Qui trình chế tạo CNTFET cổng trên bao gồm các bước cơ bản như sau :
Bước 1: Chuẩn bị wafer, dựa theo các thiết bị hiện cĩ tại phịng thí nghiệm tác giả đề xuất chọn wafer cĩ đường kính 100 mm, độ dày 525 m, điện trở bề mặt từ 0,01 đến 0,025 ohm.cm. Rửa sạch wafer để chuẩn bị ơxi hĩa.
Bước 2: Ơxi hĩa bề mặt, đưa wafer vào lị ơxi hĩa để tạo lớp SiO2 dày khoảng 250nm, điều chỉnh thời gian và nhiệt độ đốt lị để đảm bảo độ dày của lớp ơxit silic này. Kiểm tra độ dày lớp SiO2 bằng máy đo chiết suất hình 5.2a.
Bước 3: Tạo điện cực nguồn - máng. Sử dụng kim loại Vàng hoặc Nhơm (Au, Al để
làm điện cực). Độ dày điện hai điện cực nguồn - máng khoảng 50 nm và cĩ hình mũi nhọn ở vị trí hai đầu, khoảng cách giữa hai đầu nhọn khoảng 1 μm hình 5.2b.
Bước 4: Nhỏ một giọt nhỏ (8μl) dung dịch chứa SWNT đã được pha sẳn (theo tỷ lệ
0,3 mg SWNT+ 5 ml dung mơi) phủ lên trên bề mặt mẩu sao cho lượng dung dịch này bao phủ hai đầu nhọn của hai điện cực nguồn và máng hình 5.2.c.
Bước 5: Nối điện cực nguồn với máy phát tín hiệu sin cĩ tần số 1MHz, biên độ tín
hiệu 8 V đỉnh - đỉnh. Cực máng được nối với máy dao động ký để đo tín hiệu. Khi máy phát tín hiệu hoạt động sẽ cung cấp điện trường cho CNTFET, dưới tác động của điện trường các CNT sẽ duỗi thẳng và tạo nên tiếp xúc giữa nguồn và máng. Quan sát trên dao động ký, nếu thấy tín hiệu xuất hiện trên màn hình chứng tỏ giữa hai điện cực đã được kết nối bằng CNT hình 5.2d.
Bước 6: Phủ lớp ơxit điện mơi Si3N4 dày 25 nm lên trên bề mặt cấu trúc hình 5.2e.
Bước 7: Tạo điện cực cổng bằng nhơm (Al) cĩ bề dày 25 nm và bề ngang 800 nm
hình 5.2f.