1. Transistor hiệu ứng trường nối JFET (Junction FET)
1.3. Họ đặc tuyến tĩnh ra
Nếu xĩt riíng sự phụ thuộc của ID văo từng điện âp khi giữ cho điện âp cịn lại khơng đổi ta có hai hăm số:
ID = f1 (UDS) Khi UGS = const : Đặc tuyến tĩnh ra ID = f2 (UGS) Khi UDS = const : Đặc tuyến truyền đạt.
Họ đặc tuyến tĩnh ra của JFET lă đường biểu diễn của hăm số: ID = f(UDS) khi UGS = hắng số có dạng như hình 5.7
Phđn tích họ đặc tuyến tĩnh ra ta thấy:
• Khi UGS < 0 (ví dụ cho UGS1 = - 0,5V): Tiếp giâp PN phđn cực nghịch, vùng hiếm lớn hơn khi UGS = 0V lăm cho dịng thôt ID có trị nhỏ hơn vă trị số điện thế nghẽn Up1 cũng nhỏ hơn Upo.
• Khi UGS căng đm (ví dụ cho UGS2 =-1,5V),vùng hiếm căng tăng, kính căng hẹp, dòng ID căng nhỏ vă Up2 < Up1.
• Khi UGS đm đủ lớn (ví dụ cho UGS3 = - 3,5V), vùng hiếm quâ lớn lăm kính bị tắt, dòng ID = 0, điện thế phđn cực UGS lă điện thế ngưng dẫn UGSOFF = - Upo.
Hình 5.7: Họ đặc tuyến tĩnh ra của J FETkính n Đặc tuyến tĩnh ra của FET có ba vùng rõ rệt:
Vùng điện trở: Còn gọi lă vùng tuyến tính, gần gốc tọa độ O. Lúc năy UDS
nhỏ, dịng cực mâng ID tăng tuyến tính, Cùng một điện âp UDS, UGS căng đm thì ID căng bĩ.
89
Vùng bêo hoă: Tăng UDS đủ lớn đạt đến giâ trị UD dịng cực mâng ID hầu như khơng phụ thuộc văo điện âp UDS mă phụ thuộc điện âp phđn cực UGS. Trong vùng năy JFET hoạt động như một phần tử khuếch đại dòng. Dòng ID được điều khiển bởi điện âp UGS. Đđy chính lă vùng thắt.
Vùng đânh thủng: Nếu tăng tiếp tục UDS, dòng cực mâng ID tăng mạnh đột
biến do lớp tiếp xúc pn bị đânh thủng.
1.4.Câc câch mắc cơ bản của JFET
JFET có ba câch mắc cơ bản D chung, S chung vă G chung. Hai kiểu D chung , S chung (Hình 5.8) thường hay gặp, G chung rất ít gặp trong thực tế.
Hình 5.8: Hai câch mắc JFET thông dụng