4. Transistor hai cực tính (BJT)
4.4.1Mạch base chung
* Họ đặc tuyến vào
Mắc BJT theo sơ đồ BC ở trạng thái tĩnh (tức là chỉ cĩ điện áp một chiều phân cực). E1, E2 là các nguồn điện áp một chiều cĩ thể thay đổi giá trị. Các đồng hồ mA kế dùng để đo dịng điện, cịn các volt kế đo điện áp giữa hai cực. Giữ điện áp VCB = const, lần lượt hay đổi giá trị E1 rồi đọc các cặp giá trị tương ứng của IE và VEB, kết quả vẽ được đồ thị
IE = f (VEB) VCB =constnhư hình 2.21.
Đĩ là đặc tuyến vào của BJT mắc BC. Tập hợp nhiều đặc tuyến vào (mỗi đường ứng với một giá trị khơng đổi của VCB) tạo nên họ đặc tuyến vào.
Cĩ thể thấy rằng dạng đặc tuyến này tương tự như đặc tuyến thuận của diode, bởi vì giữa cực E và cực B của BJT cĩ chuyển tiếp IE phân cực thuận. Điện áp ngõ ra VCB ảnh hưởng rất ít đến dịng điện ngõ vào.
* Họ đặc tuyến ra
Nếu lần lượt giữ dịng IE bằng các giá trị nhất định, thay đổi nguồn E2 rồi xác định các cặp giá trị tương ứng của IC và VCB, ta cĩ đặc tuyến ra của mạch BC.
IC = f(VCB) I const
- Đặc tuyến gần như song song với trục hồnh, chứng tỏ rằng ngay cả khi VCB = 0, dịng IC vẫn cĩ một giá trị khác 0 nào đĩ và việc tăng VCB ảnh hưởng rất ít đến trị số của IC.
- Đường thấp nhất ứng với IE = 0 chỉ cách trục hồnh một khoảng rất hẹp. Tung độ này chính là giá trị dịng điện ngược collector.
- Phạm vi rất hẹp. phía dưới đặc tuyến này là miền tắt, tương ứng với trạng thái tắt của BJT (cả 2 chuyển tiếp JE và JC đều phân cực nghịch).
- IE càng tăng thì IC cũng càng tăng. Đĩ là vì số hạt dẫn đa số của miền emitter phun vào miền base càng lớn thì số tới được cực collector cũng sẽ càng nhiều.
- Đặc tuyến bao gồm 3 đoạn. Đoạn gần như song song với trục hồnh ứng với trạng thái khuếch đại thơng thường của BJT (JE phân cực thuận, JC phân cực nghịch). Đoạn chếch xiên ở bên trái trục tung (vẽ nét đứt) tương ứng với trạng thái dẫn bão hồ của BJT (cả hai chuyển tiếp JE, JC đều phân cực thuận). Đoạn thứ ba bên phải (vẽ chấm chấm) chính là quá trình đánh thủng chuyển tiếp JC, xảy ra khi VCB quá lớn làm dịng IC tăng vọt. Đây là miền cấm sử dụng để khỏi phá hỏng BJT.
* Đặc tuyến truyền đạt dịng điện
IC = f(IE) V const
CB =
Nĩ cĩ dạng gần tuyến tính, phù hợp với hệ thức lý thuyết (coi α là khơng đổi). Trên thực tế, hệ số α chỉ là hằng số khi dịng điện I tương đối nhỏ. Cịn khi I khá lớn, nghĩa là
dịng hạt dẫn khuếch tán qua miền base cĩ mật độ lớn thì tỷ lệ phần trăm số hạt dẫn bị tái hợp trên đường đi sẽ tăng lên, khiến α giảm. Điều này làm cho đặc tuyến ở vùng dịng điện lớn ngày càng lêch khỏi quy luật tuyến tính.