... 4 .1 Giới thiệu Phương pháp đồ thò TínhiệunhỏMôhình mạch tươngđươngtínhiệunhỏ 4.2 Các thông số Hybrid Mạng hai cửa: v1, i1, v2, i2 Các thông số đặc trưng: Trở kháng (impedance); d n ... Trở kháng (impedance); d n nạp (admittance), hybrid, … Các thông số hybrid: v1 i2 h11i1 h21i1 h12 v h22 v Với TST: v1 i2 hi i1 hr v h f i1 ho v Đònh nghóa: hi v1 i1 v = Trở kháng ngõ vào ngõ ngắn ... / Re 2.2 VCC ( Rc Re ) I CQ = 15 V b) Mạch tươngđươngtínhiệu nhỏ: hie h fe 25mV I CQ 50 25 = 833 1. 5 Bỏ qua hoe hre, mạch tươngđươngtínhiệu nhỏ: c) Độ lợi d ng Ai: Ai iL ib i L ib ; i b...
... cho tínhiệu s1(t) hình (3 .15 a) vẽ lối lọc b) Lặp lại cho tínhiệu s2(t) 3 .15 b c) Vẽ tínhiệu lọc phù hợp với s2(t) s1(t) cấp lối vào Hình 3 .15 Tách tínhiệu pha ồn 10 Bộ thu góc phần tư hình ... lượng s1(t) là: T E1 = ∫ s12 (t )dt = T /3 ∫ (1) dt = T / s1 (t ) ⎧ / T =⎨ E1 ⎩ T T /3 ⎛ 3⎞ T ⎟ s 21 = ∫ s2 (t ) 1 (t )dt = ∫ (1) ⎜ ⎜ T ⎟dt = 0 ⎝ ⎠ 1 (t ) = Hàm sở đầut iên là: Bước (3 .15 ) T Năng ... nghĩa hàm sở thứ (từ tínhiệu thứ nhất) s (t ) 1 (t ) = (3.6) E1 Ở E1 lượng s1(t) Khi đó: (3.7) s1 (t ) = E1 1 (t ) = s 11 1 (t ) Tiếp ta định nghĩa: T s 21 = ∫ s2 (t ) 1 (t )dt (3.8) đưa hàm trung...
... ánh trở kháng 3 .1 Các thông số hybrid v1 h11i1 h12v2 v1 hi i1 hr v2 i2 h21i1 h22v2 i2 h f i1 ho v2 Các thông số hybrid hi v1 i1 v hr v1 v i1 hf i2 i1 v ho i2 v i1 = Trở kháng ngõ vào ngõ ngắn mạch ... ii 41. 5 10 0 10 0 16 16 hob Ai hie h fe hoe h fe 2 .10 0.83 Zi Zo 16 500K 10 3.4 Cấu hình C chung - CC COMMON COLLECTOR 11 3.5 Phản ánh trở kháng • • Phản ánh từ Emitter Base: (chuẩn ib) - D ng ... số hybrid h cho cấu hình khác (CE, CB, CC): CE: hie, hfe BC: hib, hfb CC: hic, hfc hr 10 10 ho 10 10 ho 10 4 10 6 3.2 Cấu hình E chung - CE COMMON EMITTER Xác định hệ số hybrid cho cấu hình CE:...
... TRANSISTOR Cổng diode Cổng BJT VÍ D 3 .11 Cổng NAND họ TTL Hãy hoàn thành bảng để xác định hoạt động cổng logic cổng NAND họ TTL theo mạch hình 3.48 Trị số điện trở điện áp là: R1 = 5,7 k; R2 ... đại hình 3.4, mạch khuyếch đại sử d ng transistor npn 2N5088 nguồn điện áp base, VBB = V; VCC = 12 V; RB = 10 0 k; RC = 0,5 k; RE = 10 0 ; V = 0,6 V; fe = 350 Bộ khuyếch đại nhiều tầng ... vBE r iB () , b 1/ roe I BQ iC vCE iC fe iB vBE e vCE (S) VCEQ I BQ A ( ) A VCEQ V ( ) V VÍ D 3 .1 Xác định hệ số khuyếch đại vòng hở AC khuyếch...
... giảm điện trở chất bán d n Các đặc tính điện độ nhạy quang điện trở d nhiên tùy thuộc vào vật liệu d ng chế tạo Điện trở Ω 10 5 10 000 10 00 0 ,1 10 10 0 10 00 fc Hình Về phương diện lượng, ta nói ánh ... λ Ký hiệuHìnhd ng Hình Nguyên lý làm việc quang điện trở ánh sáng chiếu vào chất bán d n (có thể Cadmium sulfide – CdS, Cadmium selenide – CdSe) làm phát sinh điện tử tự do, tức d n điện tăng ... từ d i tần số hẹp gọi ánh sáng thấy hay thường gọi tắt ánh sáng Về phía tần số thấp gọi xạ hồng ngoại (infrared) phía tần số cao gọi xạ tử ngoại (ultraviolet) Ta thấy xạ có tần số khoảng 4 .10 -14 Hz...
... C1 nạp VB2 C1 xã (rất nhanh) t VB1 t VB1 C1 R1 22 t VP VE VV Hình 29 Trang 14 4 Biên soạn: Trương Văn Tám t Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Khi cấp điện, tụ C1 bắt đầu nạp điện qua điện trở RE (Diod ... lập lại * D ng UJT tạo xung kích cho SCR 5,6K 20K + 470uF - V=20V z Tải 330 10 0K UJT F1 B2 FUSE E B1 SCR 11 0V/50Hz 220V/50Hz 47 Hình 30 - Bán kỳ d ơng có xung đưa vào cực cổng SCR d n điện Bán ... RB1 nhỏ không giảm (chú ý d ng cực B1) gồm có d ng điện liên IB cộng với d ng phát IE ) nên VE không giảm mà bắt đầu tăng IE tăng Vùng gọi vùng bảo hòa Như vây ta nhận thấy: - D ng đỉnh IP d ng...
... thường Áp d ng thông thường Diod shockley d ng để kích SCR Khi phân cực nghịch, Diod shockley không d n điện Tải R 11 0V/50Hz 220V/50Hz C Hình 20 - Bán kỳ d ơng, tụ C nạp điện đến điện VBO Diod shockley ... lúc d ng cổng IG=0V, điện quay VBO Diod shockley nhỏ nhiều Khi ta tăng điện phân cực thuận, điện anod-catod tới trị số VBO Diod shockley bắt đầu d n, điện hai đầu giảm nhỏ sau hoạt động Diod bình ... Tử I Bóng Đèn -VBO VR 11 0V/50Hz 220V/50Hz V +VBO C Hình 18 Hình 17 Ở bán ký d ơng điện tăng, tụ nạp điện điện VBO DIAC d n, tạo d ng kích cho Triac d n điện Hết bán kỳ d ơng, Triac tạm ngưng...
... VZ = 11 V R3 1K 6V ACCU 12 V D2 50uF ~220V ~ 11 0V R1 47Ω 2W Hình - Khi accu nạp chưa đầy, SCR1 d n, SCR2 ngưng - Khi accu nạp đầy, điện cực d ơng lên cao, kích SCR2 làm SCR2 d n, chia bớt d ng ... (Gate) T1 Đầu T1 Đầu T2 + T2 IG - T2 IG G T1 T2 T1 Đầu + ≈ G n G p G p n n ≈ T1 G - T1 Hình + T1 Thường coi SCR lưỡng hướng d n điện theo hai chiều Hình sau cho thấy cấu tạo, môhìnhtươngđương ... cổng anod nên cổng (ở SCR) gọi cổng catod Anod A GK Cổng Catod P N K Catod Cấu tạo A GA P N A A GA GA Cổng Anod GA GK GK K GK K Ký hiệu K MôhìnhtươngđươngHình 13 Như vậy, ta áp xung d ơng vào...
... vị trí SCR d n điện Lý có điện dung nội Cb hai cực transistor môhìnhtươngđương SCR d ng điện qua tụ là: i cb = C b dV D ng điện chạy vào cực T1 Khi dV/dt đủ dt lớn icb lớn đủ sức kích SCR ... quay VBO cách d ng d ng kích cực cổng Một cách khác tăng điện anod nhanh tức dv/dt lớn mà thân điện V anod không cần lớn Thông số dv/dt tốc độ tăng lớn mà SCR chưa d n, vượt vị trí SCR d n điện Lý ... bớt d ng icb A C R G K Hình - Tốc độ tăng d ng thuận tối đa di/dt: Đây trị số tối đa tốc độ tăng d ng anod Trên trị số SCR bị hư Lý SCR chuyển từ trạng thái ngưng sang trạng thái d n, hiệu anod...
... tác d ng CMOS mạch đảo (inverter) Ta xem mạch khuếch đại đơn giản d ng CMOS tuyến tính: VDD = +15 V Q1 P D1 Q2 N D2 v0(t) G2 vo(t) t S2 VGG = t G1 vi(t) vi(t) S1 VDD = 7,5V Hình 49 VGG = VDD = ... tập cuối chương Tính VD, điện d n truyền gm mạch: +12 V RD 5K VD IDSS = 4mA VGS(off) = -4V RG 1M 1K RE Trong mạch điện sau, tính điện phân cực VD điện d n truyền gm +12 V RD 5K VD IDSS = 4mA VGS(off) ... - V-MOS D- MOS có kênh N kênh P, kênh N thông d ng - V-MOS D- MOS có ký hiệu E -MOSFET Họ FET tóm tắt sau FET JFET MOSFET JFET kênh N JFET Kênh P DE -MOSFET Kiểu + tăng DE -MOSFET Kênh N DE-MOSFET...
... ID1 v gm2 l in dn truyn ca E -MOSFET ng vi d ng thoỏt ID2 Ta cú: g m1 = KI D1 v g m = KI D nờn: g m = g m1 ID(mA) IDmax ID1 [ I D = K VGS VGS( th ) Q I D2 I D1 ] dc ti Q l gm1 VGS(th) VGS (volt) ... Amp/volt2 ID: D ng din phõn cc cc thoỏt D Trang 11 8 Biờn son: Trng Vn Tỏm Giỏo trỡnh Linh Kin in T Ta thy gm tựy thuc vo d ng in thoỏt ID, nu gi gm1 l in dn truyn ca EMOSFET ng vi d ng thoỏt ID1 v gm2 ... ( t ) in dn truyn cú th c suy t c tuyn truyn, ú chớnh l dc ca tip tuyn vi c tuyn truyn ti im iu hnh Q ID(mA) dc ti im ID = IDSS l gmo IDSS dc ti im Q l: i dI I D gm = D = = d( t ) dVGS VGS...
... điện VDD áp vào hai cực thoát nguồn, điện tử di chuyển nên d ng thoát ID (ID # 0V) Lúc này, có d ng điện rỉ nhỏ chạy qua - VDD + S SiO2 VGS = 0V G D n+ n+ Thân pMạch tươngđươngHình 31 Khi VGS>0, ... loại: E -MOSFET kênh N E -MOSFET kênh P Về mặt cấu tạo giống DE -MOSFET, khác bìng thường thông lộ nối liền hai vùng thoát D vùng nguồn S Môhình cấu tạo ký hiệu diễn tả hình vẽ sau đây: Trang 10 7 Biên ... Kiện Điện Tử K= ID [V GS − VGS( th ) = 10 .10 −3 ] [8 − 3,8] Vậy d ng thoát ID VGS là: [ I D = K VGS − VGS( th ) ] 2 = 5,67 .10 − A V2 = 5,67 .10 − [6 − 3,8] ⇒ ID = 2,74 mA - VDD + - VGG + S SiO2...
... ID ID VGS = 0,2V IDSS VGS = 0V Điều hành kiểu VGS = -1V VGS = -2V VGS = -3V VGS -4V 0,2V VDS Hình 21 ID Phân cực kiểu Phân cực kiểu tăng (Tối đa 0,2V) + + VGG - D G + VGS - VGG S VDS + VDD Hình ... loại MOSFET: MOSFET loại MOSFET loại tăng Hình sau mô tả cấu tạo MOSFET loại (DE - MOSFET) kênh N kênh P Trang 10 3 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử D Nguồn S Cổng G Thoát D ... S Ký hiệu n+ D Thân p- Thân nối với nguồn G DE -MOSFET kênh N S Hình 23 D Nguồn S Cổng G Thoát D Tiếp xúc kim loại Thân U G SiO2 p+ Kênh p- S Ký hiệu p+ D Thân n- Thân nối với nguồn G DE-MOSFET...
... AV=2,87 ? -18 0o 2/5 Fet với tínhiệu xoay chiều mạch tươngđương với tínhiệunhỏ Người ta d ng d u - để biểu diễn độ lệch pha 18 0o • Mạch tươngđương FET với tínhiệu nhỏ: 3/5 Fet với tínhiệu xoay ... độ giảm iD(t) với tínhiệunhỏ (giả sử 0,035mA) (Xem hình trang sau) Sự thay đổi d ng điện thoát iD(t) làm thay đổi hiệu số điện cực thoát cực nguồn Ta có vDS(t) = VDD – iD(t).RD Khi iD(t) có ... với tínhiệu xoay chiều mạch tươngđương với tínhiệunhỏ Nguồn tínhiệu có điện đỉnh nhỏ nên điện cổng nguồn luôn âm Nhờ đặc tuyến truyền, thấy điểm điều hành di chuyển VGS thay đổI theo tín hiệu...
... tínd ng Việt Nam Quyết định 16 27 – Quy chế cho vay Tổ chức tínd ng Việt Nam Sổ tay tínd ng NHCT Việt Nam Quy trình chấm điểm tínd ng xếp hạng khách hàng – NHCTVN Hướng d n phân tích tài doanh ... điểm tínd ng xếp hạng khách hàng doanh nghiệp NHCTVN chi nhanh Chương D ơng, có số kiến nghị lên NHCTVN để hoàn thiện nội dung quy trình chấm điểm tínd ng xếp hạng doanh nghiệp sau: 3.2 .1. 1 Lựa ... để CBTD dd ng truy cập tham khảo sử d ng Trung tâm tínd ng phải áp d ng phương thức thu thập thông tin tự động, xếp loại thông tin từ tạo nguồn thông tin đáng tin cậy cho CBCĐTD sử d ng chấm...
... tínd ng Việt Nam Quyết định 16 27 – Quy chế cho vay Tổ chức tínd ng Việt Nam Sổ tay tínd ng NHCT Việt Nam Quy trình chấm điểm tínd ng xếp hạng khách hàng – NHCTVN Hướng d n phân tích tài doanh ... điểm tínd ng xếp hạng khách hàng doanh nghiệp NHCTVN chi nhanh Chương D ơng, có số kiến nghị lên NHCTVN để hoàn thiện nội dung quy trình chấm điểm tínd ng xếp hạng doanh nghiệp sau: 3.2 .1. 1 Lựa ... để CBTD dd ng truy cập tham khảo sử d ng Trung tâm tínd ng phải áp d ng phương thức thu thập thông tin tự động, xếp loại thông tin từ tạo nguồn thông tin đáng tin cậy cho CBCĐTD sử d ng chấm...