Giáo trình phân tích cấu tạo căn bản của Mosfet với tín hiệu xoay chiều và mạch tương đương với tín hiệu nhỏ p1Giáo trình phân tích cấu tạo căn bản của Mosfet với tín hiệu xoay chiều và mạch tương đương với tín hiệu nhỏ p8 pdf

Giáo trình Linh Kiện Điện Tử ngõ vào thường người ta mắc ng kim loại, khi sờ tay vào, SCS dẫn điện Led t ng ứng cháy sáng, Relais hoạt động đóng mạch báo động hoạt động. C c cổng hay đúng hơn là một transistor không có cực nền. Hình sau đây mô tả cấu tạo, ký hiệu và mạch tương đương một h u điện thế một chiều theo một chiều nhất định thì khi đến điện thế V BO , DIAC dẫn điệ p hiệu thế theo chiều ngược lại thì đến trị số -V BO , DIAC cũng dẫn điện, D ể hiện một điện trở âm (đ ha DIAC giảm khi dòng điện qua DIAC tă ừ các tính chất trên, DIAC tương đương với hai Diode Zener mắc đối đầu. Thực tế, khi không có DI ười ta có thể dùng hai D điện thế Zener thích hợp để thay thế. (Hình 17) rong ứng dụng, DIAC thường dùng để mở Triac. Thí dụ như mạch điều chỉnh độ sáng c ủa bóng đèn (Hình 18) Ở ươ một miế IV. DIA Về cấu tạo, DIAC giống như một SCR không có cự của DIAC. Khi áp iệ n và khi á IAC th ng). T iện thế i đầu AC, ng iode Zener có T INPUT 2 +12V 1K 1K 10K LED 1K INPUT 3 Relay LED 10K LED 10K INPUT 1 Hình 15 Relais đóng mạch báo động p p n n n Anod 1 Anod 2 Cấu tạo Anod 1 Anod 2 Ký hiệu Anod 1 Anod 2 Tư đương ơng Anod 1 Anod 2 Hình 16 Trang 136 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử 0 V I 110V/50Hz Bóng Đèn Bóng Đèn VR -V BO +V BO C Hình 18 bán ký dương thì điện tăng, tụ nạ iện cho đến điện BO thì DIAC dẫn, tạo dòng kích cho Triac dẫn điện. Hế ỳ ơng, Triac ng Đến bán kỳ âm tụ C nạp điện theo chiều ngược lại đến điện thế -V BO , DIA i dẫn điện kích Triac dẫn điện. Ta thay đổi VR để thay đổi thời hằng nạp điện của tụ C, do đó thay đổi góc dẫn của Triac đưa đến làm thay đổi độ sáng của bóng . V. DIOD SHOCKLEY. Diod shockley gầm có 4 lớp bán d N (diod 4 lớp) nhưng chỉ có hai cực. Cấu o cơ bản và ký hiệu cùng với đặc tuyến Volt-Ampere khi phân cực thuận được mô tả ở hình vẽ sau đây: Hình 17 Ở thế p đ thế V ưng. t bán k dư tạm C lạ đèn ẫn PNP 220V/50Hz N N tạ Anod A + A K Catod P P Hình 19 - K I A - + V f I BO V BO 0 V f Trang 137 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Ta thấy đặc tuyến giống như SCR lúc dòng cổng I G =0V, nhưng điện thế quay về V BO của Diod shockley nhỏ hơn nhiều. Khi ta tăng điện thế phân cực thuận, khi điện thế anod-catod tới trị số V BO thì Diod shockley bắt đầu dẫn, điện thế hai đầu giảm nhỏ và sau đó ho - Bán kỳ dương C nạp điện đến điện thế V BO thì Diod shockley dẫn điện, kích SCR dẫn. Bán kỳ âm, Diod shoc ưng, SCR cũng ngưng. VI. GTO (GATE TURN – OFF SWITCH). ạt động như Diod bình thường. Áp dụng thông thường của Diod shockley là dùng để kích SCR. Khi phân cực nghịch, Diod shockley cũng không dẫn điện. 110V/50Hz R C Tải Hình 20 220V/50Hz , tụ kley ng GTO là một linh kiện có 4 lớp bán dẫn PNPN như SCR. cấu tạo và ký hiệu được mô tả như sau: N N Anod A K Catod P P G Cổng G Cổng A K Catod Hình 21 Ký hiệu Anod Trang 138 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Tuy có ký hiệu khác với SCR và SCS nhưng các tính chất thì tương tự. Sự khác biệt cơ bản cũng là sự tiến bộ của GTO so với SCR hoặc SCS là có thể mở hoặc tắt GTO chỉ bằng một cổng (mở GTO bằng cách đưa xung dương vào cực cổng và tắt GTO bằng cách đưa xung âm vào cực cổng). - So với SCR, GTO cần dòng điện kích lớn hơn (thường hàng trăm mA) nữa c ủa GTO là tính chuyển mạch. Thới gian mở của GTO cũng giống như SCR (khoảng 1µs), nhưng thời gian tắt (thời gian chuyển từ trạng thái dẫn điện sang trạng thái ngưng d hì nhỏ hơn SCR rất nhiều (khoảng 1µs ở GTO và từ 5µs đến 30µs ở SCR). Do đó GTO dùng như một linh kiệncó chuyển mạch nhanh. GTO thường được dùng rất phổ biến trong các mạch đế m, mạch tạo xung, mạch điều hoà điện sau đây là một ứng dụn Diod Zener. ấp điện, GTO dẫn, anod và catod xem như nối tắt. C 1 nạp điện đến điện thế nguồn V AA , lúc đó V GK <0 làm GTO ngưng dẫn. Tụ C 1 xả điện qua R 3 =V R +R 2 . Thời gian xả điện tùy thuộc vào t ng τ=R 3 C 1 . Khi V o <V Z , GTO lại dẫn điện và chu kỳ mới lại được lập lại. - Một tính chất quan trọng ẫn) t thế… mạch g của GTO để tạo tín hiệu răng cưa kết hợp với VAA=+200V A K R 2 Khi c hời hằ Hình 23 V o V AA V Z 0 +Vo R 1 VR C1 VR Hình 22 A K G Trang 139 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử VII. UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR – TRANSISTOR T chỉ có một độc nhất nối P-N. Tuy không thông dụng như BJT, nhưng UJT có một số đặc tính đ h tạo dạng sóng và định giờ. đầu tạo thành hai c 1 2 y nhôm nhỏ đóng vai trò chất bán dẫn loại P. Vùng P này nằm cách vùng B hoảng 70% so với chiều dài của hai cực nền B 1 , B 2 . Dây nhôm đóng vai trò cực phát E. Hình sau đây trình bày cách áp dụng điện thế một chiều vào các cực củ để khảo sát các đặc tính của nó. ĐỘC NỐI). Transistor thường (BJT) gọi là Transistor lưỡng cực vì có hai nối PN trong lúc UJ ặc biệt nên một thời đã giữ vai trò quan trọng trong các mạc 1. Cấu tạo và đặc tính của UJT: Hình sau đây mô tả cấu tạo đơn giản hoá và ký hiệu của UJT Một thỏi bán dẫn pha nhẹ loại n - với hai lớp tiếp xúc kim loại ở hai ực nền B và B . Nối PN được hình thành thường là hợp chất của dâ 1 k a UJT n- p B 2 Nền B 1 Nền E Phát E B 2 B 1 B 2 E B 1 Hình 24 E A EE B1 B2 D1 V B2 R BB EE E V R B1 B1 V R BB B2 Mạch tương đương của UJT I E R E E E Hình 25 V Trang 140 Biên soạn: Trương Văn Tám . các mạc 1. Cấu tạo và đặc tính của UJT: Hình sau đây mô tả cấu tạo đơn giản hoá và ký hiệu của UJT Một thỏi bán dẫn pha nhẹ loại n - với hai lớp tiếp xúc kim loại ở hai ực nền B và B . Nối. nền. Hình sau đây mô tả cấu tạo, ký hiệu và mạch tương đương một h u điện thế một chiều theo một chiều nhất định thì khi đến điện thế V BO , DIAC dẫn điệ p hiệu thế theo chiều ngược lại thì. thuộc vào t ng τ=R 3 C 1 . Khi V o <V Z , GTO lại dẫn điện và chu kỳ mới lại được lập lại. - Một tính chất quan trọng ẫn) t thế… mạch g của GTO để tạo tín hiệu răng cưa kết hợp với VAA=+200V