Sự phức tạp về cấu trúc của ống nanơ đa tường (Multiple walled nanotube – MWNT) gây khĩ khăn trong việc nghiên cứu và sử dụng. Về lý thuyết, mỗi cấu trúc cacbon cĩ thể mang tính kim loại hay bán dẫn với cấu trúc mạng khác nhau. Các cấu trúc này cũng cĩ thể tương tác với nhau. Người ta nhận thấy rằng trong những MWNT gắn chặt một bên với điện cực kim loại thì chỉ cĩ mặt ngồi của cấu trúc ống là gĩp phần đáng kể vào quá trình tải điện. Vì thế, ta cĩ thể trơng đợi rằng các MWNT với cấu trúc mặt ngồi là bán dẫn sẽ được sử dụng để chế tạo CNTFET. Tuy nhiên, do dải vùng cấm của CNT bán dẫn tỉ lệ nghịch với đường kính ống nên chỉ cĩ các
MWNT với đường kính nhỏ mới minh họa được những đặc trưng của FET ở
nhiệt độ phịng [21].
Trong CNTFET đa tường, độ dẫn dư lớn cĩ thể gĩp phần gắn kết vùng cấu trúc bên ngồi với kết cấu kim loại bên trong. Nhiệt độ thấp sẽ giảm nhiễu của cấu trúc bên trong, cịn các thành phần bán dẫn bên ngồi hầu như
vẫn khơng thay đổi. Do vậy, nĩ sẽ làm thay đổi độ dẫn như trong hình 2.11. Tuy vậy, hệ thống các điện tử của MW CNTFET cĩ đường rẽ bằng các vỏ đan xen vào nhau bên trong. Ngồi ra, ta phải tính đến cấu trúc nhiều vịng ống lồng vào nhau, khoảng cách giữa các ống, nhiệt phát sinh giữa cấu trúc kim loại bên trong với các điện cực…
Hình 2.11. Sự thay đổi độ dẫn theo thế cổng của MW CNTFET ở nhiệt độ
khác nhau.