C¡c ìn lîp monochalcogenide nhâm III MX câ c§u tróc x¸p lîp gçm bèn lîp nguy¶n tû x¸p chçng l¶n nhau theo thù tü XMMX (H¼nh 2.1). Tinh thº hai chi·u cõa ìn lîp MX câ c§u tróc h¼nh löc gi¡c v thuëc v· nhâm èi xùng D3h vîi mët m°t ph¯ng èi xùng g÷ìng theo ph÷ìng th¯ng ùng, vîi hai nguy¶n tû M v X b¶n d÷îi n¬m èi xùng l¦n l÷ñt vîi hai nguy¶n tû M v X ð b¶n tr¶n. Æ ìn và cõa MX chùa bèn nguy¶n tû (hai nguy¶n tû M v hai nguy¶n tû X). Trong tøng ìn lîp MX, méi nguy¶n tû M li¶n k¸t cëng hâa trà vîi ba nguy¶n tû X v mët nguy¶n tû M kh¡c.
K¸t qu£ t½nh to¡n c¡c tham sè c§u tróc cõa t§t c£ s¡u ìn lîp MX (M = Ga, In; X = S, Se, Te) ÷ñc li»t k¶ ð B£ng 2.1. H¬ng sè m¤ng a cõa c¡c ìn lîp MX n¬m trong kho£ng tø 3,59 A (GaS) ¸n 4,38 A (InTe). Trong tøng méi nhâm, tùc l GaX v InX, chi·u d i c¡c li¶n k¸t giúa nguy¶n tû
B£ng 2.1: H¬ng sè m¤nga, chi·u d i li¶n k¸t giúa c¡c nguy¶n tû dMX v dMM, ë d y cõa ìn lîp∆h v gâc giúa c¡c li¶n k¸t φ∠ cõa c¡c ìn lîp monochalcogenide nhâm III MX (M = Ga, In; X = S, Se, Te).
a dMX dMM ∆h φ∠XMM φ∠XMX (A) (A) (A) (A) (ë) (ë) GaS 3,59 2,47 2,46 4,65 117,40 100,50 GaSe 3,82 2,50 2,47 4,81 117,96 99,59 GaTe 4,08 2,68 2,47 5,00 118,18 99,58 InS 3,80 2,53 2,80 5,27 117,52 100,36 InSe 3,89 2,58 2,81 5,35 118,46 99,17 InTe 4,38 2,89 2,82 5,60 118,75 98,80
M v nguy¶n tû X l¥n cªn dM−X t«ng d¦n khi nguy¶n tû chalcogen thay êi tø S ¸n Te. H» qu£ l , h¬ng sè m¤ng a công t«ng d¦n khi nguy¶n tè chalcogen thay êi tø S ¸n Te do h¬ng sè m¤ng t¿ l» vîi chi·u d i cõa li¶n k¸t dM−X. Trong khi â, chi·u d i li¶n k¸t giúa c¡c nguy¶n tû M vîi nhau
dM−M h¦u nh÷ khæng thay êi trong tøng nhâm. Tuy nhi¶n, dM−M t«ng d¦n khi M thay êi tø Ga ¸n In, dGa−Ga < dIn−In. Nguy¶n nh¥n cõa sü thay êi chi·u d i li¶n k¸t nh÷ vªy l do sü t«ng b¡n k½nh nguy¶n tû cõa c¡c th nh ph¦n M v X trong hñp ch§t monochalcogenide MX. ë d y cõa c¡c ìn lîp ∆h (tùc l kho£ng c¡ch giúa hai nguy¶n tû X theo ph÷ìng th¯ng ùng) khæng ch¿ phö thuëc v o c¡c chi·u d i li¶n k¸t dM−X v dM−M m cán phö thuëc v o gâc t¤o bði c¡c li¶n k¸t. Tuy nhi¶n, khæng câ sü kh¡c bi»t ¡ng kº giúa c¡c gâc hñp bði c¡c li¶n k¸t φ∠XMM v φ∠XMX. Trong c¡c ìn lîp MX, φ∠XMM ≈ 118◦ v φ∠XMX ≈ 100◦. Do â, sü ch¶nh l»ch trong ë d y giúa c¡c ìn lîp chõ y¸u l phö thuëc v o c¡c chi·u d i li¶n k¸t, °c bi»t l
dM−M. K¸t qu£ t½nh to¡n cho th§y ë d y ∆h cõa MX n¬m trong kho£ng tø 4,64 A ¸n 5,60 A. Do dGa−Ga < dIn−In n¶n ë d y cõa c¡c ìn lîp GaX nhä hìn cõa c¡c ìn lîp InX. K¸t qu£ t½nh to¡n cõa chóng tæi phò hñp vîi c¡c t½nh to¡n tr÷îc ¥y [52],[113]. Ch¯ng h¤n theo k¸t qu£ nghi¶n cùu cõa
Demirci v cëng sü [52], h¬ng sè m¤ng cõa c¡c ìn lîp MX câ gi¡ trà trong kho£ng tø 3,64 A (GaS) ¸n 4,40 A (InTe), gi¡ trà n y t«ng d¦n khi nguy¶n tû chalcogen thay êi tø S ¸n Te. çng thíi, ë d y cõa ìn lîp GaX nhä hìn cõa ìn lîp InX vîi còng nguy¶n tû X [52]. K¸t qu£ t½nh to¡n h¬ng sè m¤ng cõa InSe cõa chóng tæi (3,89 A) x§p x¿ vîi k¸t qu£ o ¤c thüc nghi»m cõa Mudd v cëng sü (4,00 A) [68].