b. Đặc tính của mosfet kênh gián đoạn.
6.4. Các cách mắc cơ bản của FET.
Ta đã biết rằng mức độ phân cực cho một tranzito lưỡng cực có thể được thiết lập bằng cách sử dụng các công thức:
UBE = 0,7V; IC = .IB; và IC IE;
Quan hệ giữa đầu ra và đầu vào được đặc trưng bởi hệ số , nó là một hằng số thiết lập mối quan hệ tuyến tính giữa IC và IB. Đối với tranzito trường, mối quan hệ giữa đầu ra và đầu vào lại không tuyến tính, sự liên hệ không tuyến tính giữa ID và UGS có thể làm phức tạp hoá khi phân tích FET ở chế độ một chiều.
Sự khác biệt nữa giữa BJT và FET là: biến điều khiển đầu vào cho BJT là dòng điện, trong khi ở FET là điện áp.
Các công thức chung đối với FET: IG 0 A và: ID = IS
Đối với JFET và MOSFET kênh đặt sẵn thì công thức Shockley cho quan hệ giữa đầu vào và đầu ra là:
ID = IDSS( 1-UGS/UGSngưỡng)2
Còn đối với MOSFET kênh cảm ứng: ID(mA)
ID
Hình 6.12. Các họ đặc tuyến của MOSFET gián đoạn kênh N
4 2 2 0 2 4 8 UDS =10V IDSS IDSS/2 IDSS/4 0 UGS > 10V UGS > 8V UGS > 6V UGS> 2V UDS UGS 8
116
ID = k(UGS- UGSngưỡng)2
Hệ số k là một hằng số, nó được xác định nhờ các giá trị ID và UGS tương ứng trên đặc tuyến ra (ứng với mỗi một điểm bất kỳ trên đặc tuyến ra ta có một cặp (ID, UGS) tương ứng) gọi là ID(on) và UGS (on), khi đó:
k = ID(on) /(UGS(on) – Ungưỡng)2
Điều quan trọng là tất cả các công thức trên đây là đặc trưng cho linh kiện, chúng không thay đổi trong quá trình làm việc. Mức độ thay đổi của mạch điện được coi như sự thay đổi của dòng điện và điện áp kết hợp với điểm làm việc qua phương trình của nó.
Như các tranzito lưỡng cực, tranzito trường cũng có ba cách mắc trong các sơ đồ mạch khuyếch đại là: Sơ đồ mắc cực nguồn chung, Sơ đồ mắc cực máng chung, Sơ đồ mắc cực cửa chung. Sau đây ta xem xét sơ đồ từng cách mắc.