Trong khi ên ành ëng håc l sü £m b£o cho mët vªt li»u câ thº tçn t¤i v· m°t vªt lþ, th¼ ên ành nhi»t l i·u ki»n c¦n thi¸t º vªt li»u câ thº dòng trong c¡c thi¸t bà thüc t¸. º kiºm tra ë ên ành nhi»t cõa c¡c ìn lîp Janus M2XY, chóng tæi ¢ thüc hi»n c¡c mæ phäng ëng håc ph¥n tû AIMD thæng qua thuªt to¡n Nos²-thermostat [138] ð nhi»t ë pháng trong kho£ng 5 ho°c 6 ps vîi méi b÷îc thay êi l 1 fs (tùc l 5000 ho°c 6000 b÷îc). Sü phö thuëc v o thíi gian cõa dao ëng nhi»t cõa Janus M2XY b¬ng mæ phäng AIMD ÷ñc tr¼nh b y trong H¼nh 3.3. K¸t qu£ t½nh to¡n cõa chóng tæi ¢ cho th§y r¬ng nhi»t ë cõa vªt li»u th«ng gi¡ng vøa ph£i xung quang và tr½ 300 K. Sau khi nung trong thíi gian 56 ps ð nhi»t ë
pháng, khæng câ sü bi¸n d¤ng ¡ng kº, khæng câ sü chuyºn pha c§u tróc v c¡c li¶n k¸t khæng bà ph¡ vï trong c§u tróc cõa M2XY. i·u n y kh¯ng ành t½nh ên ành nhi»t cõa c¡c c§u tróc ìn lîp b§t èi xùng Janus M2XY ð nhi»t ë pháng (300 K).
3.4. T½nh ch§t i»n tû cõa c¡c ìn lîp Janus M2XY
º ùng döng c¡c vªt li»u v o trong c¡c thi¸t bà i»n tû v quang-i»n tû th¼ vi»c nm rã t½nh ch§t i»n tû cõa chóng l r§t quan trång. Trong ph¦n n y, chóng tæi tªp trung nghi¶n cùu c¡c t½nh ch§t i»n tû cõa c¡c vªt li»u Janus ìn lîp M2XY (X/Y = S, Se, Te; X 6= Y) b¬ng lþ thuy¸t phi¸m h m mªt ë. èi vîi c¡c t½nh ch§t i»n tû cõa b¡n d¨n, câ nhi·u c¡ch ti¸p cªn trong c¡c t½nh to¡n düa tr¶n lþ thuy¸t phi¸m h m mªt ë. Tòy thuëc v o tøng h» vªt li»u m ng÷íi ta câ thº sû döng c¡c h m trao êi t÷ìng quan kh¡c nhau º kh£o s¡t c¡c tr¤ng th¡i i»n tû cõa chóng. Ð ¥y, chóng tæi sû döng nhi·u ph÷ìng ph¡p kh¡c nhau º kh£o s¡t c¡c °c tr÷ng cõa i»n tû trong c¡c vªt li»u câ c§u tróc b§t èi xùng Janus nhâm III monochalcogenide M2XY.
Tr÷îc ti¶n, chóng tæi t½nh to¡n c§u tróc vòng n«ng l÷ñng i»n tû cõa M2XY sû döng ph÷ìng ph¡p PBE. C§u tróc vòng n«ng l÷ñng i»n tû cõa t§t c£ s¡u vªt li»u Janus nhâm III monochalcogenide ¢ ÷ñc t½nh to¡n. K¸t qu£ t½nh to¡n cõa chóng tæi ¢ ch¿ ra r¬ng, t§t c£ s¡u ìn lîp M2XY ·u l nhúng b¡n d¨n vîi n«ng l÷ñng vòng c§m EgPBE n¬m trong kho£ng tø 0,91 ¸n 2,07 eV. Gi¡ trà n«ng l÷ñng vòng c§m cõa t§t c£ c§u tróc ÷ñc li»t k¶ ð B£ng 3.2. H¼nh 3.4 biºu di¹n c§u tróc vòng n«ng l÷ñng i»n tû cõa c¡c ìn lîp Janus M2XY ÷ñc v³ theo h÷îng èi xùng ΓMKΓ trong vòng Brillouin. B£ng 3.2 cho th§y r¬ng, n«ng l÷ñng vòng c§m cõa Ga2XY l lîn hìn n«ng l÷ñng cõa In2XY t÷ìng ùng, ch¯ng h¤n EgPBE cõa Ga2SSe l 2,07 eV trong khi cõa In2SSe ch¿ l 1,54 eV. C¡c hñp ch§t câ chùa th nh ph¦n SSe, nh÷ Ga2SSe ho°c In2SSe câ n«ng l÷ñng vòng c§m
B£ng 3.2: ë rëng vòng c§m sû döng ph÷ìng ph¡p PBEEgPBE, HSE06 EgHSE06, v PBE+SOC EgPBE+SOC. Gi¡ trà ph¥n t¡ch spinquÿ ¤o ∆Esplit b¬ng ph÷ìng ph¡p PBE+SOC. T§t c£ c¡c ¤i l÷ñng ·u t½nh b¬ng ìn và eV.
EgPBE EgHSE EgPBE+SOC ∆Esplit
Ga2SSe 2,07 2,91 2,05 0,09 Ga2STe 0,91 1,55 0,69 0,57 Ga2SeTe 1,16 1,81 0,85 0,42 In2SSe 1,54 2,24 1,51 0,20 In2STe 0,90 1,50 0,68 0,48 In2SeTe 1,08 1,66 0,83 0,30
lîn nh§t v gi¡ trà n«ng l÷ñng vòng c§m cõa M2XY tu¥n theo quy luªt
EM2STe
g < EM2SeTe
g < EM2SSe
g . C¡c k¸t qu£ n y cõa chóng tæi phò hñp vîi c¡c cæng tr¼nh nghi¶n cùu tr÷îc ¥y [94],[93].
Trong c¡c t½nh to¡n düa tr¶n lþ thuy¸t phi¸m h m mªt ë, ph÷ìng ph¡p PBE l mët trong nhúng ph÷ìng ph¡p ÷ñc sû döng mët c¡ch rëng r¢i v ½t tèn k²m t i nguy¶n nh§t (h» thèng m¡y t½nh) º nghi¶n cùu c§u tróc i»n tû cõa vªt li»u. Ph÷ìng ph¡p n y câ thº mæ t£ ÷ñc c¡c °c tr÷ng cì b£n c§u tróc i»n tû cõa vªt li»u công nh÷ xu h÷îng thay êi c¡c t½nh ch§t i»n tû cõa chóng. Tuy nhi¶n, nh÷ñc iºm cõa ph÷ìng ph¡p n y l câ thº ÷îc l÷ñng ch÷a ch½nh x¡c gi¡ trà n«ng l÷ñng vòng c§m cõa c¡c b¡n d¨n v i»n mæi [139]. Tuy nhi¶n, v§n · n y câ thº ÷ñc gi£i quy¸t b¬ng c¡ch sû döng h m lai (hybrid functional) [137] ho°c ph÷ìng ph¡p GW [140]. Ð ¥y, chóng tæi s³ sû döng phi¸m h m lai cõa HeydScuseriaErnzerhof (HSE06) [137] º t½nh to¡n c§u tróc vòng n«ng l÷ñng i»n tû cõa c¡c Janus monochalcogenide nhâm III. ¥y ÷ñc xem l mët trong nhúng ph÷ìng ph¡p tèt nh§t º câ thº t½nh to¡n ch½nh x¡c n«ng l÷ñng vòng c§m cõa b¡n d¨n. C§u tróc vòng n«ng l÷ñng cõa Janus M2XY ÷ñc t½nh b¬ng ph÷ìng ph¡p HSE06 ÷ñc tr¼nh b y ð H¼nh 3.4. D¹ d ng nhªn th§y r¬ng, c§u tróc vòng n«ng l÷ñng ÷ñc t½nh b¬ng ph÷ìng ph¡p HSE06 v PBE l câ h¼nh
H¼nh 3.4: C§u tróc vòng n«ng l÷ñng i»n tû cõa ìn lîp Ga2XY (a) v In2XY (b) ÷ñc t½nh to¡n b¬ng ph÷ìng ph¡p PBE (÷íng li·n n²t) v HSE06 (÷íng ùt n²t).
d¡ng t÷ìng tü nhau. Và tr½ cõa CBM v VBM trong vòng Brillouin l khæng thay êi. Tuy nhi¶n, i·u d¹ nhªn th§y l câ sü ch¶nh l»ch lîn trong gi¡ trà n«ng l÷ñng cõa vòng c§m ÷ñc t½nh b¬ng hai ph÷ìng ph¡p. Trong t§t c£ s¡u ìn lîp, gi¡ trà n«ng l÷ñng vòng c§m ÷ñc t½nh b¬ng ph÷ìng ph¡p HSE06 l lîn hìn nhi·u gi¡ trà vòng c§m t½nh b¬ng ph÷ìng ph¡p PBE. ìn lîp Ga2SSe câ vòng c§m rëng nh§t, EgHSE06 = 2,91 eV. Gi¡ trà n«ng l÷ñng vòng c§m ÷ñc t½nh b¬ng ph÷ìng ph¡p HSE06 ÷ñc li»t k¶ trong B£ng 3.2. K¸t qu£ cho th§y, c¡c quy luªt thay êi cõa n«ng l÷ñng vòng c§m theo ph÷ìng ph¡p HSE06 ho n to n phò hñp vîi c¡c xu h÷îng thay êi gièng nh÷ trong ph÷ìng ph¡p PBE ¢ tr¼nh b y ð tr¶n.
T½nh ch§t i»n tû cõa vªt li»u hai chi·u phö thuëc r§t lîn v o c§u tróc èi xùng cõa chóng. H¼nh 3.4 cho th§y r¬ng, trong khi c£ M2STe v M2SeTe (M = Ga, In) ·u l nhúng b¡n d¨n câ vòng c§m th¯ng vîi c£ CBM v VBM n¬m t¤i iºm Γ trong vòng Brillouin, c¡c ìn lîp M2SSe l¤i l nhúng b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n. Trong M2SSe, CBM n¬m t¤i iºm Γ trong khi VBM tr¶n ÷íng th¯ng MK v h¼nh th nh n¶n c§u tróc vòng n«ng l÷ñng câ vòng c§m xi¶n. i·u n y l kh¡c vîi c¡c ìn lîp monochalcogenide nhâm
III MX, t§t c£ ìn lîp monochalcogenide nhâm III MX ·u l nhúng b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n (xem Ch÷ìng III). Nh÷ vªy, rã r ng ¢ câ sü chuyºn pha tø b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n sang b¡n d¨n câ vòng c§m th¯ng khi h¼nh th nh c§u tróc Janus b§t èi xùng M2XY tø c¡c vªt li»u èi xùng monochalcogenide MX. Sü ph¡ vï c§u tróc èi xùng g÷ìng theo ph÷ìng th¯ng ùng trong vªt li»u monochalcogenide ¢ l m xu§t hi»n th¶m c¡c °c tr÷ng mîi trong c§u tróc i»n tû cõa Janus hai chi·u. Tªp trung v o c¡c vòng con l¥n cªn c¡c iºm CBM v VMB, chóng ta th§y r¬ng, trong mët sè Janus, sü ch¶nh l»ch giúa và tr½ cõa CBM (VBM) vîi iºm cüc tiºu cõa vòng d¨n l¥n cªn (iºm cüc ¤i cõa vòng hâa trà l¥n cªn) l khæng ¡ng kº. Ch¯ng h¤n nh÷ Ga2SSe, ch¶nh l»ch v· n«ng l÷ñng giúa VBM (n¬m tr¶n ÷íng th¯ng ΓM) v n«ng l÷ñng cüc ¤i cõa vòng hâa trà t¤i iºm Γ l r§t nhä, ch¿ cï 0,11 eV. Ngh¾a l khæng câ sü kh¡c bi»t lîn trong n«ng l÷ñng vòng c§m (EgCBM→VBM) xi¶n v th¯ng trong Ga2SSe: EgΓ→ΓM = 2,07 eV v
EgΓ→Γ = 2,18 eV (PBE). Hay trong tr÷íng hñp In2SeTe, EgΓ→Γ = 1,08 eV v
EgΓ→ΓM = 1,19 eV. i·u n y câ thº d¨n ¸n suy o¡n r¬ng, c¡c °c tr÷ng cõa c§u tróc vòng n«ng l÷ñng câ thº thay êi khi chàu t¡c ëng cõa c¡c y¸u tè b¶n ngo i nh÷ bi¸n d¤ng ho°c i»n tr÷íng v sü chuyºn pha tø b¡n d¨n câ vòng c§m th¯ng th nh b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n (v ng÷ñc l¤i) câ thº x£y ra. Chóng tæi s³ thüc hi»n v§n · n y trong ph¦n ti¸p theo khi kh£o s¡t £nh h÷ðng cõa bi¸n d¤ng v i»n tr÷íng ngo i l¶n t½nh ch§t i»n tû cõa c¡c c§u tróc Janus M2XY ìn lîp.
º th§y ÷ñc mët c¡ch trüc quan sü âng gâp cõa obitan nguy¶n tû v o sü h¼nh th nh c¡c vòng i»n tû, chóng tæi ¢ t½nh to¡n PDOS b¬ng ph÷ìng ph¡p HSE06 cõa c¡c ìn lîp Janus M2XY nh÷ thº hi»n ð H¼nh 3.5. Tø H¼nh 3.5 chóng ta câ thº th§y r¬ng vòng hâa trà ÷ñc h¼nh th nh vîi sü âng gâp chõ y¸u bði c¡c obitan cõa c¡c nguy¶n tû chalcogen (c¡c obitan
s v p cõa S, Se, Te). Câ hai ph¦n tû chalcogen l X v Y trong M2XY. Trong mi·n n«ng l÷ñng l¥n cªn mùc Fermi, tø 0 ¸n −2 eV, âng gâp cho
H¼nh 3.5: Mªt ë tr¤ng th¡i ri¶ng ph¦n (PDOS) cõa i»n tû trong c¡c ìn lîp Janus Ga2XY (a) v In2XY (b).
vòng hâa trà cõa c¡c obitan p cõa nguy¶n tû chalcogen n°ng hìn (Y) l nêi trëi (ch¯ng h¤n Y = Se v X = S). Trong khi â, ð mi·n n«ng l÷ñng cao hìn, tø −2 eV ¸n −4 eV th¼ c¡c obitan pcõa nguy¶n tû chalcogen nhµ hìn (X) câ ph¦n trëi hìn so vîi âng gâp cõa Y-p cho vòng hâa trà. Trong khi â, âng gâp cõa c¡c obitan nguy¶n tû cho vòng d¨n l kh¡ çng ·u, bao gçm c¡c obitan X/Y-p v M-s.
Hi»u ùng t÷ìng t¡c spinquÿ ¤o (SOC) âng mët vai trá quan trång trong vi»c x¡c ành t½nh ch§t i»n tû cõa vªt li»u, °c bi»t l trong tr÷íng hñp hñp ch§t chùa c¡c nguy¶n tè n°ng. Vªt li»u chùa nguy¶n tè c ng n°ng th¼ £nh h÷ðng cõa SOC ¸n c¡c °c t½nh i»n tû cõa vªt li»u â c ng lîn. C¡c t½nh to¡n tr÷îc ¥y ¢ ch¿ ra r¬ng, SOC khæng ch¿ g¥y n¶n sü bi¸n êi mët c¡ch ¡ng kº trong c§u tróc n«ng l÷ñng cõa c¡c vªt li»u Janus dichalcogenide m cán l m xu§t hi»n hi»u ùng ph¥n t¡ch Rashba trong c§u tróc vòng n«ng l÷ñng cõa c¡c ìn lîp Janus dichalcogenide nh÷ MoSSe hay WSeTe [89],[141]. º kh£o s¡t £nh h÷ðng cõa SOC l¶n c¡c °c tr÷ng cõa
H¼nh 3.6: C§u tróc vòng n«ng l÷ñng ÷ñc t½nh b¬ng ph÷ìng ph¡p PBE+SOC cõa Ga2XY (a) v In2XY (b).
i»n tû trong Janus M2XY ìn lîp, chóng tæi ¢ sû döng ph÷ìng ph¡p PBE+SOC [109] º t½nh to¡n c§u tróc vòng n«ng l÷ñng i»n tû cõa chóng. H¼nh 3.6 biºu di¹n c§u tróc vòng n«ng l÷ñng cõa M2XY ÷ñc t½nh b¬ng ph÷ìng ph¡p PBE+SOC. Khi hi»u ùng SOC ÷ñc t½nh ¸n, suy bi¸n spin t¤i CBM v VBM bà lo¤i bä v câ sü ph¥n t¡ch c¡c vòng trong c§u tróc n«ng l÷ñng cõa Janus M2XY. So vîi tr÷íng hñp khæng t½nh ¸n £nh h÷ðng cõa SOC (xem H¼nh 3.4), c§u tróc vòng n«ng l÷ñng i»n tû cõa M2XY bà thay êi mët c¡ch ¡ng kº. Câ thº th§y r¬ng, trong khi hi»u ùng SOC ch¿ l m gi£m nhµ ë rëng vòng c§m cõa c¡c ìn lîp Janus Ga2SSe v In2SSe, th¼ ë rëng vòng c§m cõa bèn ìn lîp cán l¤i ¢ bà gi£m mët c¡ch ¡ng kº do £nh h÷ðng cõa hi»u ùng SOC. Ch¯ng h¤n, vòng c§m cõa Ga2SeTe gi£m tø EgPBE = 1,16 eV xuèng EgPBE+SOC = 0,85 eV (gi£m 27%) hay vòng c§m cõa In2SeTe gi£m tø EgPBE = 1,08 eV xuèng EgPBE+SOC = 0,83 eV (gi£m
H¼nh 3.7: N«ng l÷ñng vòng c§m cõa c¡c ìn lîp M2XY ÷ñc t½nh b¬ng ph÷ìng ph¡p PBE, HSE06 v PBE+SOC.
23%) khi câ m°t cõa hi»u ùng SOC. Rã r ng r¬ng, c¡c £nh h÷ðng cõa SOC l¶n t½nh ch§t i»n tû cõa c¡c hñp ch§t chùa c¡c nguy¶n tè câ k½ch th÷îc lîn l m¤nh hìn c¡c hñp ch§t chùa c¡c nguy¶n tè nhµ hìn. H¼nh 3.7 biºu di¹n mët c¡ch trüc quan sü thay êi cõa n«ng l÷ñng vòng c§m cõa c¡c ch§t khi t½nh b¬ng c¡c ph÷ìng ph¡p kh¡c nhau. Ngo i ra, t¤i iºm Γ, hi»u ùng SOC ¢ l m xu§t hi»n mët kho£ng n«ng l÷ñng ∆Esplit do hi»n t÷ñng t¡ch mùc n«ng l÷ñng trong vòng hâa trà (xem H¼nh 3.6). Tòy thuëc v o tøng lo¤i Janus, gi¡ trà cõa ∆Esplit dao ëng trong kho£ng tø 0,09 eV ¸n 0,57 eV. Tr÷îc ¥y, c¡c gi¡ trà ph¥n t¡ch spin quÿ ¤o cao công ¢ ÷ñc t¼m th§y trong c¡c ìn lîp Janus dichalcogenide WSSe (0,44 eV) hay WSeTe (0,46 eV) [141]. Sü ph¥n t¡ch c¡c vòng n«ng l÷ñng công x£y ra trong vòng d¨n, tuy nhi¶n, gi¡ trà ∆EsplitC trong vòng d¨n l khæng ¡ng kº. i·u n y l phò hñp vîi c¡c t½nh to¡n tr÷îc ¥y cho c¡c h» vªt li»u hai chi·u t÷ìng tü [142, 143]. C¡c t½nh to¡n cõa chóng tæi khæng t¼m th§y sü dàch chuyºn Rashba trong c¡c ìn lîp Janus M2XY. K¸t qu£ t½nh to¡n chi ti¸t cho ë rëng vòng c§m EgPBE+SOC công nh÷ ∆Esplit b¬ng ph÷ìng ph¡p PBE+SOC ÷ñc li»t k¶ trong B£ng 3.2.
3.5. nh h÷ðng cõa bi¸n d¤ng v i»n tr÷íng ngo i l¶n t½nh ch§t i»n tû cõa Janus M2XY
C¡c t½nh ch§t vªt lþ, °c bi»t l c¡c t½nh ch§t i»n tû, cõa vªt li»u 2D nâi chung v vªt li»u monochalcogenide nâi ri¶ng r§t d¹ bà bi¸n êi d÷îi t¡c ëng cõa c¡c y¸u tè b¶n ngo i, ch¯ng h¤n nh÷ bi¸n d¤ng cì håc hay i»n tr÷íng ngo i [135],[144]. D÷îi ¥y, chóng tæi s³ kh£o s¡t £nh h÷ðng cõa bi¸n d¤ng ph¯ng εxy (bà k²o ho°c n²n çng thíi theo hai h÷îng x v y) v i»n tr÷íng ngo i vuæng gâc E (h÷îng cõa i»n tr÷íng dåc theo tröc z
trong H¼nh 3.1) l¶n t½nh ch§t i»n tû cõa c¡c ìn lîp Janus M2XY. 3.5.1. T½nh ch§t i»n tû cõa Janus M2XY bi¸n d¤ng
Bi¸n d¤ng ÷ñc xem l mët trong nhúng c¡ch thæng döng nh§t ÷ñc dòng º l m bi¸n êi c¡c t½nh ch§t i»n tû cõa c¡c vªt li»u hai chi·u. ë bi¸n d¤ng εxy ÷ñc ành ngh¾a nh÷ ð cæng thùc (2.11) v chóng tæi s³ kh£o s¡t c¡c ìn lîp bà bi¸n d¤ng trong kho£ng tø −10% ¸n 10%. H¼nh 3.8 v 3.9 tr¼nh b y c§u tróc vòng n«ng l÷ñng i»n tû cõa Janus Ga2XY v In2XY khi câ m°t cõa bi¸n d¤ng. K¸t qu£ t½nh to¡n cõa chóng tæi cho th§y r¬ng bi¸n d¤ng £nh h÷ðng lîn ¸n c§u tróc vòng n«ng l÷ñng i»n tû. Bi¸n d¤ng khæng ch¿ l m thay êi ë rëng vòng c§m cõa vªt li»u m cán câ thº l m thay êi và tr½ cõa CBM ho°c VBM. H» qu£ l sü chuyºn pha tø b¡n d¨n câ vòng c§m th¯ng sang b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n (v ng÷ñc l¤i) ¢ x£y ra. Trong khi bi¸n d¤ng k²o khæng l m thay êi và tr½ cõa CBM th¼ VBM câ xu h÷îng bà dàch chuyºn d÷îi t¡c ëng cõa bi¸n d¤ng k²o. K¸t qu£ t½nh to¡n cõa chóng tæi ¢ cho th§y r¬ng VBM cõa Ga2STe v Ga2SeTe câ xu h÷îng dàch chuyºn khäi iºm Γ d÷îi £nh h÷ðng cõa bi¸n d¤ng k²o. H» qu£ l , sü chuyºn pha tø b¡n d¨n câ vòng c§m th¯ng sang b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n ¢ ÷ñc t¼m th§y trong Ga2STe (t¤i εb = 8%) v Ga2SeTe (t¤i
iºm Γ ¸n n¬m tr¶n ÷íng th¯ng ΓM v h¼nh th nh n¶n c¡c b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n CBMΓ → VBMΓM nh÷ thº hi»n trong H¼nh 3.8(b,c).
Khi Ga2XY bà bi¸n d¤ng n²n, c§u tróc vòng n«ng l÷ñng cõa chóng bà thay êi mët c¡ch ¡ng kº. ë rëng vòng c§m cõa Ga2SSe t«ng mët c¡ch ¡ng kº khi chàu £nh h÷ðng cõa bi¸n d¤ng n²n. Trong khi â, ë rëng vòng c§m cõa Ga2STe v Ga2SeTe câ xu h÷îng gi£m khi bi¸n d¤ng n²n lîn hìn
−5%. Thó và hìn c£, sü chuyºn pha tø b¡n d¨n câ vòng c§m th¯ng th nh b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n ho°c ng÷ñc l¤i ¢ ÷ñc t¼m th§y trong c£ ba c§u tróc. óng nh÷ nhªn x²t v· c§u tróc vòng n«ng l÷ñng cõa c¡c Janus ð b¶n tr¶n, sü ch¶nh l»ch n«ng l÷ñng giúa VBM v iºm cüc ¤i l¥n cªn trong Ga2SSe l khæng lîn, do â, bi¸n d¤ng n²n ¢ l m cho VBM cõa Ga2SSe
H¼nh 3.8: C§u tróc vòng n«ng l÷ñng cõa Janus Ga2XY khi bà bi¸n d¤ngεxy: Ga2SSe (a), Ga2STe (b) v Ga2SeTe (c).
H¼nh 3.9: C§u tróc vòng n«ng l÷ñng cõa Janus In2XY khi bà bi¸n d¤ng εxy: In2SSe (a), In2STe (b) v In2SeTe (c).
dàch chuyºn tø tr¶n ÷íng th¯ng ΓM sang iºm Γ º bi¸n Ga2SSe th nh mët b¡n d¨n câ vòng c§m th¯ng t¤i εb = −4%.
T÷ìng tü, sü chuyºn pha công x£y ra trong tr÷íng hñp In2XY khi chóng chàu t¡c ëng cõa bi¸n d¤ng k²o. Sü chuyºn pha tø b¡n d¨n câ vòng c§m th¯ng sang b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n ¢ ÷ñc t¼m th§y trong In2STe v In2SeTe [xem H¼nh 3.9(b,c)]. C¡c k¸t qu£ t½nh to¡n cho th§y, c¡c ìn lîp In2STe v In2SeTe trð th nh c¡c b¡n d¨n câ vòng c§m xi¶n khi ë bi¸n