22
2.4 Mô phỏng hiệu năng hoạt động của PMT bằng AMPS-1D
2.4.1.1 Các tham số đặt vào toàn bộ thiết bị
a) Các điều kiện biên
PHIBO = Φb0 = EC – EF ở x = 0 (eV)
PHIBL = ΦbL = EC – EF ở x = L (eV)
L p tiếp ư c và sau chỉ ượ nh b i tính ch t v t liệu c a chúng và hệ số ph n x c a b m t ch t bán d n:
Φb0 = 0 eV t i vùng d n m c Fecmi EF khi x = 0 µm ư c),
ΦbL = 0,9 eV t i vùng d n 0,9 eV v EF khi x = L (sau).
Nh ng thông số này t o thành vùng tiếp xúc thuần tr p ư c và S phía sau. b) Tốc độ tái hợp bề mặt SNO= SND = các e ở bề mặt x = 0 (cm/s) SPO = SPD = các lỗ trống ở bề mặt x = 0 (cm/s) SPL=SNL= các e ở bề mặt x = L (cm/s) SPL = SPL = các lỗ trống bề mặt x = L (cm/s)
Nh ng b m t gi a các l p tinh th có nhi u sai hỏ ược sinh ra b i m ng tinh th ối x ng và các t p ch t, là nguyên nhân sinh ra dịng tái hợp. Nh ng thơng số ườ ược sử d miêu t dòng tái hợp này là các giá tr tố tái hợp b m t. T t c các giá tr tố tái hợp b m ượ ư tính tốn là 107 cm/s ư ng v i chuy ng nhiệt c a ện tử.
c) Hệ số phản xạ ở mặt trước và mặt sau
RF = RF = hệ số phản xạ ở x = 0 (mặt trước)
ầu tiên, ta xét hệ số ph n x m ư N ư y cùng v i m t phổ chiếu sáng nế ượng ánh sáng mà PMT h p th ược nhi u nh t thì m dòng sinh ra s l n và hiệ ng c a pin s N ư y, hệ số ph n x m ư c trực tiếp quyế ến m dòng và hiệ ng c a pin. V t ra â ế gi m hệ số ph n x m ư c. Do tính ch t c a v t liệu nên ta không th chế t o v t liệu có hệ số ph n x r t nhỏ ho c b ng không. Qua các tài liệu nghiên c u và thực nghiệm, ta th y hệ số ph n x kho ng 0,07-0,1 là phù hợp nh t [100].
Khi nghiên c u v các kết qu thực nghiệm c ư p ỏng, ta th yhệ số ph n x m t sau không ư ến hiệ ng c a pin.
d) Nhiệt độ T (K)
Trong ph m vi nghiên c u c a mình, chúng tơi khơng kh o sát ư ng c a nhiệ ường t i hiệ ệc c p ư ế nào.
Nhiệ ư ư 300K trong suốt q trình mơ phỏng.