Họ đặc tuyến tĩnh của transistor lă sự liín hệ giữa 4 đại lượng: dòng điện văo IV, dòng điện ra IR, điện âp văo IV vă điện âp ra IR, khi ta chưa đưa tín hiệu văo đầu văo của transistor vă đầu ra của transistor chưa mắc tải.
Dù mắc theo E chung, B chung hoặc C chung ta đều có hai họ đặc tuyến tĩnh chính: Họ đặc tuyến tĩnh văo vă họ đặc tuyến tĩnh ra. Ta khảo sât họ đặc tuyến tĩnh của transistor mắc E chung.
Sơ đồ thí nghiệm như sau: (Hình 4.9)
Hình 4.9: Sơ đồ thí nghiệm vẽ họ đặc tuyến tĩnh mắc E chung
5.1. Họ đặc tuyến tĩnh văo
Họ đặc tuyến tĩnh văo của một transistor lă tập hợp câc đường biểu diễn của hăm số: IV = f (UV) khi UR = const.
Họ đặc tuyến tĩnh văo khi mắc E chung lă câc đường biểu diễn của hăm số: IB = f (UBE) khi UCE = const
70 Thay đổi VR2 để có điện âp UCE. Giữ UCE khơng đổi. Thay đổi VR1, ta được IB vă UBE tương ứng.
Đặc tuyến tĩnh văo của một Transistor mắc E chung có dạng như hình 4.10
Hình 4.10: Họ đặc tuyến tĩnh văo của transistor mắc E chung
Từ họ đặc tuyến tĩnh văo ta thấy: Trị số UCE căng lớn (lớn về trị tuyệt đối) thì đặc tuyến căng dịch ra xa trục dòng IB. Nghĩa lă ứng với một điện âp UBE nhất định thì UCE căng lớn (căng đm nhiều) thì IB căng nhỏ. Điều năy lă do khi tăng UCE thì cực thu có khả năng kĩo hạt mang điện về vùng của mình nhiều hơn, khả năng tâi hợp trong phần gốc giảm nín IB căng giảm (số hạt tải điện từ E rẽ về B ít hơn).
5.2.Họ đặc tuyến tĩnh ra
Họ đặc tuyến tĩnh ra của một transistor lă tập hợp câc đường biểu diễn của hăm số: IR = f (UR) khi IV = const.
Họ đặc tuyến tĩnh văo khi mắc E chung lă câc đường biểu diễn của hăm số: IC = f (UCE) khi IB = const.
Thay đổi VR1 để có dịng IB. Giữ IB không đổi. Thay đổi VR2 ta được IC vă UCE tương ứng. Ta có họ đặc tuyến tĩnh ra như hình 4.11
Khi tăng điện âp UCE mới đầu dịng IC tăng rất nhanh do đó độ dốc của đặc tuyến rất lớn. Sau đó đặc tuyến hầu như nằm ngang. Dòng IB căng lớn độ dốc căng cao, họ đặc tuyến căng dịch lín cao.
Như vậy, với điện âp UC bĩ thì dịng điện IC tăng gần như tỷ lệ với UC, nhưng bắt đầu một giâ trị năo đó (khâ bĩ) của UC thì IC hầu như bêo hịa. Trạng thâi năy ứng với khi tất cả những điện tử phât xuất từ cực phât E đê bị thu hút bởi điện trường gia tốc đặt văo cực thu C. Nếu ta tăng dòng điện IB nghĩa lă ta tăng số
71 lượng hạt dẫn điện cho cực phât E thì dịng IC tăng lín. Do đó khi tăng IB thì đặc tuyến dịch lín trín.
Hình 4.21: Họ đặc tuyến tĩnh ra của transistor mắc E chung
Từ họ đặc tuyến văo ta xâc định: Điện trở văo h11E:
B B 11E ΔI ΔU
h = Khi UCE = const Hệ số hồi tiếp điện âp h12E:
C B 12E ΔI ΔU h = Khi IB = const Từ họ đặc tuyến ra ta xâc định: Điện dẫn ra h22E CE C 22E ΔU ΔI h = Khi IB = const Hệ số khuếch đại dòng điện: h21E:
B C 21E ΔI ΔI
h = Khi UCE = const