CHƢƠNG 2 : THỰC NGHIỆM
2.1.Mục tiêu và nội dung nghiên cứu
2.1.1. Mục tiêu nghiên cứu
Nghiên cứu xác định một số chỉ tiêu lƣợng vết (tạp chất kim loại) trong bột Vonfram (W) dùng trong sản xuất thuốc vi sai an toàn làm cơ sở để đánh giá chất lƣợng nguyên liệu, đồng thời xác định đƣợc chính xác lƣợng tạp chất có trong bột W làm cơ sở cho việc hồn thiện cơng nghệ khử tạp chất trong nghiên cứu chế tạo bột W tại Việt Nam.
2.1.2. Nội dung nghiên cứu
Xuất phát từ mục tiêu trên, luận văn tập trung nghiên cứu lựa chọn và áp dụng một phƣơng pháp phân tích cơng cụ hiện có tại Việt Nam để phân tích xác định các tạp chất và hàm lƣợng của chúng có trong bột W, trong đó tập trung chủ yếu là xác định lƣợng vết một số nguyên tố kim loại As, Bi, Cd, Co, Cu, Fe, Mn, Pb, Sn, Mo… Qua nghiên cứu, đánh giá ƣu nhƣợc điểm của từng phƣơng pháp phân tích, cùng với điều kiện trang thiết bị sẵn có tại Khoa Hoá học – Trƣờng Đại học Khoa học Tự nhiên, phƣơng pháp phân tích khối phổ Plasma cảm ứng cao tần (ICP-MS) đƣợc lựa chọn để thực hiện mục tiêu nghiên cứu của đề tài luận văn. Từ đó, các nội dung nghiên cứu chính của đề tài bao gồm:
- Nghiên cứu tối ƣu các thông số đo phổ ICP-MS để xác định các tạp chất kim loại trong nền mẫu W tinh khiết.
- Đánh giá ảnh hƣởng nồng đô ̣ nề n W khi xác đi ̣nh các ta ̣p chất kim loa ̣i bằng phƣơng pháp ICP-MS.
- Nghiên cứu lựa chọn số khối đo phổ của từng kim loại cần phân tích, dựng đƣờng chuẩn và đánh giá độ lặp lại của phƣơng pháp ICP-MS khi xác định lƣợng vết các nguyên tố kim loại trong nền W tinh khiết.
- Nghiên cứu một số quy trình xử lý mẫu , đánh giá hiê ̣u suất thu hồi của các quy trình xƣ̉ lý mẫu và lựa chọn một quy trình tối ƣu nhất cho việc phân tích lƣợng vết các tạp chất kim loại trong nền mẫu W tinh khiết.
- Áp dụng quy trình phân tích tối ƣu đã nghiên cƣ́u đƣợc để phân tích hàm lƣợng một số kim loại đã lựa chọn nhằm đánh giá chất lƣợng một số mẫu bột W thực tế.