- PC66, PC100, PC133, PC1600, PC2100, PC2400:
2. Bộ nhớ trong
2.2.3. Làm tươi DRAM
Điện tích trên tụ điện bị giảm theo thời gian do chúng phĩng qua FET và lớp điện mơi oxide làm cho dữ liệu cĩ thể bị mất. Do đĩ, tụ điện phải được nạp lại một cách tuần hồn (refresh), thơng thường khoảng từ 1 ÷ 16 ms tùy theo loại RAM. Cĩ 3 phương pháp refresh:
- Chỉ tác động RAS: tạo chu kỳ đọc giả (dummy read) để làm tươi ơ nhớ. Trong chu kỳ giả này, tín hiệu RAS tích cực và địa chỉ hàng được đưa vào DRAM nhưng CAS bị cấm nên khơng thể truyền dữ liệu ra ngồi được. Để làm tươi tồn bộ bộ nhớ thì tất cả các địa chỉ phải được cấp lần lượt. Nhược điểm của phương pháp này là cần phải dùng mạch logic hay một chương trình để làm tươi. Trong máy tính, điều này thực hiện bằng kênh 0 của DMAC 8237, tác động định kỳ bằng bộ đếm 1 của PIT 8253.
Tài liệu Cấu trúc máy tính & Hợp ngữ Bộ nhớ
- Tác động CAS trước RAS: DRAM cĩ một mạch logic làm tươi của riêng nĩ với một bộ đếm địa chỉ. Tín hiệu CAS sẽ tích cực trong một khoảng thời gian trước khi RAS tích cực. Địa chỉ làm tươi được phát ra bên trong bằng bộ đếm địa chỉ mà khơng cần mạch logic bên ngồi. Sau mỗi chu kỳ làm tươi, bộ đếm địa chỉ sẽ tự động tăng lên 1 để chỉ địa chỉ kế tiếp.
- Ẩn: Chu kỳ làm tươi được chứa sau chu kỳ đọc bộ nhớ. Tín hiệu CAS giữ nguyên mức thấp trong khi chỉ cĩ RAS lên mức cao. Ở đây, bộ đếm địa chỉ cũng tự phát ra địa chỉ làm tươi.Việc đọc dữ liệu trong chu kỳ đọc cũng cĩ thể thực hiện ngay cả khi đang thực hiện chu kỳ làm tươi. Phương pháp này sẽ tiết kiệm được thời gian do thời gian làm tươi thường ngắn hơn so với thời gian đọc.