... từ trƣờng nhỏ… Phổ biếncảmbiếntừcảmbiếndựahiệuứng Hall phẳng, hiệuứngcảmứngđiệntừhiệuứngtừđiện trở, cảmbiếndựahiệuứng Hall phẳng hiệuứngtừđiệntrở hai hƣớng đƣợc triển ... học, cảmbiếndựahiệuứngđiện – từ, cảmứngđiệntừ (FluxGate), hiệuứng Hall… Mặc dù cảmbiến hoạt động dựahiệuứng khác nhƣng cảmbiếndựa nguyên tắc đo đạc phân tích hiệuđiện nối từcảmbiến ... lƣợt điệntrở suất, điệntrở vật dẫn 1.1.1 Hiệuứngtừtrở dị hƣớng AMR Hiệuứngtừđiệntrở dị hƣớng (AMR- Anisotropic magnetoresistance) hiệuứngtừđiệntrở mà tỉ số từđiệntrở (sự thay đổi điện...
... liệu hệ Co - Cu có hiệuứngtừtrởkhổnglồ (GMR effect) 1.2 Hiệuứngtừđiệntrở 1.2.1 Hiệuứngtừđiệntrở thường OMR (Ordinary Magneto Resistance) Từđiệntrở hay gọi tắt từ trở, tính chất số ... lượng hiệu dụng vùng lượng 1.2.3 HiệuứngtừđiệntrởkhổnglồGMR (Giant magneto resistance) 1.2.3.1 Hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ dạng màng đa lớp Hiu ng t in tr khng l GMR l s thay i ln ca điện ... từ 14 1.2 Hiệuứngtừđiệntrở 14 1.2.1 Hiệuứngtừđiệntrở thường OMR (Ordinary Magneto Resistance) 14 1.2.2 Hiệuứngtừđiệntrở dị hướng AMR (Anisotropic Magneto Resistance) 15 1.2.3 Hiệu...
... quan hiệuứngtừ điện, nguyên lý hoạt động loại cảmbiếntừ - Chế tạo cảmbiến hoạt động dựa mạch cầu Wheatstone dựahiệuứngtừđiệntrở dị hướng kích thước X 0,45 mm, dày 10 nm - Khảo sát tín hiệu ... hiệuứngtừ - điệntrở dị hướng AMR kích thước X 0,45 mm, bề dày màng 10 nm - Khảo sát tính chất từ, từđiệntrởcảmbiến Đối tượng nghiên cún - Cảmbiến dạng mạch cầu Wheatstone dựahiệuứng ... đổi hiệuđiện lối (hoặc điện trở) cảmbiến tác dụng từ trường Trong khóa luận này, hiệuứngtừđiệntrởcảmbiến nghiên cứu nhờ vào hệ đo bố trí hình 2.6 chân nối với cảm biến: chân để cấp dòng...
... nhiệt ảnh hƣởng đến tín hiệutừ iện trở màng 3.2.2 Tính từđiệntrởcảmbiến cầu Wheatstone 3.2.2.1 Tín hiệucảmbiến phụ thuộc vào từ trường Hiệuứngtừ - điệntrởcảmbiến đƣợc nghiên cứu thông ... cảmbiếnHiệuứngtừđiệntrở nghiên cứu khóa luận đƣợc thực thông qua việc khảo sát thay đổi hiệuđiện lối (hoặc điện trở) cảmbiến dƣới tác dụng từ trƣờng Trong khóa luận, hiệuứngtừđiệntrở ... chất từtừđiệntrở màng 23 3.2.2 Tính từđiệntrởcảmbiến cầu Wheatstone 24 3.2.2.1 Tín hiệucảmbiến phụ thuộc vào từ trƣờng 24 3.2.2.2 Tín hiệucảmbiến phụ thuộc vào từ trƣờng...
... Tín hiệucảmbiến phụ thuộc vào từ trường Hiệuứngtừ - điệntrởcảmbiến nghiên cún thông qua phép khảo sát thay đổi điện áp lối theo từ trường sử dụng hệ đo từđiệntrở Trong trình đo, cảmbiến ... chất từ vaf từđiệntrở màng - Chế tạo cảmbiến cầu Wheatstone - Khảo sát tín hiệucảmbiến Mục tiêu khóa luận - Chế tạo cảmbiến dạng mạch cầu dài dựahiệuứng AMR - Khảo sát tính chất từ, từđiện ... hiệuứngtừ điện, nguyên lý hoạt động loại cảmbiếntừ - Chế tạo cảmbiến hoạt động dựa mạch cầu Wheatstone dựahiệuứngtù'điệntrở dị hướng kích thước 0, 45 X mm, dày 15nm - Khảo sát tín hiệu...
... tớnh t s GMR cỏc yu t ny b trit tiờu Nguồn chiều ổn định DC M y đo điện p mV Nam châm điện M ẫu S N Hỡnh 2.3: S mỏy o in tr mi dũ[3] Mẫu đo Dây dẫn Cu mạ Au hoặ c Ag đ- ợ c gắn vớ i cá c điện cực ... 1,0 1,5 Từ tr- ờng ngoài, H (T) Hỡnh 3.2: in ỏp o trờn cc ca mi dũ thay i theo t trng ngoi 39 GMR (%) -1 -2 -3 -4 -5 -6 -1,5 -1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0 1,5 Từ tr- ờng ngoài, H (T) Hỡnh 3.3: t s GMR ph ... GMR ó tng t 2% - 3,3% Khi tng nhit lờn n 4500C cng 60 phỳt thỡ t s GMR t 5,2% Tuy nhiờn, nu tng nhit lờn n 5000C 60 phỳt thỡ t s GMR gim xung cũn 3,1%, cũn nu 5500C cng 60 phỳt thỡ t s GMR...
... thuận từ quan sát thấy hệ vật liệu hệ Cu-Co có hiệuứngtừtrởkhổnglồ (GMR effect) 1.1 Hiệuứngtừđiệntrở 1.3.1 Hiệuứngtừđiệntrở thường OMR (Ordinary Magneto Resistance) Hiệuứngtừđiệntrở ... kim gọi vật liệu từđiệntrởkhổnglồhiệuứng MR hợp kim gọi hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ Cơ chế thay đổi điệntrở (điện trở suất) cấu trúc từ dị thể trình tán xạ phụ thuộc spin điệntử dẫn 4s ... Đại học sư phạm Hà Nội 2 Khóa luận tốt nghiệp Lù Đức Hoàng -K32C Chương Tổng quan từđiệntrởkhổnglồ 1.1 Quá trình nghiên cứu hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ 1.1.1 Sự phát hiệuứngtừđiệntrở khổng...
... x kỳ thành phần quang học khác Những cảmbiếndựa tính chất điện vật liệu bán dẫn làm cảm biến, chẳng hạn độ dẫn điện tín hiệu đầu Cảmbiếndựa cấu trúc FET hứa hẹn cảmbiến có tính cách mạng ... tửsinh học, phân tử hóa học vào năm 2001 10(Cui et), từ đến có nhiều công trình chứng tỏ tính vƣợt trội loại cảmbiếnsinhhọcdựa cấu trúc Nhƣng CNT FET có hai nhƣợc điểm dùng làm cảmbiếnsinh ... phát tán di 8 1.2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CẢMBIẾNSINHHỌC SiNW FET Hình 1-1.(a) Cấu tạo cảmbiếnsinhhọcdựa cấu trúc transistor hiệuứng trường sợi Silic Hai điện cực nguồn máng nối với qua kênh...
... cứu, chế tạo, ứng dụng cảmbiếnsinhhọc sợi nano silicon transducers as membrane enclosed sandwiches” Ông đưa mô hình cảmbiếnsinhhọcCảmbiếnsinhhọc theo mô hình D.Clark bao gồm điện cực oxy ... chóng khoa học công nghệ, đặc biệt ngành công nghệ vật liệu chế tạo nano , cảmbiếnsinhhọc hệ mới- cảmbiến nano sinhhọc - đạt tiến vượt bậc Trong cấu trúc cảmbiến nano sinh học, điện cực hay ... công cảmbiếnsinhhọcdựađiện cực chứa enzyme đo điện thế, cảmbiến đo nồng độ urê dựađiện cực cố định enzyme urê (urease) màng chất lỏng chọn lọc NH4+ Năm 1975 Lubber Opitz mô tả cảm biến...
... tác sinhhọc Việc dò tìm hạt từ sử dụng cảmbiếntừđiệntrở dị hướng (AMR), cảmbiếntừđiệntrởkhổnglồ (GMR) , cảmbiến spin-valve, cảmbiếnđiệntrở Hall mặt phẳng (PHR), cảmbiếntừđiệntrở ... xuyên ngầm (TMR) Hầu hết cảmbiếntừđiệntrởdựahiệuứngtừ - điệntrở I Một số khái niệm Khái niệm cảm biến, cảmbiếnsinhhọc a Bộ cảmbiến Bộ cảmbiến thiết bị điệntửcảm nhận trạng thái hay ... gian để truyền điện tích Thời gian đảo spin từ trạng thái up sang down ngắn Những kiểu cảmbiếnsinhhọcdựa công nghệ điệntửhọc spin Hiệuứngtừđiệntrở (MR) Hiệuứngtừđiệntrở (MagnetoResistance-...
... biếntừđiệntrở dị hướng (AMR) cảmbiếntừđiệntrởkhổnglồ (GMR) cảmbiến spin-valve cảmbiếnđiệntrở Hall mặt phẳng (PHR) cảmbiếntừđiệntrở xuyên ngầm (TMR) Giới thiệu cảmbiếnsinhhọc ... kiểu cảmbiếnsinhhọcdựa công nghệ điệntửhọc spin Cảmbiếnsinhhọcdựahiệuứngtừđiệntrở dị hướng (AMR Biosensor) Hiệuứngtừđiệntrở dị hướng AMR tượng tăng điệntrở tác dụng từ trường ... nên hiệuứngGMR 3) Cảmbiếnsinhhọcdựahiệuứng Hall phẳng (Planar Hall Biosensor) : Dựa vào tán xạ điệntừ theo phương từ độ lớp sắt từCảmbiếnsinhhọcdựahiệuứng van-spin (Spin-valve Biosensor) ...
... hiệuứngtừ tổng trở dải tần MHz 1.1.2 Lý thuyết từhọc tượng GMI Hiệuứngtừ tổng trởkhổnglồ (GMI) dạng khác hiệuứngcảmứngtừ biết đến thay đổi mạnh tổng trở Z vật dẫn có từ tính tác dụng từ ... Tổng quan 1.1 Vật liệu có hiệuứngtừ tổng trởkhổnglồ (GMI) 1.1.1 Hiệuứngtừ trổng trởkhổnglồ GMI Nhiều tượng vật lí quan sát vật liệu từ mềm, đặc biệt vật liệu từ vô định hình nanô tinh ... I - Tổng quan 1.1 Vật liệu có hiệuứngtừ tổng trởkhổnglồ (GMI) 1.1.1 Hiệuứngtừ trổng trởkhổnglồ GMI 1.1.2 Lý thuyết từhọc tượng GMI 1.1.2.1 Cấu trúc domain...
... thức toán học: Hàm đạt giá trị cực đại góc 450, Chương Màng đa lớp hiệuứngtừđiệntrởTừtrởkhổnglồ (GMR) Chương Màng đa lớp hiệuứngtừđiệntrở Kết hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ siêu mạng ... kháng từ khác 22 Chương Màng đa lớp hiệuứngtừđiệntrởTừtrởkhổnglồ (GMR) 23 Chương Màng đa lớp hiệuứngtừđiệntrởTừtrởkhổnglồ (GMR) • Vật lý GMR Độ dẫn phụ thuộc spin kim loại sắt từ ... từ, 20 Chương Màng đa lớp hiệuứngtừđiệntrởTừtrỡ điểm làm việc 21 Chương Màng đa lớp hiệuứngtừđiệntrởTừtrởkhổnglồ (GMR) • Trong cấu trúc GMR, định hướng độ từ hóa phải thay đổi từ...
... định Dựa thành phần cảm nhận sinhhọc chia thành ba loại bản: cảmbiến Enzyme, cảmbiến ADN cảmbiến miễn dịch Nếu dựa phận chuyển đổi chia cảmbiếnsinhhọc thành loại nhƣ sau: cảmbiếnđiện ... đổi tín hiệuđiện đầu cảmbiến đơn đóng góp ồn trình đo Chính mà cảmbiếnsinhhọc có độ chọn lọc cao [35] Hình 1.2 Nguyên lý hoạt động cảmbiếnsinhhọc Việc phân loại cảmbiếnsinhhọcdựa vài ... đến tín hiệucảmbiếnsinhhọc CNTFETs 128 Hình 4.17 Ảnh hƣởng giá trị pH tín hiệucảmbiếnsinhhọc CNTFETs 129 Hình 4.18 Ảnh hƣởng màng BSA tín hiệucảmbiếnsinhhọc CNTFETs...
... DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC VINH PHAN VĂN ĐÀO TẠO THÀNH CHIẾT SUẤT ÂM CỦA MÔI TRƯỜNG NGUYÊN TỬ RUBI DỰATRÊNHIỆUỨNG TRONG SUỐT CẢMỨNGĐIỆNTỪ Chuyên ngành: Quang học Mã số: 60 44 01 09 LUẬN ... Tuy nhiên, khía cạnh EIT cảmứng tạo chiết suất âm bỏ ngỏ Trên sở vấn đề cấp thiết đó, chọn: “Tạo chiết suất âm môi trường nguyên tử Rubi dựahiệuứng suốt cảmứngđiệntừ làm đề tài luận văn ... nguyên tử Rubi dựahiệuứng suốt cảmứngđiệntừ 31 2.1 Dẫn biểu thức chiết suất .32 2.1.1 Phương trình ma trận mật độ 32 2.1.2 Dẫn biểu thức độ điện thẩm độ từ thẩm 34...
... tạo hiệuứng suốt cảmứngđiệntừ (Electromagnetically Induced Transparency – EIT ) Đây hiệuứng đề xuất vào năm 1989 [1] kiểm chứng thực nghiệm vào năm 1991 nhóm nghiên cứu Stanford Hiệuứng ... số hiệuứng liên quan đến loại môi trường Chương Hiệuứng suốt cảmứngđiệntừ hệ nguyên tử bốn mức cấu hình bậc thang Đây chương sở cho việc xét khả tăng cường hiệuứng phi tuyến kiểu Kerr dựa ... tử kích thích kết hợp nhiều trường điệntừ dẫn đến suốt môi trường chùm quang học (gọi “cửa sổ EIT”) Điều khiển hấp thụ tán sắc dựahiệuứng suốt cảmứngđiệntừ ý nghiên cứu hai phương diện lý...