4.1.1. Phộp đo dũng khụng đổi (Galvanostatic cyclations - CG)
Trong phương phỏp này mật độ dũng qua điện cực làm việc được cố định ở một giỏ trị thớch hợp, điện thế tương ứng giữa điện cực làm việc và điện cực so sỏnh được xỏc định. Giỏ trị của dũng điện ỏp đặt vào (I) được tớnh toỏn từ khối lượng vật liệu điện cực mang hoạt tớnh (m), dung lượng lý thuyết của vật liệu điện cực cần khảo sỏt (TSC) và thời gian được lựa chọn để pin phúng/nạp (t) theo phương trỡnh:
m TSC I
t
(4.1)
Tốc độ phúng và nạp của pin tương ứng với số giờ (t) mà pin phúng/nạp thường được đặt là C/t (hay cũn gọi là tỷ lệ C). Để khảo sỏt tốc độ phúng/nạp của pin, tức là đo dung lượng của pin tại cỏc tốc độ khỏc nhau, thỡ cỏc giỏ trị t được thay đổi. Trong cỏc nghiờn cứu của chỳng tụi cỏc giỏ trị t được lựa chọn đú là: C/20; C/10; C/5; C/4; C/2; 1C; 2C; 5C; 7,5C; 10C.
Trong cỏc nghiờn cứu của chỳng tụi phộp đo CG cho pin ion Li được tiến hành trờn hệ đo Maccor Series 4000 Battery Test System, tại Khoa húa học, trường Đại học Rome, Italy.
4.1.2. Phộp đo điện thế quột vũng (Cyclic voltammetry - CV)
Phương phỏp đo điện thế quột vũng (CV) điện hoỏ là một phương phỏp được sử dụng phổ biến để nghiờn cứu cỏc quỏ trỡnh điện hoỏ xảy ra giữa bề mặt của điện cực và chất điện ly. Trong phương phỏp này điện thế trờn điện cực được quột đi và quột lại trong một dải điện thế nhất định với tốc độ quột khụng đổi và khi đú dũng qua điện cực tương ứng được xỏc định.
Phổ CV ghi được cho biết cỏc thụng tin về cỏc phản ứng ụxy hoỏ khử, cỏc quỏ trỡnh trao đổi ion v.v.. xảy ra trờn điện cực quan tõm. Ngoài ra trong cỏc nghiờn cứu về vật liệu phổ CV cũn cho phộp xỏc định mật độ điện tớch tiờm vào hay thoỏt
ra khỏi điện cực cũng như tớnh thuận nghịch trong phản ứng oxy húa - khử xảy ra và vựng điện thế để vật liệu hoạt động một cỏch bền vững. Trong cỏc nghiờn cứu của chỳng tụi phộp đo phổ CV được tiến hành trờn hệ AutoLab. PGS - 30 tại Phũng Vật liệu và Linh kiện năng lượng, Viện Khoa học Vật liệu, Viện Khoa học và Cụng nghệ Việt Nam và hệ đo Maccor Series 4000 Battery Test System, tại trường Đại học Rome, Italy.