... hiệuứngtừtổngtrở dải tần MHz 1.1.2 Lý thuyết từ học tượng GMIHiệuứngtừtổngtrởkhổnglồ (GMI) dạng khác hiệuứng cảm ứngtừ biết đến thay đổi mạnh tổngtrở Z vật dẫn cótừ tính tác dụng từ ... Chương I - Tổng quan 1.1 Vậtliệucóhiệuứngtừtổngtrởkhổnglồ (GMI) 1.1.1 Hiệuứngtừ trổng trởkhổnglồGMI 1.1.2 Lý thuyết từ học tượng GMI 1.1.2.1 ... khổnglồ (GMI) 1.1.1 Hiệuứngtừ trổng trởkhổnglồGMI Nhiều tượng vật lí quan sát vậtliệutừ mềm, đặc biệt vậtliệutừ vô định hình nanô tinh thể Một tượng vật lí, thay đổi mạnh tổngtrở cao...
... từ Dựa cấu trúc vi mô vậtliệutừ chia làm loại: Vậtliệu nghịch từ, vậtliệu thuận từ, vậtliệu sắt từVậtliệu nghịch từ loại vậtliệucó mômen từ nguyên tửkhông Hai loại vậtliệutừ lại có ... thuận từ quan sát thấy hệ vậtliệu hệ Co - Cu cóhiệuứngtừtrởkhổnglồ (GMR effect) 1.2 Hiệuứngtừ điện trở 1.2.1 Hiệuứngtừ điện trở thường OMR (Ordinary Magneto Resistance) Từ điện trở hay ... ứngtừ điện trởkhổnglồ GMR 1.1 Cấu trúc trạng thái từvậtliệutừ điện trở dạng hạt 1.1.1 Thành phần cấu tạo vậtliệutừ điện trởkhổnglồ GMR 1.1.2 Cấu trúc nanô vậtliệutừ điện trở dạng hạt...
... nghịch từ, vậtliệu thuận từ, vậtliệu sắt từ, dựa cấu trúc vi mô vậtliệuVậtliệu nghịch từ loại vậtliệu mô men từ nguyên tử (mô men từ nguyên tử 0) Hai loại vậtliệutừ lại có mô men từ nguyên ... khác loại hiệuứngtừ điện trở đo cấu hình đo khác a/: Hiệuứngtừ điện trở thường OMR kim loại từ tính b/: Hiệuứngtừ điện trở dị hướng AMR kim loại sắt từ c/: Hiệuứngtừ điện trởkhổng lồGMR ... điện trởvậtliệucótừ trường, R(0) điện trởvậtliệutừ trường Trong vậtliệucó cấu trúc dạng hạt, điện trởvậtliệu thay đổi theo từ trường có quan hệ với cấu hình xếp từ độ hạt sắt từ Mỗi...
... từ Dựa cấu trúc vi mô vậtliệutừ chia làm loại: Vậtliệu nghịch từ, vậtliệu thuận từ, vậtliệu sắt từVậtliệu nghịch từ loại vậtliệucó mômen từ nguyên tửkhông Hai loại vậtliệutừ lại có ... thuận từ quan sát thấy hệ vậtliệu hệ Co - Cu cóhiệuứngtừtrởkhổnglồ (GMR effect) 1.2 Hiệuứngtừ điện trở 1.2.1 Hiệuứngtừ điện trở thường OMR (Ordinary Magneto Resistance) Từ điện trở hay ... ứngtừ điện trởkhổnglồ GMR 1.1 Cấu trúc trạng thái từvậtliệutừ điện trở dạng hạt 1.1.1 Thành phần cấu tạo vậtliệutừ điện trởkhổnglồ GMR 1.1.2 Cấu trúc nanô vậtliệutừ điện trở dạng hạt...
... hiệuứngtừtổngtrở dải tần MHz 1.1.2 Lý thuyết từ học tượng GMIHiệuứngtừtổngtrởkhổnglồ (GMI) dạng khác hiệuứng cảm ứngtừ biết đến thay đổi mạnh tổngtrở Z vật dẫn cótừ tính tác dụng từ ... Chương I - Tổng quan 1.1 Vậtliệucóhiệuứngtừtổngtrởkhổnglồ (GMI) 1.1.1 Hiệuứngtừ trổng trởkhổnglồGMI 1.1.2 Lý thuyết từ học tượng GMI 1.1.2.1 ... khổnglồ (GMI) 1.1.1 Hiệuứngtừ trổng trởkhổnglồGMI Nhiều tượng vật lí quan sát vậtliệutừ mềm, đặc biệt vậtliệutừ vô định hình nanô tinh thể Một tượng vật lí, thay đổi mạnh tổngtrở cao...
... thỏi t ca vt liu t in tr dng ht 1.2.1 Thnh phn cu to ca vt liu GMR Hạt sắt từ; Co, Fe, Ni, NiCo, FeCo, Nền kim loại phi từ: Cu, Au, Ag, Đ ế(Si/SiO2, Si, thủy tinh, sa-phia, Hỡnh 1.3: S minh ... chớnh l vt liu phi t (nh Cu, Ag, Au,) v vt liu t (nh Fe, Co,) 12 Hạt sắt từ; Co, Fe, Ni, NiCo, FeCo, Nền kim loại phi từ: Cu, Au, Ag, Hỡnh1.4: S minh cu trỳc dng ht ca vt liu khi[7] Nh ta ó ... -1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0 1,5 Từ tr- ờng ngoài, H (T) Hỡnh 3.2: in ỏp o trờn cc ca mi dũ thay i theo t trng ngoi 39 GMR (%) -1 -2 -3 -4 -5 -6 -1,5 -1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0 1,5 Từ tr- ờng ngoài, H (T)...
... effect - GMI) Hiu ng t tng tr khng l - GMI l s thay i mnh tng tr xoay chiu Z ca vt liu t mm di tỏc dng ca t trng ngoi Hext c trng cho hiu ng GMI, ngi ta a t s GMIr c nh ngha nh sau: GMIr Z ( ... hiu ng GMI, cỏc kt qu nghiờn cu ch rng dng ca ng cong GMI( H) ph thuc vo s nh hng ca trc d t hoỏ Khớa cnh cui cựng l nghiờn cu s phõn b d hng lờn hiu ng GMI, mt s kt qu nghiờn cu ch rng GMIr l ... 3.3 So sỏnh nguyờn lý ch to Ampe kỡm v cm bin o dũng GMI 3.2.1 Cu to v nguyờn lý hot ng cm bin o dũng GMI Cm bin o dũng GMI gm hai phn: cm bin GMI c ch to t vt liu vụ nh hỡnh nn Co v xuyn h vi mc...
... vic ng dng vo thc t S ca phng phỏp ny th hin trờn (hỡnh 2.2) áp suất VAN Hợp kim lỏng Vòng cảm ứng Vòi phun Ar Băng VĐH (a) (b) Hỡnh 2.2: S thit b ngui nhanh n trc (a), hai trc (b) Kim loi c...
... đa lớp hiệuứngtừ điện trởTừtrởkhổnglồ (GMR) 23 Chương Màng đa lớp hiệuứngtừ điện trởTừtrởkhổnglồ (GMR) • Vật lý GMR Độ dẫn phụ thuộc spin kim loại sắt từ 24 Trong kim loại sắt từ , ... trị cực đại góc 450, Chương Màng đa lớp hiệuứngtừ điện trởTừtrởkhổnglồ (GMR) Chương Màng đa lớp hiệuứngtừ điện trở Kết hiệuứngtừ điện trởkhổnglồ siêu mạng Fe/Cr phát nhóm Albert Fert ... dòng spin điện tửHiệuứngtừ điện trởkhổng lồ, từ điện trở chui hầm hai trụ cột spintronics 16 Chương Màng đa lớp hiệuứngtừ điện trở Liên kết từvậtliệu đa lớp Hệ số từtrở dao động theo...
... Hc làm thay đổi độ từ thẩm, dẫn đến tổngtrở Z thay đổi tỷ số MIr thay đổi Kết luận Kết thực nghiệm cho thấy: - Dây từ hai lớp CoP hệ thủy tinh cóhiệuứngtừtổngtrởkhổnglồ chế tạo phương ... cóhiệuứngtừ điện trởkhổnglồ (GMR) chế tạo công nghệ nguội nhanh”, Luận án Tiến sĩ Vật lý, Đại học Bách Khoa Hà Nội, 2007 Chu Văn Thuấn, “Chế tạo dây Cu/FeNi cóhiệuứngtừtổngtrở (MI) cao ... ứngGMI làm sáng tỏ - Chế độ tối ưu đạt tỷ lệ MIr lớn với nồng độ NaH2PO2 = 40g/l thời gian mạ phút TÀI LIỆU THAM KHẢO Bùi Xuân Chiến, “Nghiên cứu vậtliệutừ cấu trúc nanô dạng hạt cóhiệu ứng...
... đặc thù hiệuứngtừtrở dị hướng AMR Hình 1.6: Mô hình minh họa mối liên hệ Hall phắng AMR Hiệuứng Hall phang tìm thấy vậtliệutừ điện trởvậtliệu phụ thuộc vào góc phương dòng điện I từ độ ... chương 1, trình bày hiệuứngtừ điện trở, hiệuứng Hall phang, loại nhiễu sensor sensor dạng cầu Wheatstone Ở chương này, nghiên cứu lý thuyết hiệuứngtừ điện trở chọn hiệuứng làm sở chế tạo ... họa khác hiệuứng Halỉ thường hiệuứng Hall phang Sở dĩ có khác hiệuứng Hall thường, Hall xuất lực Lorentz từ trường tác dụng lên hạt mang điện, hiệuứng Hall phang lại phụ thuộc vào góc từ độ...
... điện trở suất, điện trởvật dẫn 1.1.1 Hiệuứngtừtrở dị hƣớng AMR Hiệuứngtừ điện trở dị hƣớng (AMR- Anisotropic magnetoresistance) hiệuứngtừ điện trở mà tỉ số từ điện trở (sự thay đổi điện trở ... nhỏ… Phổ biến cảm biến từ cảm biến dựa hiệuứng Hall phẳng, hiệuứng cảm ứng điện từhiệuứngtừ điện trở, cảm biến dựa hiệuứng Hall phẳng hiệuứngtừ điện trở hai hƣớng đƣợc triển khai nghiên ... cảm biến với vậtliêu Ni80Fe20 , đo đạc xử lý số liệu CHƢƠNG TỔNG QUAN 1.1 Hiệuứngtừ điện trởHiệuứngtừ điện trở (magnetoresistance- MR) thay đổi điện trởvật dẫn dƣới tác động từ trƣờng, đƣợc...
... luận CHƢƠNG TỔNG QUAN 1.1 Hiệuứngtừ điện trở dị hƣớng Hiệuứngtừ điện trở xuất vậtliệu sắt từHiệuứngtừ điện trở (magnetoresistance - MR) thay đổi điện trởvật dẫn dƣới tác động từ trƣờng, ... dẫn tới vật dẫn có điện trở cao (xem hình 1.1) Hình 1.1: Nguồn gốc vật lý AMR Để giải thích hiệuứngtừtrở dị hƣớng (AMR) màng mỏng vậtliệu từ, giả định rằng, vectơ từ hóa màng sắt từ ban đầu ... lần lƣợt điện trở suất, điện trởvật dẫn từ trƣờng cótừ trƣờng đặt vào Hiệuứngtừ điện trở dị hƣớng (AMR – Anistropic magnetoresistance) xảy kim loại hợp kim sắt từ, thay đổi điện trở phụ thuộc...
... điện trở nhỏ (xem hình 1.1) [8] Điện trỡ lớn Điện trở nhỏ Hình ỉ ỉ Nguồn gốc vật lí AMR Đe giải thích hiệuứngtừtrở dị hướng (AMR) màng mỏng vậtliệu từ, giả định rằng, vectơ từ hóa màng sắt từ ... chọn vậtliệu chế tạo điện trở NỈ8()Fe20 - loại vậtliệutừ mềm (có lực kháng từ Hc cỡ Oe -T Oe), thích hợp để chế tạo cảm biến có độ nhạy cao ổn định vùng từ trường nhỏ Đe nối trở điện trở để ... dài với vậtliệu NÌ8oFe2 () - Khảo sát tính chất cảm biến chế tạo CHƯƠNG1 TỎNG QUAN 1.1 Hiệuửngtừ điện trở dị hướng AMR Hiệuứngtừ điện trở (magnetoresistance - MR) thay đổi điện trởvật dẫn...