... 2.2.3 Khảosáttrìnhxunglaserbándẫn InGaAsP/ InP Trong mục khảosáttrình phát đa mode laserbándẫn với hoạt chất InGaAsPInPQuátrình phát đa mode laserbándẫn phụ thuộc vào nhiều tham số laser, ... XUNG 23 CỦALASERBÁNDẪN InGaAsP/ InP .23 2.1 Hệ phương trình tốc độ .23 2.2 Động học phát xunglaserbándẫn InGaAsP/ InP 25 2.2.1 Các tham số động học laserbándẫn InGaAsP/ InP ... tạp khác Trong phần tìm hiểu rõ trình phát xunglaserbándẫn pha tạp InGaAsP/ InP Chương II KHẢOSÁT ĐỘNG HỌC PHÁT XUNGCỦALASERBÁNDẪN InGaAsP/ InP Sự đời laser với với tính chất đặc trưng...
... hởng trình điều biến xung phát nội dung chơng luận văn Chơng III - Khảosáttrình điều biến xung phát laserbándẫn DFB hai ngăn Trong chơng khảosáttrình phát điều biến xunglaser phát laserbán ... p 1.2 Laserbándẫn 1.2.1 Cấu tạo laserbándẫnLaserbándẫn với môi trờng họat chất bándẫn đợc chế tạo sở tiếp giáp p-n đợc tạo bándẫn pha tạp khác GaAs, AlGaAs/GaAs hay InGaAsP/ InP có cấu ... cho laser phản hồi phân bố Laserbándẫn phản hồi phân bố Mô hình laserbándẫn DFB hai ngăn Hệ phơng trình tốc độ laserbándẫn DFB hai ngăn Kết luận 20 21 24 25 26 29 laserbán dẫn...
... ứng laser DFB Vì trình phát 22 xung nh điều biến xung phát laser DFB đợc quan tâm đặc biệt lý thuyết nh thực nghiệm [3], [5] [9] Trong chơng khảosáttrình điều biến xunglaser phát laserbándẫn ... phơng trình tốc độ mô tả hoạt động laserbándẫn phản hồi phân bố hai ngăn Các tham số động học, ý nghĩa cách tiếp cận đợc trình bày - Chúng khảosáttrình dịch chuyển bớc sóng laserbándẫn phản ... lý bán dẫn, laserbándẫn nói chung laser phản hồi phân bố nói riêng Từ mô tả chế phản hồi phân bố cấu trúc có chu kỳ chế phát xạ laser cấu trúc 34 - Trên sở tài liệu tham khảo, luận văn dẫn...
... dùng LASERbándẫn * Năm 1963, Nikolay Basov cộng sản xuất LASERbándẫn chế tạo từ GaAs Liên Xô * Ngay sau thành tựu này, với nhiệm vụ làm nguồn bơm cho LASER rắn thông thường, LASERbándẫn ... (acceptor) Chất bándẫn có pha thêm tạp chất nhóm III gọi bándẫn loại P (Positive) Khi cho hai lớp bándẫn tiếp xúc nhau, điện tử (e) từ bándẫn loại N khuếch tán sang bándẫn loại P Tại diễn ... điểm: * Quang phổ LASERbándẫn bị ảnh hưởng nhiệt độ, áp suất * Khó chế tạo LASER có công suất xung lớn, tính đơn sắc, tính song song loại LASER khác II.CẤU TẠO Một LASERbándẫn có cấu tạo...
... NGHIỆM Laserbándẫn công suất cao sử dụng nghiên cứu Laser diode bándẫn công suất cao (hay chip laser diode bándẫn công suất cao) sử dụng nghiên cứu có tên HP 0612 chế tạo sở chip laser cấu ... dòng (I –V) lớp chuyển tiếp laserbándẫn công suất cao Hình đường đặc trưng I-V củalaser diode bándẫn công suất cao HP 0612 nhiệt độ 25 C Đặc trưng I-V laserbándẫn có dạng hình Từ hình ta ... công suất xạ laser Hệ thí nghiệm khảosát ảnh hưởng nhiệt độ lên đặc trưng công suất quang laserbándẫn công suất cao Hệ đo đặc trưng P - I phụ thuộc vào nhiệt độ laser diode bándẫn công suất...
... short laser pulses is obtainable from the Cr:LiSAF lasers operated at their near-threshold By proper choices of solid-state laser resonator and pumping parameters, duration of single solid-state laser ... therefore, much shorter than the diode laser pumping pulse (100 µs) Direct generation of single short laser pulse has been experimentally demonstrated in other solid-state laser mediums such as Nd:YVO4 ... diode-end-pumped, passively Cr:YSO Qswitched Cr:LiSAF lasers in broadband and narrowband laser operations The characteristics of the passively Q-switched Cr:LiSAF lasers were demonstrated to be dependent...
... short laser pulses is obtainable from the Cr:LiSAF lasers operated at their near-threshold By proper choices of solid-state laser resonator and pumping parameters, duration of single solid-state laser ... therefore, much shorter than the diode laser pumping pulse (100 µs) Direct generation of single short laser pulse has been experimentally demonstrated in other solid-state laser mediums such as Nd:YVO4 ... diode-end-pumped, passively Cr:YSO Qswitched Cr:LiSAF lasers in broadband and narrowband laser operations The characteristics of the passively Q-switched Cr:LiSAF lasers were demonstrated to be dependent...
... thi gian ca cỏc xunglaser rn 60 Hỡnh 3.6 (a) rng xung v nng lng xung; (b) tn s lp li 61 Hỡnh 3.7 a) rng xung, b) Nng lng xung v c) tn s lp 62 Hỡnh 3.8 Cỏc c trng xung ca laser Nd:YVO4 c ... gian ca cỏc xunglaser Cr:LiSAF 67 vii Hỡnh 3.13 Di ph iu chnh liờn tc bc súng ca laser 68 Hỡnh 3.14 (a) rng xung, (b) nng lng xunglaser Cr:LiSAF 69 Hỡnh 4.1 (a) Cu hỡnh BCH laser rn Cr:LiSAF ... ra, chiu di BCH cng ngn thỡ rng xunglaser thu c cng cng ngn iu ú cho thy, xunglaser ngn nht cú th thu c t mt laser cú chiu di BCH ngn nht 2.2.1.3 Phỏt cỏc xunglaser n v ngn nh quỏ trỡnh quỏ...
... trường khuếch đại laser rắn bơm quang học trìnhlaser phương trình tốc độ - diễn tả tiến trình tương tác trình hấp thụ ánh sáng bơm trình phát xạ photon BCH Hình 2.1 trình bày mô hình laser rắn Cr:LiSAF ... cách hai xung Q15 switching liên tiếp ~ 11 µs (chu kỳ xung) Các xunglaser Cr:LiSAF Q-switching băng hẹp chuỗi xungđặn phát tần số lặp lại ~ 91 kHz Hình 3.12: a) Quátrình thời gian xunglaser ... tỏ động học laser phát xạ laser Cr:LiSAF bơm xunglaser diode; động học xunglaser Cr:LiSAF Q-switching thụ động chất hấp thụ bão hòa bơm liên tục laser diode hai chế độ hoạt động laser băng rộng...
... tin Quy trình vận hành a) Ban hành triển khai quy trình vận hành hệ thống công nghệ thông tin đến người sử dụng bao gồm: Quy trình bật, tắt thiết bị; quy trình lưu, phục hồi liệu; quy trình bảo ... dưỡng thiết bị; quy trình vận hành ứng dụng; quy trình xử lý cố b) Kiểm soát thay đổi hệ thống công nghệ thông tin bao gồm: phiên phần mềm, cấu hình phần cứng, tài liệu, quy trình vận hành; phải ... Kiểm soát khắc phục cố Ban hành quy trình, trách nhiệm khắc phục phòng ngừa cố công nghệ thông tin, đảm bảo cố xử lý thời gian ngắn giảm thiểu khả cố lặp lại Quátrình xử lý cố phải ghi chép lưu...
... cập nhật Trang tin bao gồm nội dung sau: Giới thiệu chung Ủy banDân tộc Vụ, đơn vị trực thuộc (quá trình hình thành phát triển, thành tựu đạt được, sách chủ trương định hướng phát triển tương lai, ... bố Trang tin điện tử”; Các tin, liệu, hình ảnh sưu tầm, trích dẫn từ nguồn thông tin, tài liệu nơi khác phải ghi rõ nguồn gốc trích dẫn Thủ trưởng Vụ, đơn vị chịu trách nhiệm trước lãnh đạo Ủy ... trình xử lý, nói rõ thời hạn trả lời tới tổ chức, cá nhân Đối với vấn đề có liên quan chung phải đăng trả lời lên trang tin điện tử Biên tập, xử lý tin Cổng tin, chuyên mục chuyên đề; Hướng dẫn...
... tử toàn hồ sơ trình văn Ủy banDân tộc đơn vị soạn thảo có nội dung phải trình Chính phủ, Thủ tướng Chính phủ (trừ văn có nội dung mật) đề nghị giải công việc File điện tử hồ sơ trình gửi Văn ... điện tử cá nhân: Trực tiếp xử lý loại văn nhận hộp thư điện tử cá nhân Trình Thủ trưởng đơn vị văn cần xin ý kiến đạo theo quy trình cải cách hành Các bước thực chuyển (gửi) văn qua hộp thư điện ... Thông tin để tiến hành cập nhật danh bạ thư điện tử quý lần Điều Quy trình cấp mới, thay đổi, hủy bỏ hộp thư điện tử Quy trình cấp Hộp thư điện tử: a) Đối với hộp thư điện tử đơn vị, Trung tâm...
... Bài Thực hành Khảosát đặc tính chỉnh lưu điốt bándẫn A K I MỤC ĐÍCH THÍ NGHIỆM: * Khảosát đặc tính chỉnh lưu điốt bándẫn * Vẽ đặc tuyến V-A ốt bándẫn A 9V V A 9V V III DỤNG ... 9V V R V K P A Khảosát dòng điện thuận qua điôt A P Khảosát dòng điện ngược qua điôt IV TIẾN HÀNH THÍ NGHIỆM ∗ Mắc mạch điện sơ đồ R0 A 9V R Vôn kế V vị trí DCV 20 V K P A Khảosát dòng điện ... Vôn kế V vị trí DCV 20 Ampe kế A vị trí DCA 200µ A K 9V R V A P Khảosát dòng điện ngược qua điôt IV BÁO CÁO THÍ NGHIỆM U (V) Khảosát dòng điện ngược qua điôt -8.6 I (µA) -3500 -8.5 U (V) I (µA)...
... phát Laser Ruby Buồng cộng hưởng V Phân loại Laser VI Mô máy phát Laser PHẦN II: LASERBÁNDẪN Sơ lược tiếp xúc p-n bándẫn thường Lớp tiếp xúc p-n bándẫn suy biến GaAs Buồng cộng hưởng laserbán ... hưởng Laserbándẫn 3.2 Laserbándẫn hồi tiếp phân tán • Sử dụng cách tử Bragg cách làm nhăn lớp biên phân cách hai lớp bándẫn cấu thành laser Đặc điểm chung Phương pháp kích thích laserbándẫn ... Phương pháp kích thích laserbándẫn 2.1 Phun dòng qua lớp tiếp xúc p-n Phương pháp kích thích laserbándẫn 2.1 Phun dòng qua lớp tiếp xúc p-n Phương pháp kích thích laserbándẫn 2.1 Phun dòng qua...
... sóng cho laserbándẫn DBR nguồn nuôi Toàn nội dung luận văn đợc trình bày ba chơng sau: Chơng 1: Trình bày sở lý thuyết vật liệu bán dẫn, laserbándẫn đặc tính laserbándẫn Chơng 2: Trình bày ... vào mạng tinh thể bándẫn tinh khiết, bándẫn trở thành bándẫn pha tạp Có hai loại bándẫn pha tạp bándẫn loại p lớp nguyên tử tạp chất có electron so với bándẫn Và bándẫn loại n nguyên tử ... p -InP In Au-Ge-Ni p -InP n -InP n -InP n -InP p -InP Au-Zn In Hình.12 Cấu trúc diode laser dị thể vùi Laser cấu trúc dị thể vùi đợc cấu tạo sở vật liệu InGaAsP/ InP có vùng hoạt tính bándẫn loại p-InGaAsP...
... chất bándẫn 3.1 BándẫnBándẫn trờng hợp lý tởng bándẫn tinh khiết tạp chất Thông thờng, bándẫnbándẫn đơn chất Trong bándẫn Si, nguyên tử Si góp điện tử hoá trị với nguyên tử Si xung quanh ... loại bándẫn nằm miền cấm 3.2 Bándẫn pha tạp Khi chất bándẫn bị pha tạp có tạp chất chúng trở thành bándẫn không tinh khiết hay bándẫn pha tạp Các chất bándẫn đợc chia làm hai loại Bándẫn ... loại bán dẫn, bao gồm bándẫn tinh khiết bándẫn tạp chất Ngoài dùng chúng để tính nồng độ hạt tải phụ bándẫn pha tạp Điều kiện để áp dụng bándẫn không suy biến (mức Fecmi nằm miền cấm) bán dẫn...
... Nhng bándẫn khác hẳn gần độ tuyệt đối bándẫn không dẫn điện nghĩa giống nh điện môi Khi ta nâng nhiệt độ lên bándẫn xuất hạt mang điện (electron lỗ trống) Nh để tạo hạt mang điện bán dẫn, ... ta phân loại bándẫn theo cấu trúc vùng lợng nh sau: + Bándẫn có vùng cấm thẳng: bándẫn mà đỉnh cực đại vùng r hoá trị đáy cực tiểu vùng dẫn nằm giá trị số sóng k gọi bándẫn có vùng cấm trực ... tiếp (vùng cấm thẳng) Bándẫn có tính chất quang tốt nên đợc sử dụng để chế tạo linh kiện phát quang ví dụ nh: GaAs, In As + Bándẫn có vùng cấm xiên: Là bándẫn mà đáy vùng dẫn đỉnh r vùng hoá...