Phổ FT-IR của màng mỏng PF và POSS-PF

Một phần của tài liệu (LUẬN VĂN THẠC SĨ) Chế tạo và khảo sát các tính chất phát quang, quang điện và điện hóa của các lớp chuyển tiếp dị chất cấu trúc Nanô Luận văn ThS. Vật liệu và linh kiện Nanô (Trang 69 - 70)

Cỏc đỏm hấp thụ của thành phần polyme được quan sỏt thấy với cường độ mạnh và che lấp cỏc đỏm hấp thụ của thành phần POSS đặc trưng ở 2250 cm-1

ứng với dao động húa trị của liờn kết Si-H, 1120 cm-1 ứng với dao động húa trị của liờn kết Si-O-Si và 860 cm-1 ứng với dao động biến dạng (dao động uốn) của liờn kết Si- H [83]. Cỏc đỏm hấp thụ Si-O-Si và Si-C thường nằm trong khoảng 1000-1080 cm-1 và tại 1074 cm-1

đó khụng quan sỏt thấy. Mặt khỏc, chỳng tụi đó quan sỏt thấy đỏm hấp thụ Si-CH3 tại 1253 cm-1, điều đú chứng tỏ rằng POSS-PF được liờn kết với nhau thụng qua cỏc nhúm methyl [2].

Cú một điểm đỏng chỳ ý rằng cú sự suy giảm cường độ đỏng kể của cỏc đỏm hấp thụ tại 982, 1120 và 1507 cm-1

đối với mẫu màng vật liệu lai POSS-PF. Những thay đổi này được cho là do cỏc dao động của benzothiadiazole bị ngăn cản bởi cỏc khối POSS [67].

Phổ tỏn xạ Raman của vật liệu lai POSS-PF

Phổ tỏn xạ Raman của màng mỏng PF và POSS-PF (hỡnh 2.5) được nghiờn cứu để bổ sung cho cỏc phõn tớch từ phổ hồng ngoại biến đổi Fourier (FT-IR). Cỏc quan sỏt cho thấy ở cả 2 mẫu đều chỉ cú cỏc đỏm dao động của polyme. Với cỏc so sỏnh cả về hỡnh dạng và vị trớ của cỏc đỏm dao động đú trong cả 2 mẫu PF và POSS-PF cho thấy cấu trỳc phõn tử của polyme PF khụng cú sự thay đổi nào đỏng kể khi kết hợp với POSS. Đặc biệt, tại 2 vựng 1550 cm-1

(đặc trưng cho dao động của liờn kết đụi C=C) và 1604 cm-1

(đặc trưng cho dao động húa trị của nhúm vinyl) khụng bị thay đổi đối với mẫu màng POSS-PF chứng tỏ rằng cỏc chuỗi polyme khụng bị chia cắt bởi POSS [100].

Một phần của tài liệu (LUẬN VĂN THẠC SĨ) Chế tạo và khảo sát các tính chất phát quang, quang điện và điện hóa của các lớp chuyển tiếp dị chất cấu trúc Nanô Luận văn ThS. Vật liệu và linh kiện Nanô (Trang 69 - 70)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(165 trang)