Tôi đã khảo sát hình thái bề mặt mẫu bằng kính hiển vi điện tử quét, có tại Viện Khoa học Vật liệu, Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam. Đây là thiết bị dùng để chụp ảnh vi cấu trúc bề mặt với độ phóng đại lớn gấp nhiều lần so với kính hiển vi quang học. Nguyên tắc hoạt động như sau: Tạo chùm tia điện tử mảnh và điều khiển chùm tia này quét theo hàng, theo cột trên diện tích rất nhỏ trên bề mặt mẫu. Chùm điện tử kích thích mẫu phát điện tử thứ cấp, điện tử tán xạ ngược, tia X,... Mỗi loại điện tử, tia thoát ra mang một thông tin về mẫu
phản xạ một tính chất nào đó ở chỗ tia điện tử tới đập vào mẫu. Năng suất phân giải cỡ 5 ÷ 7 nm.
1. Nguồn phát điện tử 2. Kính hội tụ
3. Cuộn quét điện tử trên mẫu 4. Kính vật
5. Mẫu
6. Detector 7. Khuếch đại 8. Bộ phát quét
9. Cuộn quét tia điện tử ở CRT (ống tia điện tử) 10. Màn hình quét
Hình 2.13: Sơ đồ khối của kính hiển vi điện tử quét (SEM)
Đối với các cấu trúc quang tử Silic xốp, kỹ thuật SEM cho thấy cấu trúc của các lỗ xốp, kích thước của các lỗ xốp, bề dày tổng thể của mẫu cũng như bề dày của từng lớp từ đó có thể tính toán sơ bộ cực đại của phổ phản xạ.
2.4.2. Máy phân tích phổ USB-4000
Trong luận văn này, tôi sử dụng thiết bị USB 4000 để đo phổ phản xạ của cấu trúc quang tử silic xốp. Hình 2.14 minh họa máy phân tích phổ USB 4000 và các thành phần quang học của USB 4000.
1 2 8 3 4 5 6 7 10 9