5. Transistor trường (FET)
5.2.3Nhận xét chung về JFET và MOSFET
- JFET và MOSFET hoạt động dựa trên sự điều khiển điện trở kênh dẫn bởi điện trường (điện trường này do điện áp trên hai ngõ vào sinh ra, cịn dịng điện vào luơn luơn xấp xỉ bằng 0. Từ đĩ khống chế dịng điện ra. Do đặc điềm này, người ta xếp transistor trường vào loại linh kiện điều khiển bằng điện áp, trong khi BJT thuộc loại điều khiển bằng dịng điện (BJT cĩ ngõ vào là chuyển tiếp P – N phân cực thuận, dịng điện vào biến đổi nhiều theo tín hiệu cịn điện áp vào thay đổi rất ít).
- Dịng điện máng ID tạo nên bởi chỉ một loại hạt dẫn (hạt đa số của kênh), do đĩ transistor trường thuộc loại đơn cực tính. Do khơng cĩ vai trị của hạt dẫn thiểu số, khơng cĩ quá trình sản sinh và tái hợp của hai loại hạt dẫn cho nên tham số của FET ít chịu ảnh hưởng của nhiệt độ. Tạp âm nội bộ của bé hơn ở BJT.
- Ngõ vào của FET cĩ điện trở rất lớn, dịng điện vào gần như bằng 0 nên mạch vào hầu như khơng tiêu thụ năng lượng. Điều này đặc biệt thích hợp cho việc khuếch đại các nguồn tín hiệu yếu, hoặc nguồn cĩ nội trở lớn.
- Vai trị cực nguồn và cực máng cĩ thể đổi lẫn cho nhau mà tham số của FET khơng thay đổi đáng kể.
- Kích thước các điện cực S, G, D cĩ thể giảm xuống rất bé (dựa trên cơng nghệ MOS), thu nhỏ thể tích của transistor một cách đáng kể và nhờ đĩ transistor trường rất thơng dụng trong các vi mạch cĩ mật độ tích hợp cao.
- Cũng như BJT, FET cĩ thể mắc theo 3 sơ đồ cơ bản: mạch nguồn chung (SC – Source Common), cửa chung (GC – Gate Common), máng chung (DC – Drain Common). Các mạch giới thiệu ở trên thuộc lại SC. Mạng DC cĩ sơ đồ và đặc điểm tương tự nhưng mạch CC của BJT: điện trở vào rất lớn, điện trở ra rất nhỏ, điện áp ra đồng pha và xấp xỉ trị số với điện áp vào. Cịn mạch GC trên thực tế ít dùng.