monochalcogenide nhâm III M2XY (M = Ga, In; X/Y = S, Se, Te; X 6= Y)
ìn lîp Janus M2XY (M = Ga, In v X/Y = S, Se, Te) câ thº ÷ñc x¥y düng tø ìn lîp MX b¬ng c¡ch thay th¸ mët lîp nguy¶n tû chalcogen X trong ìn lîp MX b¬ng mët lîp nguy¶n tû chalcogen kh¡c (lîp nguy¶n tû chalcogen Y). Nh÷ ¢ · cªp trong Ch÷ìng III, ð tr¤ng th¡i c¥n b¬ng, c¡c ìn lîp MX v MY thuëc nhâm èi xùngP6m2 (D3h) vîi c§u tróc èi xùng g÷ìng theo ph÷ìng th¯ng ùng (z → −z). C§u tróc èi xùng g÷ìng n y s³ bà ph¡ vï khi thay th¸ mët lîp nguy¶n tû chalcogen n y bði mët lîp nguy¶n tû chalcogen kh¡c trong MX º t¤o n¶n c§u tróc Janus M2XY. Janus M2XY thuëc nhâm èi xùngP3m1(C3v) v khæng cán y¸u tè èi xùng g÷ìng theo ph÷ìng th¯ng ùng nh÷ trong c¡c vªt li»u monochalcogenide MX.
C§u tróc nguy¶n tû cõa Janus M2XY ÷ñc biºu di¹n ð H¼nh 3.1. C¡c t½nh ch§t vªt lþ cõa vªt li»u hai chi·u nâi chung v vªt li»u monochalcogenide nâi ri¶ng phö thuëc r§t lîn v o c§u tróc èi xùng cõa chóng. Do â, vîi
x y M X Y z x y z M = Ga, In X/Y = S, Se, Te
H¼nh 3.1: C§u tróc nguy¶n tû theo c¡c gâc nh¼n kh¡c nhau cõa ìn lîp Janus monochalcogenide nhâm III M2XY (M = Ga, In; X/Y = S, Se, Te; X6= Y).
c§u tróc b§t èi xùng, c¡c vªt li»u Janus ÷ñc ký vång l s³ câ nhi·u t½nh ch§t vªt lþ mîi l¤ m khæng tçn t¤i trong c¡c vªt li»u èi xùng. K¸t qu£ t½nh to¡n v· c¡c tham sè c§u tróc cõa c¡c ìn lîp Janus M2XY ÷ñc li»t k¶ ð B£ng 3.1. Tø B£ng 3.1, chóng ta th§y r¬ng h¬ng sè m¤ng a cõa M2XY câ gi¡ trà thay êi tø 3,73 A (Ga2SSe) ¸n 4,23 A (In2SeTe). D¹ nhªn th§y r¬ng, chi·u d i li¶n k¸t MM dM−M l nh÷ nhau trong t§t c£ c¡c ìn lîp M2XY, cö thº, dGa−Ga = 2,47 A (trong Ga2XY) v dIn−In = 2,83 A (trong In2XY). H¬ng sè m¤ng cõa c¡c c§u tróc Janus M2XY n¬m giúa c¡c gi¡ trà h¬ng sè m¤ng cõa ìn lîp monochalcogenide MX v MY (xem B£ng 2.1). K¸t qu£ t½nh to¡n cõa chóng tæi phò hñp vîi c¡c nghi¶n cùu DFT tr÷îc ¥y [91],[94]. C¡c t½nh to¡n cõa Huang v cëng sü [94] cho th§y r¬ng h¬ng sè m¤ng cõa ìn lîp Janus Ga2SSe l 3,72 A v Janus In2SeTe ÷ñc Wan v cëng sü b¡o c¡o câ h¬ng sè m¤ng l 4,24 A [91]. Trong tøng ìn lîp, câ sü kh¡c bi»t lîn trong chi·u d i li¶n k¸t giúa MX dMX v MY dMY. Ch½nh sü kh¡c bi»t n y l nguy¶n nh¥n g¥y ra sü ph¡ vï èi xùng g÷ìng theo ph÷ìng th¯ng ùng trong c§u tróc Janus. Chi·u d i cõa c¡c li¶n k¸t trong c¡c c§u tróc Janus phö thuëc v o b¡n k½nh nguy¶n tû cõa c¡c nguy¶n tè. K¸t qu£ t½nh to¡n cõa chóng tæi ¢ ch¿ ra r¬ng, chi·u d i li¶n k¸t dMX
t«ng khi nguy¶n tû chalcogen thay êi tø S ¸n Te. Do h¬ng sè m¤ng a t¿ l» thuªn vîi dM−X, v¼ vªy, h¬ng sè m¤ng a công s³ t«ng l¶n khi nguy¶n tû chalcogen thay êi tø S ¸n Te. ë d y cõa ìn lîp ∆h (kho£ng c¡ch giúa X v Y) cõa M2XY công t«ng khi c¡c nguy¶n tû chalcogen thay êi tø S
B£ng 3.1: H¬ng sè m¤nga, chi·u d i li¶n k¸t giúa c¡c nguy¶n tû d, ë d y ìn lîp ∆h v gâc hñp bði c¡c nguy¶n tû XMMφ∠XMM v MMYφ∠MMY cõa ìn lîp Janus M2XY (M = Ga, In; X/Y = S, Se, Te; X6=Y).
a dMX dMY dMM ∆h φ∠XMM φ∠MMY (A) (A) (A) (A) (A) (ë) (ë) Ga2SSe 3,73 2,39 2,47 2,47 4,73 115,75 119,64 Ga2STe 3,90 2,45 2,64 2,47 4,80 113,47 121,47 Ga2SeTe 3,97 2,53 2,69 2,47 4,90 115,25 120,48 In2SSe 4,01 2,58 2,65 2,83 5,27 116,27 119,31 In2STe 4,17 2,62 2,84 2,83 5,37 113,37 121,93 In2SeTe 4,23 2,71 2,85 2,83 5,47 115,51 121,07
¸n Te. K¸t qu£ t½nh to¡n v· ë d y công nh÷ gâc giúa c¡c li¶n k¸t φ∠ cõa c¡c ìn lîp M2XY công ÷ñc tr¼nh b y ð B£ng 3.1. Sü kh¡c bi»t trong c§u tróc nguy¶n tû, °c bi»t ë d i cõa li¶n k¸t giúa c¡c nguy¶n tû trong c¡c vªt li»u v ë d y cõa ìn lîp, s³ l m cho c¡c °c tr÷ng dao ëng m¤ng cõa c¡c vªt li»u s³ kh¡c nhau công nh÷ £nh h÷ðng ¸n ë b·n cõa c¡c vªt li»u â.
3.3. Phê phonon v sü ên ành nhi»t
3.3.1. Phê phonon v c¡c °c tr÷ng dao ëng m¤ng cõa Janus M2XY ìn lîp Chóng tæi ti¸n h nh t½nh to¡n v ph¥n t½ch phê phonon cõa c¡c ìn lîp º kiºm tra ë ên ành ëng håc cõa chóng. Phê phonon cõa c¡c ìn lîp Janus M2XY ÷ñc t½nh to¡n düa tr¶n lþ thuy¸t nhi¹u lo¤n phi¸m h m mªt ë (DFPT) [111] thæng qua gâi ph¦n m·m mæ phäng Quantum Espresso [102]. Phê phonon cõa c§u tróc Janus M2XY ¢ ÷ñc t½nh to¡n v tr¼nh b y trong H¼nh 3.2. Æ ìn và cõa ìn lîp Janus M2XY chùa bèn nguy¶n tû, gçm hai nguy¶n tû M v hai nguy¶n tû chalcogen kh¡c nhau (X v Y). Do â, phê phonon cõa ìn lîp M2XY câ 12 nh¡nh dao ëng, bao
H¼nh 3.2: Phê phonon cõa c¡c ìn lîp Janus Ga2XY (a) v In2XY (b).
gçm ba nh¡nh dao ëng ¥m v ch½n nh¡nh dao ëng quang. Tø H¼nh 3.2, chóng ta th§y r¬ng câ mët kho£ng t¦n sè m ð â c£ c¡c dao ëng ¥m v dao ëng quang còng tçn t¤i. i·u n y câ thº d¨n ¸n sü t¡n x¤ m¤nh giúa phonon ¥m v phonon quang trong c¡c vªt li»u Janus v £nh h÷ðng ¸n ë d¨n nhi»t cõa chóng. Trong c¡c nh¡nh quang, câ ba nh¡nh suy bi¸n bëi hai t¤i iºm Γ v ch¿ câ ba nh¡nh khæng suy bi¸n. Nh÷ ¢ · cªp b¶n tr¶n, Janus M2XY thuëc v· nhâm èi xùng C3v. C¡c mode phonon t¤i iºm Γ ÷ñc ph¥n t¡ch th nh ΓC3v = 3A1 ⊕3E v c¡c mode khæng suy bi¸n trong dao ëng quang l c¡c mode dao ëng A1. i·u n y l kh¡c vîi c¡c ìn lîp monochalcogenide MX (c§u tróc èi xùng cõa MX thuëc nhâm D3h vîi ΓD3h = A01⊕A002⊕A001 ⊕E0⊕2E00), c¡c mode dao ëng khæng suy bi¸n trong phê phonon cõa ìn lîp MX l c¡c mode A01,A002 v A001. B¶n c¤nh â, t¦n sè phonon, °c bi»t l t¦n sè cõa dao ëng quang, phö thuëc m¤nh v o k½ch
Thời gian (ps) Thời gian (ps) Thời gian (ps) Nhiệt độ (K) Nhiệt độ (K) (a) (b) (d) (e) (f) 300 K (c)
trước khi nung sau khi nung trước khi nung sau khi nung
trước khi nung sau khi nung trước khi nung sau khi nung trước khi nung sau khi nung trước khi nung sau khi nung
H¼nh 3.3: Mæ phäng AIMD v· dao ëng nhi»t theo thíi gian ð nhi»t ë pháng cõa ìn lîp Ga2SSe (a), Ga2STe (b), Ga2SeTe (c), In2SSe (d), In2STe (e) v In2SeTe (f). H¼nh ch±n b¶n trong l c§u tróc nguy¶n tû cõa M2XY tr÷îc v sau khi xû lþ nhi»t.
th÷îc cõa c¡c nguy¶n tû chalcogen. T¦n sè cüc ¤i cõa c¡c nh¡nh quang gi£m khi nguy¶n tû chalcogen thay êi tø S sang Te. Tø H¼nh 3.2, rã r ng r¬ng khæng tçn t¤i c¡c dao ëng vîi t¦n sè câ gi¡ trà ¥m. i·u n y câ ngh¾a l c£ s¡u c§u tróc Janus M2XY câ ên ành ëng håc cao.
3.3.2. ë ên ành nhi»t
Trong khi ên ành ëng håc l sü £m b£o cho mët vªt li»u câ thº tçn t¤i v· m°t vªt lþ, th¼ ên ành nhi»t l i·u ki»n c¦n thi¸t º vªt li»u câ thº dòng trong c¡c thi¸t bà thüc t¸. º kiºm tra ë ên ành nhi»t cõa c¡c ìn lîp Janus M2XY, chóng tæi ¢ thüc hi»n c¡c mæ phäng ëng håc ph¥n tû AIMD thæng qua thuªt to¡n Nos²-thermostat [138] ð nhi»t ë pháng trong kho£ng 5 ho°c 6 ps vîi méi b÷îc thay êi l 1 fs (tùc l 5000 ho°c 6000 b÷îc). Sü phö thuëc v o thíi gian cõa dao ëng nhi»t cõa Janus M2XY b¬ng mæ phäng AIMD ÷ñc tr¼nh b y trong H¼nh 3.3. K¸t qu£ t½nh to¡n cõa chóng tæi ¢ cho th§y r¬ng nhi»t ë cõa vªt li»u th«ng gi¡ng vøa ph£i xung quang và tr½ 300 K. Sau khi nung trong thíi gian 56 ps ð nhi»t ë
pháng, khæng câ sü bi¸n d¤ng ¡ng kº, khæng câ sü chuyºn pha c§u tróc v c¡c li¶n k¸t khæng bà ph¡ vï trong c§u tróc cõa M2XY. i·u n y kh¯ng ành t½nh ên ành nhi»t cõa c¡c c§u tróc ìn lîp b§t èi xùng Janus M2XY ð nhi»t ë pháng (300 K).
3.4. T½nh ch§t i»n tû cõa c¡c ìn lîp Janus M2XY
º ùng döng c¡c vªt li»u v o trong c¡c thi¸t bà i»n tû v quang-i»n tû th¼ vi»c nm rã t½nh ch§t i»n tû cõa chóng l r§t quan trång. Trong ph¦n n y, chóng tæi tªp trung nghi¶n cùu c¡c t½nh ch§t i»n tû cõa c¡c vªt li»u Janus ìn lîp M2XY (X/Y = S, Se, Te; X 6= Y) b¬ng lþ thuy¸t phi¸m h m mªt ë. èi vîi c¡c t½nh ch§t i»n tû cõa b¡n d¨n, câ nhi·u c¡ch ti¸p cªn trong c¡c t½nh to¡n düa tr¶n lþ thuy¸t phi¸m h m mªt ë. Tòy thuëc v o tøng h» vªt li»u m ng÷íi ta câ thº sû döng c¡c h m trao êi t÷ìng quan kh¡c nhau º kh£o s¡t c¡c tr¤ng th¡i i»n tû cõa chóng. Ð ¥y, chóng tæi sû döng nhi·u ph÷ìng ph¡p kh¡c nhau º kh£o s¡t c¡c °c tr÷ng cõa i»n tû trong c¡c vªt li»u câ c§u tróc b§t èi xùng Janus nhâm III monochalcogenide M2XY.
Tr÷îc ti¶n, chóng tæi t½nh to¡n c§u tróc vòng n«ng l÷ñng i»n tû cõa M2XY sû döng ph÷ìng ph¡p PBE. C§u tróc vòng n«ng l÷ñng i»n tû cõa t§t c£ s¡u vªt li»u Janus nhâm III monochalcogenide ¢ ÷ñc t½nh to¡n. K¸t qu£ t½nh to¡n cõa chóng tæi ¢ ch¿ ra r¬ng, t§t c£ s¡u ìn lîp M2XY ·u l nhúng b¡n d¨n vîi n«ng l÷ñng vòng c§m EgPBE n¬m trong kho£ng tø 0,91 ¸n 2,07 eV. Gi¡ trà n«ng l÷ñng vòng c§m cõa t§t c£ c§u tróc ÷ñc li»t k¶ ð B£ng 3.2. H¼nh 3.4 biºu di¹n c§u tróc vòng n«ng l÷ñng i»n tû cõa c¡c ìn lîp Janus M2XY ÷ñc v³ theo h÷îng èi xùng ΓMKΓ trong vòng Brillouin. B£ng 3.2 cho th§y r¬ng, n«ng l÷ñng vòng c§m cõa Ga2XY l lîn hìn n«ng l÷ñng cõa In2XY t÷ìng ùng, ch¯ng h¤n EgPBE cõa Ga2SSe l 2,07 eV trong khi cõa In2SSe ch¿ l 1,54 eV. C¡c hñp ch§t câ chùa th nh ph¦n SSe, nh÷ Ga2SSe ho°c In2SSe câ n«ng l÷ñng vòng c§m
B£ng 3.2: ë rëng vòng c§m sû döng ph÷ìng ph¡p PBEEgPBE, HSE06 EgHSE06, v PBE+SOC EgPBE+SOC. Gi¡ trà ph¥n t¡ch spinquÿ ¤o ∆Esplit b¬ng ph÷ìng ph¡p PBE+SOC. T§t c£ c¡c ¤i l÷ñng ·u t½nh b¬ng ìn và eV.
EgPBE EgHSE EgPBE+SOC ∆Esplit
Ga2SSe 2,07 2,91 2,05 0,09 Ga2STe 0,91 1,55 0,69 0,57 Ga2SeTe 1,16 1,81 0,85 0,42 In2SSe 1,54 2,24 1,51 0,20 In2STe 0,90 1,50 0,68 0,48 In2SeTe 1,08 1,66 0,83 0,30
lîn nh§t v gi¡ trà n«ng l÷ñng vòng c§m cõa M2XY tu¥n theo quy luªt
EM2STe
g < EM2SeTe
g < EM2SSe
g . C¡c k¸t qu£ n y cõa chóng tæi phò hñp vîi c¡c cæng tr¼nh nghi¶n cùu tr÷îc ¥y [94],[93].
Trong c¡c t½nh to¡n düa tr¶n lþ thuy¸t phi¸m h m mªt ë, ph÷ìng ph¡p PBE l mët trong nhúng ph÷ìng ph¡p ÷ñc sû döng mët c¡ch rëng r¢i v ½t tèn k²m t i nguy¶n nh§t (h» thèng m¡y t½nh) º nghi¶n cùu c§u tróc i»n tû cõa vªt li»u. Ph÷ìng ph¡p n y câ thº mæ t£ ÷ñc c¡c °c tr÷ng cì b£n c§u tróc i»n tû cõa vªt li»u công nh÷ xu h÷îng thay êi c¡c t½nh ch§t i»n tû cõa chóng. Tuy nhi¶n, nh÷ñc iºm cõa ph÷ìng ph¡p n y l câ thº ÷îc l÷ñng ch÷a ch½nh x¡c gi¡ trà n«ng l÷ñng vòng c§m cõa c¡c b¡n d¨n v i»n mæi [139]. Tuy nhi¶n, v§n · n y câ thº ÷ñc gi£i quy¸t b¬ng c¡ch sû döng h m lai (hybrid functional) [137] ho°c ph÷ìng ph¡p GW [140]. Ð ¥y, chóng tæi s³ sû döng phi¸m h m lai cõa HeydScuseriaErnzerhof (HSE06) [137] º t½nh to¡n c§u tróc vòng n«ng l÷ñng i»n tû cõa c¡c Janus monochalcogenide nhâm III. ¥y ÷ñc xem l mët trong nhúng ph÷ìng ph¡p tèt nh§t º câ thº t½nh to¡n ch½nh x¡c n«ng l÷ñng vòng c§m cõa b¡n d¨n. C§u tróc vòng n«ng l÷ñng cõa Janus M2XY ÷ñc t½nh b¬ng ph÷ìng ph¡p HSE06 ÷ñc tr¼nh b y ð H¼nh 3.4. D¹ d ng nhªn th§y r¬ng, c§u tróc vòng n«ng l÷ñng ÷ñc t½nh b¬ng ph÷ìng ph¡p HSE06 v PBE l câ h¼nh
H¼nh 3.4: C§u tróc vòng n«ng l÷ñng i»n tû cõa ìn lîp Ga2XY (a) v In2XY (b) ÷ñc t½nh to¡n b¬ng ph÷ìng ph¡p PBE (÷íng li·n n²t) v HSE06 (÷íng ùt n²t).
d¡ng t÷ìng tü nhau. Và tr½ cõa CBM v VBM trong vòng Brillouin l khæng thay êi. Tuy nhi¶n, i·u d¹ nhªn th§y l câ sü ch¶nh l»ch lîn trong gi¡ trà n«ng l÷ñng cõa vòng c§m ÷ñc t½nh b¬ng hai ph÷ìng ph¡p. Trong t§t c£ s¡u ìn lîp, gi¡ trà n«ng l÷ñng vòng c§m ÷ñc t½nh b¬ng ph÷ìng ph¡p HSE06 l lîn hìn nhi·u gi¡ trà vòng c§m t½nh b¬ng ph÷ìng ph¡p PBE. ìn lîp Ga2SSe câ vòng c§m rëng nh§t, EgHSE06 = 2,91 eV. Gi¡ trà n«ng l÷ñng vòng c§m ÷ñc t½nh b¬ng ph÷ìng ph¡p HSE06 ÷ñc li»t k¶ trong B£ng 3.2. K¸t qu£ cho th§y, c¡c quy luªt thay êi cõa n«ng l÷ñng vòng c§m theo ph÷ìng ph¡p HSE06 ho n to n phò hñp vîi c¡c xu h÷îng thay êi gièng nh÷ trong ph÷ìng ph¡p PBE ¢ tr¼nh b y ð tr¶n.
T½nh ch§t i»n tû cõa vªt li»u hai chi·u phö thuëc r§t lîn v o c§u tróc èi xùng cõa chóng. H¼nh 3.4 cho th§y r¬ng, trong khi c£ M2STe v M2SeTe (M = Ga, In) ·u l nhúng b¡n d¨n câ vòng c§m th¯ng vîi c£ CBM v VBM n¬m t¤i iºm Γ trong vòng Brillouin, c¡c ìn lîp M2SSe l¤i l nhúng b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n. Trong M2SSe, CBM n¬m t¤i iºm Γ trong khi VBM tr¶n ÷íng th¯ng MK v h¼nh th nh n¶n c§u tróc vòng n«ng l÷ñng câ vòng c§m xi¶n. i·u n y l kh¡c vîi c¡c ìn lîp monochalcogenide nhâm
III MX, t§t c£ ìn lîp monochalcogenide nhâm III MX ·u l nhúng b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n (xem Ch÷ìng III). Nh÷ vªy, rã r ng ¢ câ sü chuyºn pha tø b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n sang b¡n d¨n câ vòng c§m th¯ng khi h¼nh th nh c§u tróc Janus b§t èi xùng M2XY tø c¡c vªt li»u èi xùng monochalcogenide MX. Sü ph¡ vï c§u tróc èi xùng g÷ìng theo ph÷ìng th¯ng ùng trong vªt li»u monochalcogenide ¢ l m xu§t hi»n th¶m c¡c °c tr÷ng mîi trong c§u tróc i»n tû cõa Janus hai chi·u. Tªp trung v o c¡c vòng con l¥n cªn c¡c iºm CBM v VMB, chóng ta th§y r¬ng, trong mët sè Janus, sü ch¶nh l»ch giúa và tr½ cõa CBM (VBM) vîi iºm cüc tiºu cõa vòng d¨n l¥n cªn (iºm cüc ¤i cõa vòng hâa trà l¥n cªn) l khæng ¡ng kº. Ch¯ng h¤n nh÷ Ga2SSe, ch¶nh l»ch v· n«ng l÷ñng giúa VBM (n¬m tr¶n ÷íng th¯ng ΓM) v n«ng l÷ñng cüc ¤i cõa vòng hâa trà t¤i iºm Γ l r§t nhä, ch¿ cï 0,11 eV. Ngh¾a l khæng câ sü kh¡c bi»t lîn trong n«ng l÷ñng vòng c§m (EgCBM→VBM) xi¶n v th¯ng trong Ga2SSe: EgΓ→ΓM = 2,07 eV v
EgΓ→Γ = 2,18 eV (PBE). Hay trong tr÷íng hñp In2SeTe, EgΓ→Γ = 1,08 eV v
EgΓ→ΓM = 1,19 eV. i·u n y câ thº d¨n ¸n suy o¡n r¬ng, c¡c °c tr÷ng cõa c§u tróc vòng n«ng l÷ñng câ thº thay êi khi chàu t¡c ëng cõa c¡c y¸u tè b¶n ngo i nh÷ bi¸n d¤ng ho°c i»n tr÷íng v sü chuyºn pha tø b¡n d¨n câ vòng c§m th¯ng th nh b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n (v ng÷ñc l¤i) câ thº x£y ra. Chóng tæi s³ thüc hi»n v§n · n y trong ph¦n ti¸p theo khi kh£o s¡t £nh h÷ðng cõa bi¸n d¤ng v i»n tr÷íng ngo i l¶n t½nh ch§t i»n tû cõa c¡c c§u tróc Janus M2XY ìn lîp.
º th§y ÷ñc mët c¡ch trüc quan sü âng gâp cõa obitan nguy¶n tû v o sü h¼nh th nh c¡c vòng i»n tû, chóng tæi ¢ t½nh to¡n PDOS b¬ng ph÷ìng ph¡p HSE06 cõa c¡c ìn lîp Janus M2XY nh÷ thº hi»n ð H¼nh 3.5. Tø H¼nh 3.5 chóng ta câ thº th§y r¬ng vòng hâa trà ÷ñc h¼nh th nh vîi sü âng gâp chõ y¸u bði c¡c obitan cõa c¡c nguy¶n tû chalcogen (c¡c obitan
s v p cõa S, Se, Te). Câ hai ph¦n tû chalcogen l X v Y trong M2XY. Trong mi·n n«ng l÷ñng l¥n cªn mùc Fermi, tø 0 ¸n −2 eV, âng gâp cho
H¼nh 3.5: Mªt ë tr¤ng th¡i ri¶ng ph¦n (PDOS) cõa i»n tû trong c¡c ìn lîp Janus Ga2XY (a) v In2XY (b).
vòng hâa trà cõa c¡c obitan p cõa nguy¶n tû chalcogen n°ng hìn (Y) l nêi trëi (ch¯ng h¤n Y = Se v X = S). Trong khi â, ð mi·n n«ng l÷ñng cao hìn, tø −2 eV ¸n −4 eV th¼ c¡c obitan pcõa nguy¶n tû chalcogen nhµ hìn (X) câ ph¦n trëi hìn so vîi âng gâp cõa Y-p cho vòng hâa trà. Trong khi â, âng gâp cõa c¡c obitan nguy¶n tû cho vòng d¨n l kh¡ çng ·u, bao