- Hệ số khuếch đại cơng suất (độ lợi cơng suất):
6.2Ghép trực tiếp
6. Các dạng ghép liên tầng
6.2Ghép trực tiếp
Để khuếch đại các tín hiệu một chiều hoặc tần số rất thấp (tín hiệu biến thiên chậm) khơng thể ghép tầng bằng tụ điện hoặc biến áp mà người ta nối trực tiếp ngõ ra tầng trước với ngõ vào tầng sau. Trên hình 2.30 là một ví dụ về kiểu ghép này.
Chế độ tĩnh của các tầng liên quan với nhau. Hiện tượng khơng ổn định điểm làm việc của tầng này sẽ gây ra sự xê dịch điểm làm việc của tầng kia và do đĩ làm thay đổi điện áp ra. Vì vậy người ta thường thực hiện hồi tiếp để hạn chế “sự trơi điểm tĩnh” vừa nêu.
Trên mạch ở hình 2.30, R3 R6 là các điện trở ổn định dịng tĩnh của từng transistor (hồi tiếp âm dịng điện nối tiếp). Dịng emitter của Q2 gây nên điện áp một chiều trên R6. Chính điện áp này phân cực cho Q1 (thơng qua bộ phận áp R1 – R2).
Cách phân cực nhờ hồi tiếp từ Q2 về Q1 như vậy sẽ tự động ổn định dịng tĩnh của các transistor. Thật vậy, do bản chất của transistor, khi nhiệt độ mơi trường tăng thì các tham số ICEO, ICBO, α, β, … sẽ tăng khiến dịng IC, IE tăng và điểm làm việc mất ổn định. Đối với hình 2.30, nếu nhiệt độ làm việc IE2 tăng thì điện áp trên R6 tăng, do đĩ (thơng qua nhân áp R1 - R2) điện áp phân cực cho Q1 sẽ tăng và dịng IC1 tăng. Nhưng do ghép trực tiếp:
VB2 = VC1 = VCC – (IC1 + I B2) R4
Cho nên khi IC1 tăng thì VB2 giảm. Điện áp phân cực này giảm sẽ làm IE2 và IC2 giảm, nghĩa là hạn chế sự tăng dịng tĩnh của Q2 do nhiệt độ gây ra.
Như vậy mạch ghép trực tiếp cĩ hồi tiếp trên đây cĩ điểm làm việc khá ổn định. Đồ lợi áp của mạch cũng khá cao. Dễ dàng chứng minh được rằng:
Khi R4 >> Ri2 thì:AV≈ hfE1 hfE2
2
L
RR R
Trong đĩ RL2 là tải của tầng Q2, Ri1 là điện trở vào của tầng Q1.