5.2.1 Trong khơng gian hai chiều (2D)
Mơ phỏng chuyển động cĩ hao phí trên kênh được thực hiện và giải thích trong phần này. Ở đây, tác giả trước tiên khảo sát hiệu ứng của quá trình tán xạ phonon trên đặc trưng của CNTFET phẳng sử dụng ống (16,0) như là trường hợp tiêu biểu. Sau đĩ, so sánh sựđộc lập vềđường kính khi sử
dụng các ống (16,0), (19,0) và (22,0) và những ống nanơ cĩ cấu trúc kể trên
đều thuộc họmod (n-m,3)= 1. Các thơng số về linh kiện được sử dụng để mơ phỏng như sau: L= 20nm, L
SD = 30nm, L
ext = 0, t
ox = 2nm (HfO
2 with κ = 16).
Độ pha tạp nguồn/máng NSD = 1.5/nm này được so sánh với mật độ nguyên tử cacbon (4n/3aCC) trong CNT zigzag (n,0), với mạng (16,0) thì mật độ pha tạp ∼ 150/nm. Hình 5.11 so sánh Id – Vds đối với chuyển dời đạn đạo và tán xạ phonon. Ta thấy rằng quá trình tán xạ phonon thực sự cĩ ảnh hưởng nhiều
đến linh kiện. Với VGS = 0.6V, dịng bị giảm khoảng 10% do tán xạ. Ở thế
cổng lớn hơn VGS = 0.7V, ảnh hưởng của tán xạ càng mạnh làm giảm dịng tới gần 15% so với mức đạn đạo (hình 5.11(b)).
Hình 5.11 Đặc trưng I – V cho CNTFET (16,0) khi chuyển dời đạn đạo và cĩ tán xạ phonon.
(a) VGS biến thiên trong khoảng 0.1V – 0.6V
(b) Khi VGS = 0.7, dịng suy giảm đáng kể đến 14% so với dịng chuyển dời đạn đạo.
(c) So sánh dịng chuyển dời đạn đạo và các kiểu tán xạ
phonon khi VGS thay đổi [8, 34].
Chuyển dời đạn đạo đối với ống càng lớn thì dịng sẽ lớn hơn do sự
suy giảm thơng số kết cặp điện tử - phonon. Tất cảđều cho thấy sự tăng nhẹ
(c) (b)
dịng đạn đạo do phần lớn các phần tử mang điện tích dương chiếm cứ những trạng thái phía trên rìa vùng dẫn kênh [8].