tclean-2 (s) 0 5 10 15 20
Ip (nA) 934 1106 1016 917 797
RSD (%, n = 4) 9,3 1,9 1,4 2,4 1,2
ĐKTN: nhƣ Bảng 3.27.
Rõ ràng rằng việc làm sạch điện cực khơng tăng đƣợc độ nhạy của phép phân tích (Ip không thay đổi đáng kể), nhƣng đã cải thiện đƣợc độ lặp lại. Sở dĩ nhƣ vậy có thể do khi làm sạch, lƣợng asen chƣa hòa tan hết đã đƣợc giải phóng, các trung tâm hoạt động trên mặt cực đƣợc phục hồi, q trình điện cực do đó sẽ lặp lại tốt hơn. Nhƣng do đã bị tan bớt, nên khi kéo dài thời gian làm sạch, mật độ hạt Au trên bề mặt cực giảm làm giảm Ip. Với mục đích vừa cải thiện độ lặp lại, vừa khơng kéo dài q trình phân tích và giảm độ nhạy, Eclean-2 = +600 mV và tclean-2 = 5 s đƣợc chọn để dùng cho các thí nghiệm tiếp theo.
3.2.2.5. Ảnh hƣởng của thế và thời gian điện phân làm giàu Thế điện phân làm giàu (Edep)
Thay đổi thế điện phân làm giàu (Edep) từ -300 mV đến -50 mV, ở mỗi Edep ghi Ip lặp lại 5 lần, thu đƣợc kết quả ở Bảng 3.29.
Ở các thế điện phân dƣơng hơn -100 mV, hiệu quả làm giàu thấp, Ip và độ lặp lại giảm mạnh. Trong khi đó Ip khá ổn định ở những thế âm hơn -100 mV. Điện phân làm giàu ở thế càng âm thì nguy cơ nhiễm bẩn tạp chất kim loại vào AuFE càng cao. Vì vậy, Edep = -200 mV đƣợc chọn cho các nghiên cứu tiếp
Bảng 3.29. Kết quả xác định Ip của asen trên AuFE ex-in với các Edep khác nhau.
Edep (mV) -300 -250 -200 -150 -100 -50
Ip (nA) 1007 985 990 975 956 819
RSD (%, n = 5) 0,7 0,5 2,2 1,8 7,3 7,1
ĐKTN: chế độ đo: DP-ASV; dd. phân tích: AsIII 5 ppb; HCl 0,7 M; AA: 0,5 mM; AuIII 50
µM; Eclean-2 = +600 mV; tclean-2 = 5 s; các điều kiện khác nhƣ Bảng 3.21 và Bảng 3.22.
Hình 3.21. Ảnh hƣởng của Edep đến Ip của asen trên AuFE ex-in.
ĐKTN: nhƣ ở Bảng 3.29.
Thời gian điện phân làm giàu (tdep)
Thông thƣờng, càng tăng thời gian điện phân làm giàu thì lƣợng chất phân tích đƣợc tập trung lên bề mặt điện cực càng nhiều, nên sẽ làm tăng Ip. Tuy nhiên, kết quả thí nghiệm cho thấy, có sự khác biệt đáng chú ý khi sử dụng 2 loại điện cực AuFE ex-situ và AuFE ex-in.
Đối với điện cực loại ex-situ, Ip chỉ tăng tỷ lệ với tdep khi tdep < 90 s. Kéo dài thời gian điện phân trên 90 s, Ip tăng chậm và đạt giá trị bão hòa. Forsberg [44] và Wang [119] cho rằng, điện phân kéo dài có thể tạo thành lớp As0 dẫn điện kém trên bề mặt cực, ngăn chặn q trình tích tụ asen nên Ip khơng tăng thêm thậm chí cịn có thể giảm xuống. Jia [64] cũng đã chứng minh đƣợc rằng, khi lƣợng asen tích tụ trên điện cực Au càng nhiều thì tốc độ tích tụ càng giảm. Nhƣ vậy, khi dùng AuFE kiểu ex-situ, không nên kéo dài thời gian điện phân khi không thật sự cần thiết. Trong lúc đó, khi dùng AuFE ex-in situ, tăng thời gian điện phân đến 150 s vẫn không quan sát thấy hiện tƣợng bão hịa Ip. Có thể do
0 2 4 6 8 10 600 800 1000 1200 1400 -350 -300 -250 -200 -150 -100 -50 0 RS D (% ) Ip ( n A ) Edep (mV) Ip (nA) RSD (%)
màng vàng liên tục đƣợc “làm mới”, cung cấp nhiều trung tâm hoạt động hơn cho asen nên đã hạn chế đƣợc sự tạo thành lớp asen kém dẫn điện nhƣ trên.
Thời gian điện phân tdep = 90 s đƣợc dùng cho các thí nghiệm sau, do với thời gian điện phân này Ip đã đủ lớn để phân tích asen, đồng thời khơng làm dài q trình phân tích. Với mẫu có nồng độ asen thấp, có thể tăng tdep để phân tích.