.2 Đồ thị sự thay đổi của dòng điện theo nhiệt độ

Một phần của tài liệu BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET (Trang 94 - 96)

Nhiệt độ Dòng điện

-40°C 79.7uA

25°C 100.5uA

120°C 142uA

Bảng 4.3: Kết quả đo được khi nhiệt độ thay đổi

Nhận xét:

- Khi nhiệt độ thay đổi, dòng điện thay đổi một lượng lớn là do lúc này dòng điện vẫn còn phụ thuộc vào beta, khi nhiệt độ thay đổi sẽ làm beta thay đổi.

4.2.2 Kết quả mô phỏng khối khuếch đại vi sai

Sử dụng phương pháp DC Operation Point để khảo sát vùng hoạt động và các giá trị dòng, áp của các MOSFET trong mạch khuếch đại vi sai ở 3 trường hợp kiểm tra gồm TT, SS, FF. Kết quả đo được thể hiện trong bảng sau:

N1 Bão hòa 50u 651.4m 551.4m 427m 285m P2 Bão hòa 50u 696m 696m 362m 319m P3 Bão hòa 50u 696m 696m 362m 319m

SS

N4 Bão hòa 66.7u 661m 464m 483m 273m N0 Bão hòa 33.5u 662m 457m 481m 278m N1 Bão hòa 33.2u 660m 581m 481m 277m P2 Bão hòa 33.5u 697m 697m 438m 291m P3 Bão hòa 33.2u 697m 574m 438m 291m

FF

N4 Bão hòa 175u 661m 624m 335m 300m N0 Bão hòa 89.5u 665m 602m 332m 310m N1 Bão hòa 85.5u 650m 842m 332m 305m P2 Bão hòa 89.5u 752m 752m 258m 379m P3 Bão hòa 85.5u 752m 513m 258m 379m

Bảng 4.4: Kết quả mô phỏng DC Operating Point

Nhận xét:

- Ở trong 3 trường hợp, các MOSFET đều hoạt động ở vùng bão hòa.

- Do kích thước của N4 bằng với kích thước NMOS trong mạch phân cực nên dòng trong mạch khuếch đại vi sai cũng bằng dòng ở mạch phân cực.

4.2.3 Kết quả mô phỏng mạch tăng biên độ điện áp tín hiệu đầu vào

Sử dụng Transient Analysis để khảo sát thời gian sườn lên/xuống, thời gian trễ, duty cycle của tín hiệu trong mạch. Kết quả đo được như sau:

Hình 4.3 Độ trễ của 2 tín hiệu đầu vào mạch chính bằng nhau (27.6ps)

Một phần của tài liệu BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET (Trang 94 - 96)