1. Transistor hiệu ứng trường nối JFET (Junction FET)
2.1. Ký hiệu, hình dạng vă cấu tạo
Transistor hiệu ứng trường kim loại – ơxít - bân dẫn MOSFET, còn được gọi lă transistor hiệu ứng trường có cổng câch ly với kính dẫn IGFET (Isulated Gate FET). Nó hoạt động dựa trín cơ sở sự biến đổi của điện trở suất của bân dẫn khi có điện trường tâc động văo.
MOSFET có hai loại: MOSFET kính chưa có sẵn (kính cảm ứng) vă MOSFET kính có sẵn. Cũng như JFET, mỗi loại lại chia lăm kính N hoặc kính P. Có ký hiệu vă hình dạng như hình 5.11
Hình 5.11: Ký hiệu vă hình dạng của MOSFET
Hình 5.12 cho ta cấu tạo MOSFET kính có sẵn loại p. Trín nền đế Silic loại p (Si – p) có điện trở suất cao. Ta pha tạp chất để tạo ra hai vùng bân dẫn loại n+ có điện trở suất thấp (nồng độ tạp chất cao hơn so với đế), nằm câch nhau một khoảng nhất định. Sau đó bề mặt được phủ bằng một lớp câch điện SiO2. Tại miền bân dẫn loại N ta khoĩt một lỗ xuyín qua lớp SiO2 vă khuếch tân kim loại văo đđy tạo ra hai điện cực (metal electrode) D (Drain) vă S (Source).
91 Hình 5.12: Cấu tạo của MOSFETkính có sẵn loại p
Do cấu tạo giống nhau nín D vă S nín có thể hôn chuyển vị trí cho nhau. Hai vùng năy được nối thơng với nhau nhờ kính dẫn điện n đặt sẵn. Giữa D vă S phía trín lớp SiO2 ta tạo ra một măng kim loại từ đó nối ra cực G (Gate). Vì có một lớp câch điện (SiO2) đặt dưới cực cổng G nín điện trở ngõ văo (cực G) rất lớn, từ văi chục đến văi trăm MΩ.
Hình 5.13 cho ta cấu tạo MOSFET kính cảm ứng loại p
Hình 5.13: Trạng thâi ban đđu của MOSFET kính cảm ứng
2.2. Nguyín lý hoạt động
Để MOSFET hoạt động, ta phđn cực DS băng điện âp dương UDS > 0