Thiết kế vật lý mạch khuếch đại vi sai

Một phần của tài liệu BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET (Trang 63 - 67)

CHƯƠNG 1 : TỔNG QUAN ĐỀ TÀI

3.3 Mạch khuếch đại vi sai

3.3.3 Thiết kế vật lý mạch khuếch đại vi sai

Hình 3.24 Sơ đồ nguyên lý Hình 3.25 Phác thảo thiết kếvật lý khối khuếch đại vi sai vật lý khối khuếch đại vi sai

- Tại 2 cạnh của mỗi khối, thiết bị giả được thêm vào và có vòng bảo vệ xung quanh. - Các thiết bị chia sẻ lớp khuếch tán liên tục.

- Khoảng cách giữa các khối là nhỏ nhất => tối ưu được diện tích. - Sử dụng kỹ thuật xếp đối xứng tâm đối với cặp khuếch đại vi sai. - Cấu trúc cặp khuếch đại vi sai.

DM DM DM DM

DM N0 N1 DM

DM N1 N0 DM

DM DM DM DM

3.3.3.2 Đi dây

 Đi dây các đường tín hiệu quan trọng

Hình 3.26 Sơ đồ nguyên lý Hình 3.27 Các đường tín hiệu quan trọng

- Độ rộng đường kim loại net130 = độ rộng đường kim loại VBP = ½ độ rộng đường kim loại net131.

- Các đường kim loại đều được che chắn bởi đất/nguồn.

- Tất cả các đường tín hiệu đều được tối ưu hoá để giảm điện trở và tụ trên đường kim loại, ảnh hưởng đến hiệu suất làm việc của mạch.

Hình 3.28 Đường nguồn/đất Hình 3.29 Via

- Các đường nguồn/đất đặt lên đúng với các thiết bị.

tapeout colored tapeout tapeout

PASS PASS PASS PASS PASS PASS

Bảng 3.2 Tình trạng đánh giá vật lý khối khuếch đại vi sai

Hình 3.30 Kết quả kiểm tra LVS_INT Hình 3.31 Kết quả kiểm tra DRC_INT

Hình 3.32Kết quả kiểm tra LVS_tapeout Hình 3.33 Kết quả kiểm tra DRCtapeout

Hình 3.34 Kết quả kiểm tra DRC_DP colored tapeout

Một phần của tài liệu BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET (Trang 63 - 67)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(108 trang)