5. Transistor trường (FET)
5.1.2Nguyên tắc hoạt động
Xét nguyên tắc hoat động của JFET kênh N làm ví dụ. Nối JFET với các nguồn điện áp phân cực EG, ED như hình 2.28. Nguổn ED, thơng qua điện trở RD đặt điện áp VDS giữa cực máng và cực nguồn, gây ra dịng chuyển động qua kênh dẫn của điện tử (hạt đa số của thỏi bán dẫn N), tạo nên dịng điện máng ID.
Mặt khác, nguồn EG tạo điện áo giữa cực cửa và cực nguồn, làm cho chuyển tiếp P – N (hình thành giữa cực cửa và kênh dẫn) bị phân cực nghịch, nghĩa là bề dày vùng nghèo tăng lên và do đĩ thu hẹp tiết diện của kênh dẫn.
Nếu giữ nguyên ED khơng đổi, tăng dần giá trị EG, tình trạng phân cực nghịch của chuyển tiếp P – N sẽ càng tăng: vùng nghèo ngày càng mở rộng, kênh dẫn càng thu hẹp. Do đĩ điện trở kênh dẫn càng tăng và dịng máng ID càng giảm. Cịn dịng giữa cực G và cưc S chỉ là dịng ngược của chuyển tiếp P – N, thường rất nhỏ khơng đáng kể.
Nếu bây giờ ngồi điện áp phân cực EG cĩ thêm tính hiệu xoay chiều es đặt vào giữa cực G và cực S thì tuỳ theo trị số và dấu của es mà tình trạng phân cực nghịch của chuyển tiếp P – N sẽ thay đổi. Điện trở kênh dẫn bị biến đổi và dịng máng cũng biến đổi theo. Nếu es tăng giảm theo quy luật hình sin thì ID sẽ tăng giảm theo hình sin. Dịng này hạ trên RD
thành một điện áp, biến thiên cùng dạng với es nhưng biên độ lớn hơn, nghĩa là JFET đã khuếch đại tín hiệu.
Nguyên lý hoạt động của JFET kênh P hồn tồn tương tự, chỉ lưu ý rằng các điện áp EG, ED cĩ cực tính ngược lại. Các lỗ trống, hạt dẫn đa số của kênh P, tạo nên dịng máng.