờ một điện trường ngoăi. Dòng điện trong FET chỉ do một trong
hai hạt tải điện tạo ra nín cịn được gọi lă transistor đơn cực (Unipolar).
FET lă một linh kiện bân dẫn có lớp chuyển tiếp PN dùng hiệu ứng trường để điều khiển dòng điện nhờ một điện trường ngoăi. Nó có ngun lý hoạt động giống như một đỉn điện tử đó lă thay đổi độ dẫn điện bằng điện trường, chứ khơng phải dịng điện. FET có nhiều ưu điểm trong việc gia cơng vă xử lý tín hiệu như độ tin cậy cao, tiíu thụ năng lượng ít, nín ngăy căng được dùng nhiều trong câc mạch điện tử, nhất lă trong vi mạch. Ngoăi ưu điểm khơng cần u cầu cơng suất của nguồn tín hiệu (nó được điều khiển bằng điện âp của nguồn tín hiệu). FET cịn có hai đặc điểm chính mă BJT khơng thể có được:
-Rất nhạy với điện âp (voltage sensitive). -Trở khâng văo rất cao, lín đến hăng MΩ.
Mục tiíu của chương
Mục tiíu của chương năy lă tạo điều kiện cho sinh viín:
-Nắm được những khâi niệm cơ bản về cấu tạo, hình dạng vă ứng dụng của transistor hiệu ứng trường JFET vă MOSFET
- Hiểu được nguyín lý hoạt động của transistor hiệu ứng trường JFET vă MOSFET
85 -Phđn tích được hoạt động của transistor hiệu ứng trường JFET vă MOSFET -Phđn tích được câc họ đặc tuyến của transistor hiệu ứng trường FET vă MOSFET