5. Transistor trường (FET)
5.1.3Đặc tuyến Volt – Ampere
ID = f(VDS) V const
GS = .
Xét VGS = 0 (ngắn mạch G – S). Tăng dần VDS từ giá trị 0 trở đi, quan hệ ID theo VDS cĩ dạng như hình 2.29.
Đặc tuyến gồm 3 đoạn: đoạn bên trái gần như tuyến tính với độ dốc khá lớn. Khi đạt tới giá trị VDS = Vp, vùng nghèo mở rộng tới mức chốn hết tiết diện của kênh của vùng gần cực máng, nghĩa là kênh dẫn bị thắt lại ở phía cực máng. Vp được gọi là điểm thắt. Điểm A là điểm bắt đầu thắt kênh hay điểm bắt đầu bão hồ. Vùng đặc tuyến nằm ở bên trái điểm A gọi là vùng điện trở. Nếu tiếp tục tăng VDS lớn hơn Vp, đặc tuyến chuyển sang đoạn thứ 2, gần như nằm ngang. Lúc này, vùng nghèo tiếp tục mở rộng, miền kênh bị thắt trải dài về phía cực nguồn, làm cho điện trở kênh dẫn càng tăng. Vì vậy tuy VDS tăng nhưng dịng ID
hầu như ít thay đổi. Vùng đặc tuyến này gọi là vùng thắt kênh (hoặc vùng bão hồ). Nếu JFET được sử dụng như một phần tử khuếch đại thì sẽ làm việc trong vùng này. Đoạn đặc tuyến thứ 3 tương ứng với hiện tượng đánh thủng chuyển tiếp P – N, xày ra khi VDS quá lớn. Vùng đặc tuyến này gọi là vùng đánh thủng.
Trường hợp VGS ≠ 0, mỗi đặc tuyến vẫn bao gồm 3 đoạn như trên, chỉ khác là do cĩ
tăng hơn và do đĩ giá trị dịng ID nhỏ hơn. Trị số tuyệt đối của VGS càng tăng, dịng ID càng giảm, đặc tuyến càng dịch về phía dưới. Mặt khác, điểm bắt đầu thắt kênh của mỗi đặc tuyến xê dịch về phía trái. Điểm bắt đầu xảy ra đánh thủng của từng đặc tuyến cũng dịch dần về bên trái.
* Đặc tuyến truyền đạt
ID = f(VGS) V const
DS =
Dạng của đặc tuyến này phản ánh quá trình điện trường điều khiển dịng điện máng: trị số tuyệt đối của VGS càng tăng, vùng nghèo càng mở rộng, điện trở kênh dẫn càng tăng và do đĩ dịng máng càng giảm. Khi VGS đạt tối giá trị điện áp thắt Vp thì dịng máng giảm xuống bằng 0.