CHƯƠNG 3 QUÁ TRÌNH ĐO KIỂM VÀ PHÂN TÍCH KẾT QUẢ TRƯỚC VÀ SAU TỐI ƯU MẠNG TRUY NHẬP VÔ TUYẾN 3GTẠ
3.1.Tổng hợp chung
- Vị trí tối ưu
Tối ưu vùng phủ được thực hiện trên một cluster của mạng Vinaphone trên địa bàn TP. Hồ Chí Minh.
- Thời gian thực hiện tối ưu vùng phủ 3G
Tối ưu vùng phủ 3G mạng VNP tại TPHCM được thực hiện từ ngày 18/10/2011 đến ngày 29/11/2011, bao gồm các giai đoạn:
o Thu thập số liệu hệ thống, cảnh báo liên quan;
o Đo drive test trên toàn cluster;
o Phân tích kết quả, đề xuất các biện pháp điều chỉnh tối ưu vùng phủ;
o Thực hiện các điều chỉnh, tối ưu cần thiết trên các trạm;
Hình 3.1 : Khu vực thực hiện tối ưu 3G 3.2. Driving Test
Driving test là việc đi đo kiểm bằng ô tô (hoặc xe máy), thường để chỉ công việc của nhóm kỹ sư tối ưu vô tuyến của các mạng di động đi kiểm tra, đo thử chất lượng phủ sóng của mạng truy nhập vô tuyến trong giai đoạn đầu mới triển khai mạng hay trong quá trình tối ưu mạng truy nhập vô tuyến.
Những người đi driving test thường mang theo các thiết bị sau: máy thu GPS, máy đo TEMS, laptop có kết nối tới các máy đo trên. Máy thu GPS cho biết tọa độ của điểm đo trên bản đồ số, máy TEMS cho biết nhiều thông số khác nhau như vùng phủ pilot (CPICH RSCP), Ec/No, BSIC (Base Station Identity Code), LAC (Location Area Code), tần số sóng mang của cell, công suất phát của cell này và các cell lân cận... Số liệu đo được được ghi trong máy tính, sau đó các kỹ sư vô tuyến sẽ sử dụng các các phần mềm chuyên dụng để tính toán và xác định trên bản đồ địa hình số dạng vùng phủ sóng (được vẽ theo màu, mỗi màu ứng với một dải nào đó của CPICH RSCP level), tính toán nhiễu..., từ đó sẽ đưa ra các CR (Change Request) cho các bộ phận như NOC (NetQork Operating Centre) để thay đổi các thông số của Node B một cách thích hợp (công suất phát, quy hoạch tần số lại...) hoặc các bộ phận đi chỉnh các thông số của trạm như chiều cao ăng-
ten, góc ngẩng (doQn-tilt angle), góc phương vị (azimuth angle) hoặc kiểm tra các lỗi lắp đặt như lỗi nối và niêm connector của các dây nhảy (jumper) với ăng-ten, lỗi đấu nối trong tủ Node B.