MX bi¸n d¤ng
º t¼m ki¸m c¡c t½nh ch§t mîi ho°c º cho phò hñp vîi c¡c ùng döng m ng÷íi ta mong muèn, c¡c nh khoa håc ¢ t¼m c¡ch l m thay êi c¡c t½nh ch§t vªt lþ, trong â câ c¡c t½nh ch§t i»n tû cõa c¡c vªt li»u tinh khi¸t. Câ nhi·u c¡ch º l m bi¸n êi c¡c t½nh ch§t i»n tû cõa c¡c vªt li»u
H¼nh 2.9: Mæ h¼nh æ ìn và bi¸n d¤ng: Bi¸n d¤ng theo tröc x (εx) (a), theo tröc y (εy) (b) v çng thíi theo hai tröcx v y (εxy) (c).
hai chi·u, ch¯ng h¤n nh÷ pha t¤p hay t¤o ra khi¸m khuy¸t trong m¤ng tinh thº cõa vªt li»u [133], °t vªt li»u l¶n tr¶n c¡c ¸ b¡n d¨n ho°c l h¼nh th nh c¡c dà c§u tróc van der Waals [134],[106], chùc n«ng hâa b· m°t cõa vªt li»u (hydro hâa, halogen hâa b· m°t...) [122] v °c bi»t l l m bi¸n d¤ng c§u tróc cõa vªt li»u [135]. Bi¸n d¤ng ÷ñc xem l c¡ch ìn gi£n v d¹ d ng nh§t º l m thay êi c¡c t½nh ch§t i»n tû cõa vªt li»u hai chi·u. C¡c nghi¶n cùu tr÷îc ¥y ¢ ch¿ ra r¬ng, c§u tróc i»n tû cõa c¡c vªt li»u hai chi·u phö thuëc r§t lîn v o c§u tróc èi xùng v sü ho n h£o trong c§u tróc nguy¶n tû cõa chóng [135],[136]. Do â, vi»c thay êi c§u tróc nguy¶n tû cõa c¡c vªt li»u hai chi·u câ thº l m xu§t hi»n nhi·u t½nh ch§t mîi m chóng khæng thº tçn t¤i trong c¡c vªt li»u nguy¶n thõy.
2.6.1. Mæ h¼nh bi¸n d¤ng v sü thay êi c§u tróc do bi¸n d¤ng
Vîi c¡c vªt li»u hai chi·u ìn lîp, câ hai kiºu bi¸n d¤ng th÷íng ÷ñc sû döng º kh£o s¡t £nh h÷ðng bi¸n d¤ng l¶n c¡c t½nh ch§t vªt lþ cõa vªt li»u, â l : bi¸n d¤ng dåc theo mët tröc εx ho°c εy v bi¸n d¤ng ph¯ng εxy
(bà k²o ho°c n²n çng thíi theo hai h÷îng x v y). Mæ h¼nh hai lo¤i bi¸n d¤ng n y ÷ñc mæ t£ ð H¼nh 2.9. B¶n c¤nh â, bi¸n d¤ng xon (twist) công ÷ñc kh£o s¡t trong mët sè vªt li»u. Trong c¡c nghi¶n cùu cõa chóng tæi d÷îi ¥y, ch¿ câ bi¸n d¤ng ph¯ng εxy ÷ñc xem x²t.
b¬ng biºu thùc:
εxy = δ −δ0
δ0 ×100%, (2.11)
trong â, δ0 v δ l¦n l÷ñt l h¬ng sè m¤ng tr÷îc v sau khi bà bi¸n d¤ng cõa ìn lîp. Biºu thùc (2.11) ng¦m ành r¬ng gi¡ trà d÷ìng cõa εxy t÷ìng ùng vîi bi¸n d¤ng k²o trong khi bi¸n d¤ng n²n l t÷ìng ùng vîi gi¡ trà ¥m cõa εxy. Chóng tæi s³ kh£o s¡t c¡c ìn lîp bà bi¸n d¤ng trong kho£ng tø
−10% ¸n 10%. Chóng tæi ¢ kiºm tra t½nh b·n vúng cõa c¡c c§u tróc v x¡c ành r¬ng khæng câ sü ph¡ vï c§u tróc hay chuyºn pha c§u tróc ð c¡c ìn lîp monochalcogenide MX (M = Ga, In; X = S, Se, Te) trong kho£ng bi¸n d¤ng n y. H¼nh 2.10 biºu di¹n phê phonon cõa GaTe v InS, hai hñp ch§t ¤i di»n cho hai nhâm GaX v InX, bà bi¸n d¤ng t¤i εxy = ±10%. K¸t qu£ t½nh to¡n cho th§y khæng câ c¡c t¦n sè câ gi¡ trà ¥m trong phê dao ëng cõa c¡c ìn lîp GaTe v InS t¤i εxy = ±10%. i·u n y câ ngh¾a l c¡c ìn lîp n y ên ành v· m°t ëng håc trong kho£ng bi¸n d¤ng tø −10% ¸n 10%.
Tr÷îc ti¶n, chóng tæi kh£o s¡t £nh h÷ðng cõa bi¸n d¤ng εxy l¶n c§u tróc nguy¶n tû cõa c¡c ìn lîp MX. Sü phö thuëc cõa chi·u d i li¶n k¸t v o ë bi¸n d¤ng εxy ÷ñc biºu di¹n ð H¼nh 2.11. Trong c§u tróc cõa c¡c ìn lîp MX, c¡c li¶n k¸t MM dåc theo tröcz (xem H¼nh 2.1). Do â, bi¸n d¤ng
H¼nh 2.11: Sü phö thuëc cõa chi·u d i li¶n k¸tdM−X v dM−M trong ìn lîp monochalcogenide GaX (a) v InX (b) (X = S, Se, Te) v o bi¸n d¤ngεxy.
εxy khæng £nh h÷ðng ¸n c¡c chi·u d i li¶n k¸t dM−M. Tø H¼nh 2.11, chóng ta th§y r¬ng c¡c chi·u d i li¶n k¸t giúa nguy¶n tû M v X dM−X phö thuëc tuy¸n t½nh v o ë bi¸n d¤ng εxy. Ch¶nh l»ch ë d i li¶n k¸t ∆dM−X giúa
dM−X ð tr¤ng th¡i c¥n b¬ng (εxy = 0) v khi bà bi¸n d¤ng vîi εxy = ±10% cï kho£ng 0,2 A. Kho£ng ch¶nh l»ch ∆dM−X n y t«ng d¦n khi X thay êi tø S ¸n Te theo xu h÷îng thay êi h¬ng sè m¤ng cõa c¡c ìn lîp MX (h¬ng sè m¤ng cõa c¡c ìn lîp MX t«ng khi X thay êi tø S ¸n Te).
Khi c§u tróc nguy¶n tû bà bi¸n d¤ng, c¡c °c tr÷ng v· t½nh ch§t c§u tróc cõa vªt li»u công bi¸n êi theo. H¼nh 2.12 biºu di¹n sü phö thuëc cõa n«ng l÷ñng to n ph¦nEtot v o ë bi¸n d¤ngεxy cõa c¡c ìn lîp monochalcogenide MX. K¸t qu£ t½nh to¡n ¢ ch¿ ra r¬ng, n«ng l÷ñng to n ph¦n cõa c¡c ìn lîp MX t«ng nhµ, cï kho£ng 1,5 eV, khi c¡c ìn lîp bà bi¸n d¤ng trong giîi h¤n tø −10% ¸n 10%, tuy nhi¶n sü gia t«ng n«ng l÷ñng to n ph¦n cõa c¡c h» khi bà bi¸n d¤ng n²n v bi¸n d¤ng k²o l kh¡c nhau t÷ìng èi lîn. H¼nh 2.12 cho th§y r¬ng, bi¸n d¤ng n²n l m t«ng nhanh n«ng l÷ñng to n ph¦n cõa h» hìn so vîi bi¸n d¤ng k²o. ë ch¶nh l»ch n«ng l÷ñng to n ph¦n
H¼nh 2.12: Sü phö thuëc cõa n«ng l÷ñng to n ph¦n Etot cõa ìn lîp GaX (a) v InX (b) (X = S, Se, Te) v o bi¸n d¤ngεxy.
cõa h» khi bà bi¸n d¤ng n²n ð εxy = −10% so vîi n«ng l÷ñng to n ph¦n ð và tr½ c¥n b¬ng (εxy = 0) ∆Etot−10% = Etot−10% −Etot0% trong tr÷íng hñp bi¸n d¤ng n²n l lîn hìn g§p hai l¦n trong tr÷íng hñp bi¸n d¤ng k²o ð còng gi¡ trà bi¸n d¤ng (εxy = +10%) ∆Etot+10%. Ch¯ng h¤n, ë ch¶nh l»ch n«ng l÷ñng to n ph¦n khi bà bi¸n d¤ng vîi bi¶n ë 10% so vîi ð tr¤ng th¡i c¥n b¬ng èi vîi ìn lîp GaS trong tr÷íng hñp bi¸n d¤ng n²n v bi¸n d¤ng k²o l¦n l÷ñt l ∆Etot−10% = 1,77 eV v ∆Etot+10% = 0,72 eV. N«ng l÷ñng to n ph¦n cõa h» c ng c¡ch xa gi¡ trà t¤i và tr½ c¥n b¬ng th¼ h» c ng k²m b·n. i·u n y câ ngh¾a l , bi¸n d¤ng n²n câ xu h÷îng l m cho vªt li»u k²m b·n hìn so vîi bi¸n d¤ng k²o.
2.6.2. nh h÷ðng cõa bi¸n d¤ng l¶n c§u tróc vòng n«ng l÷ñng
Bi¸n d¤ng l m thay êi c§u tróc nguy¶n tû v s³ d¨n ¸n sü bi¸n êi c¡c °c tr÷ng i»n tû cõa vªt li»u. H¼nh 2.13 v 2.14 biºu di¹n c§u tróc vòng n«ng l÷ñng i»n tû cõa c¡c ìn lîp GaX v InX (X = S, Se, Te) khi bà bi¸n d¤ng ð mët v i gi¡ trà cõa εxy.
l÷ñng cõa tøng nhâm (GaX v InX), chóng tæi thüc hi»n mët v i ph¥n t½ch v ¡nh gi¡ chung v· £nh h÷ðng cõa bi¸n d¤ng εxy l¶n c§u tróc vòng n«ng l÷ñng cõa c¡c ìn lîp MX. Trong kho£ng bi¸n d¤ng εxy tø −10% ¸n 10%, bi¸n d¤ng khæng l m thay êi c¡c °c tr÷ng ch½nh cõa c§u tróc i»n tû cõa c¡c ìn lîp MX. T§t c£ c¡c ìn lîp MX v¨n sð húu c¡c °c tr÷ng cõa b¡n d¨n v khæng câ sü chuyºn pha tø b¡n d¨n sang kim lo¤i trong to n mi·n bi¸n d¤ng ÷ñc kh£o s¡t. Bi¸n d¤ng câ thº l m thay êi và tr½ cõa VBM nh÷ ký vång nh÷ng công çng thíi l m thay êi luæn và tr½ cõa CBM. Do â, bi¸n d¤ng ¢ khæng l m thay êi °c tr÷ng cõa vòng c§m (th¯ng hay xi¶n) ð mët v i ìn lîp so vîi trong tr÷íng hñp khæng bà bi¸n d¤ng. Tuy nhi¶n, bi¸n d¤ng ¢ g¥y ra £nh h÷ðng mët c¡ch ¡ng kº l¶n gi¡ trà ë rëng
xy% xy% xy% xy% xy% xy% Bi n d ng nén Bi n d ng kéo N ng l ng (eV) (a) N ng l ng (e V) (b) N ng l ng (eV) (c) GaS GaSe GaTe M K M K
H¼nh 2.13: C§u tróc vòng n«ng l÷ñng cõa c¡c ìn lîp GaS (a), GaSe (b) v GaTe (c) khi bà bi¸n d¤ngεxy.
vòng c§m cõa t§t c£ s¡u ìn lîp MX ÷ñc kh£o s¡t.
C§u tróc vòng n«ng l÷ñng cõa c¡c ìn lîp GaX bi¸n d¤ng ÷ñc biºu di¹n ð H¼nh 2.13. Khi câ m°t cõa bi¸n d¤ng εxy, c§u tróc vòng n«ng l÷ñng cõa c¡c ìn lîp GaX bà thay êi mët c¡ch ¡ng kº, °c bi»t l trong tr÷íng hñp bi¸n d¤ng n²n (εxy < 0). H¼nh 2.13 cho th§y r¬ng bi¸n d¤ng k²o (εxy > 0) ¢ l m gi£m m¤nh ë rëng vòng c§m cõa c£ ba ìn lîp GaX. Tuy nhi¶n, và tr½ cõa CBM v VBM khæng thay êi trong to n mi·n bi¸n d¤ng k²o tø 0 ¸n 10%. Trong khi â, bi¸n d¤ng n²n khæng ch¿ l m thay êi mët c¡ch ¡ng kº ë rëng vòng c§m cõa c¡c ìn lîp m cán l m dàch chuyºn và tr½ cõa CBM v VBM cõa chóng. C¡c t½nh to¡n cõa chóng tæi ¢ ch¿ ra r¬ng, khi câ m°t cõa bi¸n d¤ng n²n, CBM cõa ìn lîp GaS ¢ dàch chuyºn ra khäi iºm Γ. Cö thº, CBM cõa GaS ¢ dàch chuyºn tø iºm Γ sang iºm K khi bà bi¸n d¤ng n²n vîi c÷íng ë t¤i εxy = −2% nh÷ biºu di¹n ð H¼nh 2.13(a). Ti¸p töc t«ng ë bi¸n d¤ng n²n, CBM cõa GaS câ xu h÷îng dàch chuyºn tø iºm K sang iºm M, v CBM n¬m t¤i iºm M khi
εxy = −6%. Tuy vªy, trong to n mi·n bi¸n d¤ng, tø −10% ¸n 10%, và tr½ VBM khæng thay êi. Do â, cho dò bi¸n d¤ng l m thay êi ¡ng kº c§u tróc vòng n«ng l÷ñng cõa GaS nh÷ng °c t½nh b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n cõa nâ v¨n giú nguy¶n. T÷ìng tü GaS, bi¸n d¤ng n²n công l m di chuyºn và tr½ CBM cõa GaSe tø iºm Γ (t¤i εxy = 0%) sang iºm K (t¤i εxy = −4%) rçi ¸n iºm M (t¤i εxy = −10%) nh÷ biºu di¹n ð H¼nh 2.13(b). B¶n c¤nh â, bi¸n d¤ng n²n cán câ xu h÷îng l m thay êi và tr½ cõa VBM tø và tr½ n¬m tr¶n ÷íng th¯ngΓK sang iºm Γ. Khi εxy = −6%, VBM cõa GaSe ¢ ríi và tr½ tr¶n ÷íng th¯ng ΓK º ¸n n¬m t¤i iºm Γ trong vòng Brillouin. Tuy nhi¶n, CBM ¢ ríi iºm Γ tr÷îc â, v¼ vªy, GaSe v¨n l mët b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n khi chàu £nh h÷ðng cõa bi¸n d¤ng εxy. Xu h÷îng thay êi c§u tróc vòng n«ng l÷ñng cõa GaTe khi chàu £nh h÷ðng cõa bi¸n d¤ng l kh¡c vîi tr÷íng hñp GaS v GaSe. H¼nh 2.13(c) cho th§y r¬ng bi¸n d¤ng n²n khæng l m thay êi và tr½ cõa CBM (luæn n¬m t¤i iºm K). Tuy nhi¶n,
H¼nh 2.14: C§u tróc vòng n«ng l÷ñng cõa c¡c ìn lîp InS (a), InSe (b) v InTe (c) khi bà bi¸n d¤ngεxy.
bi¸n d¤ng n²n công ¢ l m thay êi và tr½ VBM cõa GaTe. VBM cõa GaTe s³ n¬m t¤i iºm Γ khi ë bi¸n d¤ng n²n lîn hìn −4%. Trong khi â, bi¸n d¤ng k²o ¢ ngay lªp tùc l m cho và tr½ cõa CBM dàch chuyºn tø iºm K ra iºm Γ. Công c¦n l÷u þ r¬ng, ð tr¤ng th¡i c¥n b¬ng nh÷ biºu di¹n trong H¼nh 2.5(a), ch¶nh l»ch n«ng l÷ñng giúa CBM (t¤i iºm K) v cüc tiºu n«ng l÷ñng vòng d¨n t¤i iºm Γ trong GaTe ch¿ kho£ng 0,1 eV. Do â vi»c thay êi và tr½ cõa CBM trong GaTe l câ thº x£y ra khi chàu £nh h÷ðng cõa bi¸n d¤ng.
T÷ìng tü tr÷íng hñp GaX, £nh h÷ðng cõa bi¸n d¤ng εxy l¶n c§u tróc vòng i»n tû cõa c¡c ìn lîp InX l r§t lîn. Bi¸n d¤ng l m thay êi mët c¡ch m¤nh m³ ë rëng vòng c§m cõa c¡c ìn lîp InX çng thíi l m thay
êi và tr½ cõa CBM v VBM cõa chóng. C§u tróc vòng n«ng l÷ñng i»n tû cõa c¡c ìn lîp InX bi¸n d¤ng ð mët v i gi¡ trà cõa εxy ÷ñc biºu di¹n ð H¼nh 2.14. Bi¸n d¤ng ¢ l m thay êi mët c¡ch ¡ng kº ë rëng vòng c§m cõa InS, °c bi»t l bi¸n d¤ng k²o nh÷ thº hi»n ð H¼nh 2.14(a). K¸t qu£ t½nh to¡n cõa chóng tæi ch¿ ra r¬ng bi¸n d¤ng n²n ¢ l m cho VBM cõa InSe dàch chuyºn tø và tr½ tr¶n ÷íng th¯ng ΓM ra iºm Γ t¤i εxy = −8% trong khi CBM v¨n n¬m t¤i iºmΓ. i·u n y câ ngh¾a l ¢ xu§t hi»n sü chuyºn pha tø b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n CBMΓ → VBMΓM ð và tr½ c¥n b¬ng sang b¡n d¨n câ vòng c§m th¯ng CBMΓ → VBMΓ t¤i εxy = −8% trong ìn lîp InSe [xem H¼nh 2.14(b)]. B¶n c¤nh â, trong khi bi¸n d¤ng k²o ch¿ l m thay êi ë rëng vòng c§m m khæng l m thay êi và tr½ cõa CBM th¼ bi¸n d¤ng n²n ¢ l m thay êi lîn c§u tróc i»n tû cõa ìn lîp InTe. CBM cõa InTe câ xu h÷îng dàch chuyºn tø iºm Γ sang iºm K çng thíi VBM câ xu h÷îng dàch ¸n iºm Γ khi chàu t¡c ëng cõa bi¸n d¤ng n²n nh÷ biºu di¹n ð H¼nh 2.14(c). Tuy nhi¶n, khæng câ sü chuyºn pha n o ÷ñc t¼m th§y khi InTe bà bi¸n d¤ng. CBM cõa InTe chuyºn tø iºm Γ ¸n iºm K khi εxy = −4% v VBM cõa nâ công chuyºn ra iºm Γ khi εxy = −8%. i·u n y l t÷ìng tü vîi tr÷íng hñp GaTe ¢ th£o luªn ð b¶n tr¶n. Sü chuyºn pha tø b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n sang b¡n d¨n câ vòng c§m th¯ng trong ìn lîp InSe khi bà bi¸n d¤ng câ thº d¨n ¸n nhi·u sü bi¸n êi trong c¡c t½nh ch§t vªt lþ kh¡c cõa nâ, ch¯ng h¤n nh÷ c¡c °c tr÷ng h§p thö ¡nh s¡ng li¶n quan ¸n vòng c§m th¯ng cõa vªt li»u.
Sü phö thuëc cõa n«ng l÷ñng vòng c§m cõa c¡c ìn lîp MX v o bi¸n d¤ng εxy ÷ñc biºu di¹n ð H¼nh 2.15. K¸t qu£ t½nh to¡n cho th§y r¬ng, xu h÷îng thay êi ë rëng vòng c§m Eg theo bi¸n d¤ng εxy cõa GaX v InX l t÷ìng èi gièng nhau. Trong khi bi¸n d¤ng k²o l m gi£m nhanh ë rëng vòng c§m cõa c¡c ìn lîp MX th¼ bi¸n d¤ng n²n ¢ l m t«ng nhµ ë rëng vòng c§m rçi sau â Eg câ xu h÷îng gi£m xuèng khi ti¸p töc t«ng gi¡ trà bi¸n d¤ng n²n εxy. Vîi gi£m Eg khi chàu £nh h÷ðng cõa bi¸n d¤ng k²o
H¼nh 2.15: Sü phö thuëc cõa n«ng l÷ñng vòng c§m v o bi¸n d¤ng εxy cõa ìn lîp GaX (a) v InX (b) (X = S, Se, Te). Vòng c§m xi¶n v vòng c§m th¯ng ÷ñc kþ hi»u l¦n l÷ñt b¬ng c¡c h¼nh l§p ¦y v h¼nh réng.
nh÷ thº hi»n ð H¼nh 2.15, chóng ta câ thº ký vång r¬ng s³ câ sü chuyºn pha tø b¡n d¨n sang kim lo¤i n¸u ti¸p töc t«ng ë bi¸n d¤ng lîn hìn 10%. Tuy nhi¶n, bi¸n d¤ng lîn câ thº l m ph¡ vï c§u tróc cõa c¡c ìn lîp. Trong ph¤m vi luªn ¡n n y, chóng tæi ch¿ nghi¶n cùu v th£o luªn c¡c k¸t qu£ li¶n quan trong ph¤m vi bi¸n d¤ng tø −10% ¸n 10%.
2.7. K¸t luªn ch÷ìng 2
Trong ch÷ìng n y, chóng tæi ¢ nghi¶n cùu mët c¡ch h» thèng c¡c °c tr÷ng v· c§u tróc v t½nh ch§t i»n tû cõa c¡c vªt li»u hai chi·u ìn lîp monochalcogenide nhâm III MX (M = Ga, In; X = S, Se, Te) b¬ng ph÷ìng ph¡p lþ thuy¸t phi¸m h m mªt ë. Düa tr¶n ph¥n t½ch k¸t qu£ t½nh to¡n phê phonon, c¡c ìn lîp monochalcogenide nhâm III MX ÷ñc kh¯ng ành l câ c§u tróc b·n vúng v· m°t ëng håc. B¶n c¤nh â, ë b·n cì håc cõa c¡c ìn lîp công ¢ ÷ñc kiºm tra thæng qua vi»c t½nh to¡n c¡c h» sè n hçi v so s¡nh vîi ti¶u chu©n BornHuang v· ë b·n cì håc. H¬ng sè m¤ng cõa MX phö thuëc v o k½ch th÷îc cõa c¡c nguy¶n tû. H¬ng sè m¤ng t«ng d¦n khi c¡c nguy¶n tû chalcogen X thay êi tø S ¸n Te. i·u n y chõ y¸u
do chi·u d i c¡c li¶n k¸t dM−X giúa c¡c nguy¶n tû M v X t«ng d¦n khi X thay êi tø S ¸n Te v h¬ng sè m¤ng t¿ l» vîi chi·u d i li¶n k¸t dM−X. Công theo xu h÷îng thay êi n y, h¬ng sè m¤ng cõa ìn lîp GaX nhä hìn cõa InX khi câ còng th nh ph¦n chalcogen X do sü kh¡c bi»t trong k½ch th÷îc nguy¶n tû giúa Ga v In. Ð tr¤ng th¡i c¥n b¬ng, t§t c£ s¡u ìn lîp MX ·u l nhúng b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n vîi ë rëng vòng c§m n¬m trong kho£ng tø 1,25 eV (InTe) ¸n 2,38 eV (GaS) düa tr¶n c¡c t½nh to¡n b¬ng ph÷ìng ph¡p PBE. nh h÷ðng cõa t÷ìng t¡c spinquÿ ¤o l¶n c§u tróc vòng n«ng l÷ñng cõa c¡c ìn lîp MX l khæng ¡ng kº. Düa tr¶n c¡c t½nh to¡n b¬ng ph÷ìng ph¡p PBE+SOC, k¸t qu£ nghi¶n cùu cõa chóng tæi ¢ ch¿ ra r¬ng sü ph¥n t¡ch c¡c vòng n«ng l÷ñng do hi»u ùng SOC trong c¡c ìn lîp MX l r§t nhä v çng thíi £nh h÷ðng cõa hi»u ùng SOC l¶n ë rëng vòng c§m cõa chóng l t÷ìng èi nhä.
nh h÷ðng cõa bi¸n d¤ng l¶n c¡c t½nh ch§t i»n tû cõa c¡c ìn lîp monochalcogenide nhâm III công ¢ ÷ñc kh£o s¡t trong ch÷ìng n y. Bi¸n