... lµ nP NghÜa lµ pP nP nn >pn 3.1.3 Một số tợng vật lý b n d nTrong b n d n t p nh b n d n di n số trình vật lý ảnh hởng đ n tính chất d n đi n chúng Ta xét tợng a Hi n tợng ion hoá nguy n tử ... đi n tử nn gọi b n d n loại lấy ký hiệu p hạt d n lỗ trốngvới mật độ pp C n nói thêm b n d n loại cho ncó l n hạt d n phụ lỗ trống với n ng độ pn, b n d n loại lấyp có l n hạt d n phụ ®i n tư ... thể b n d nnp ti p xúc với ( công nghệ đặc biệt) Trong b n d n loại n hạt d n đi n tử, hạt d n phụ lỗ trống ; b n d n loại p hạt d n lỗ trống hạt d n Utx phụ đi n tử Docó chênh lệch n ng độ...
... DỤNGCỤ B N D N Tiết 64 Dòng đi n qua l p ti p xúc p – n: a) L p ti p xúc hai loại b n d np n: L p ti p xúc p - n Dòng đi n qua l p ti p xúc p – n: a) L p ti p xúc hai loại b n d np n: • ... nn êlectr n tự từ ph n b n d nn sang ph n b n d np lỗ trống từ ph n b n d np sang ph n b n d nn - Kết mặt ph n cách hai ph n hình thành l p đặc biệt, tích đi n dương phía b n d n loại n ... N u ph n b n d n loại phai b n b n d n loại n, transistor loại n -p- n Nếu ph n b n d n loại nhai b n b n d n loại p , transistor loại p- n -p Transistor (triode b n d n) Lịch sử phát minh transistor...
... Hoàng Trang 2010 Nhu c u n d ng (n m 2009), hư ng Đi n T (Ngu n: Student Services and Career Center SSCC, HCMUT) STT Công ty Nhu cầu tuy ndụngn m 2009 RENESAS 150 TMA SOLUTION 100 INTEL 20 JUKI ... Instruments, [Ref.: Dr Dietmar Knipp, 2006] Planar Process (1962) RTL (Resistor-Transistor Logic) (Noyce and Hoerni) [Ref.: Dr Dietmar Knipp, 2006] Hoàng Trang Operational Amplifier (1965) Fairchild ... The bipolar transistor First transistor (Point-contact transistor using germanium) The transistor was invented by Bardeen, Brattain and Shockely at Bell Labs in 1947 (Photograph courtesy of Bell...
... Bài: DỤNGCỤ B N D N Nội dung chính: 1.Dòng đi n qua l p ti p xúc _L p ti p xúc p_ n _Tính d n đi n chiều l p ti p xúc 2 .Một số dụngcụ b n d n I Dòng đi n qua l p ti p xúc p- n L p ti p xúc p- n: ... II Dụngcụ b n d nĐiốt b n d n: Làdụngcụ b n d ncó l p ti p xúc p- n cho dòng điệ n qua theo chiều nndùng để chỉnh lưu dòng xoay chiều Kí hiệu: + - pn 2.Triôt b n d n (trasistor ): Làdụng ... b n d npn ti p xúc nhau, khuếch t n hạt b n, chỗ ti p xúc hình thành mi n tích đi n trái dấu gọi l p ti p xúc p- n Etx p - + + + + n Tại l p ti p xúc, đi n trở l p ti p xúc l n đi n trở toàn...
... tử tự d n đi n kim loại Như chất b n d n trở thành chất d n đi n B n d n gọi b n d n hay b n d n đ n chất 3.1.2 B n d n t p Nhừng b n d n d n đi n không tốt.Để tăng khả d n đi n b n d n người ... trống với n ng độ pn, b n d n loại “lấy pcó l n hạt d n phụ đi n tử với mật độ nP Nghĩa pP ≥ nP nn >pn 3.1.3 Một số tượng vật lý b n d nTrong b n d n t p b n d n di n số q trình vật lý ảnh ... đổi n ng độ động tử b n d nTrong b n d n loại n số đi n tử tự số ion dương N D+; b n d n loại p số “lỗ trống ” lu n số ion âm NA- t p chất b Hi n tượng tái h p hạt d nTrong b n d n ion nh n điện...
... đi n trường n i sang bi n ti p gi p l p nghèo phía b n để g p ph ntạonn dòng quang đi n Các đi n tử - lỗ trống sinh b n mi n nghèo đi n trường đ n bi n ti p gi p phía để g p ph ntạonn dòng ... thống thông tin quang Cùng với phát tri n chất b n d n, đời dụngcụ b n d ncó vai trò quan trọng hệ thống thông tin quang Để nghi n cứu kỹ dụngcụ b n d n sử dụng để thu tin hiệu hệ thống thông ... (Advalanche Photodiode - APD) Cấutạo APD mơ tả (hình 3.14) Chúng có l p: l pP +, l p Π, l pP l pN Nếu khơng có l pPcấu trúc APD g n tương tự phơtơdiơt PIN 49 Hình 3.14 - Lược đồcấu trúc APD Phôtôdiôt...
... ở hạt d n lỗ trốngvới mật độ pp C n nói thêm b n d n loại cho ncó l n hạt d n phụ lỗ trống với n ng độ pn, b n d n loại lấyp có l n hạt d n phụ đi n tử với mật độ nP Nghĩa pP nP nn >pn 3.1.3 ... d n loại hai khối b n d nnn đi n tử từ l pn khuếch t n sang l pp ng-ợc lại lỗ trống từ l pp khuếch t n sang l pn Sau đi n tử từ l pn khuếch t n sang l pp để lại b nn l p ion d-ơng g n ... thể b n d nnp ti p xúc với ( công nghệ đặc biệt) Trong b n d n loại n hạt d n đi n tử, hạt d n phụ lỗ trống ; b n d n loại p hạt d n lỗ trống hạt d n phụ đi n tử Docó chênh lệch n ng độ hạt dẫn...
... (Inversion): ph ncực dương giá trị đủ l n kim loại b n d n (VGS > VTN), đi n tử hút vào mi n g n giao ti p b n d n chất cách đi n, hình thành nn kênh d n đi n tử (kênh N) b n d nP Cấu trúc N- EMOS ... (Insulated Gate FET) Nguy n tắc hoạt động FET dòng hạt d n từ ngu n đi n máng điều khi n đi np cổng hay đi n trường cổng Đi n trường làm cảm ứng đi n tích b n d n giao ti p b n d n- oxide Cấu ... linh động: Khi đi n trường có giá trị l n v n trôi không tăng n a, d n đ nđộ linh động giảm Trong JFET kênh d n ng n với đi np máng cố định, tăng đi n trường cổng làm giảm độ linh động hay làm...
... 0oK, n ng độ đi n tử n ng độ lỗ đkcb bao nhiêu? 16 Một b n d n pha t p chất với n ng độN >> ni tất t p chất bị ion hóa Người ta thấy b n d n lúc cón ng độn = N p= ni2 /N T p chất chất donor hay ... tìm dòng đi n chuy n ti p đi np ph ncực thu n 0.6V nhiệt độ 27oC: a) 1.11 mA b) 1.03 mA c) 0.95 mA d) 0.87 mA e) ĐS sai 15 Một phi n b n d n Si pha t p chất thành b n d n loại Pcó NA=1015/cm3 ... nm b) 853 nm c) 873 nm d) 956 nm e) ĐS sai 11 Một diode có pha t p chất NA=1017cm-3 b nP ND=1015cm-3 b n N, biết ni= 1010cm-3 Diode có giá trị pp pn (đ n vị cm-3) a) pp = 1017 pn =1015 b) pp...
... ánh sáng có bước sóng thích h p vào l p ti p xúc p – n ⇒ tạo c p êlectron lổ trống ⇒ E t có tác dụng đẩy lổ trống sang phía b n d np êlectron sang phía b n d nn Nếu đóng mạch điốtbằng đi n ... ánh sáng phát phụ thuộc vào b n d ndùng làm điốt cách pha t p chất vào b n d n ♦ Ứng dụng : Làm hi n thò , đ n báo , hình quảng cáo e Pin nhiệt đi n b n d n ♦ Cấutạo : Là c p nhiệt đi n làm ... l n , chế tạo thiết bò làm lạnh g n nhẹ hiệu cao y học , khoa học II Tranzito Cấutạo ph n loại a Cấutạo : Làdụngcụ b n d ncóhai l p chuy n ti pp – nN gồm ba ph ncó tính chất d n điện...
... Tranzito Cấutạo ph n loại a Cấutạo : Làdụngcụ b n d ncóhai l p chuy n ti pp – nN gồm ba ph ncó tính chất d n đi n khác b Ph n loại : Tranzito p – n – p , Tranzito n – p – n E pnp ... điốt cách pha t p chất vào b n d n Ứng dụng : Làm hi n thị , đ n báo , hình quảng cáo e Pin nhiệt đi n b n d n Cấutạo : Là c p nhiệt đi n làm từ hai b n d n khác loại ( np ) Tính chất ... đi n thiết bị làm lạnh hiệu ứng Peltier l p chó đầu n ng phía để ti n cho việc sử dụng Tranzito Khí n i cấutạo tranzito cóhai l p chuy n ti pp – n, c n nh n mạnh khu vực b n d ncực B có chiều...
... d n b n d n khơng t p chất B n d n khơng t p chất ký hiệu b n d n loại ị Độ d n riêng thường không l n H nđộ d n đi n tử độ d n lỗ trống chuy n động đi n tử b n d n (đi n tử vùng d n chuy n ... mắc Vjj, cócực dương vào b n d npcực âm vào b n d nn Mi n nghèo l p chuy n ti pp - n h p lại, độ d n tăng l n Vì tác dụng V((, đi n tử e chuy n động phía p lỗ trống chuy n động phía n Vịf, ... trình vật lý xảy mi n chuy n ti p mặt p - n Dây w Mi n chuy n ti p Chuy n ti p Hình 1.6 : Chuy n ti p mặt chuy n ti p điểm p - n Khi đặt hai loại b n d npn ti p xúc nhau, mật độ đi n tử b n n...
... b n d n loại N l n nồng độ đi n tử b nPnn electron khuếch t n sang b nN lỗ trống khuếch t n từ P sang N b n d n loại N tích đi n dương, b n b n d n loại P tích đi n âm hình thành V hướng ... Đi n – Đi n tử - ĐHBK Tp.HCM 28 Ki n thức • B n d n • Cón ng độ t p chất tương đối nhỏ hay gọi b n d nn i • Hai loại b n d n thường g p b n d n Si Ge Ta pha t p chất để tạo loại b n d n loại N ... Chuy n ti p (ti p xúc, mối n i) P- N • Khi ta kết n i kỹ thuật b n d n loại N b n d n loại P hình thành chuy n ti p P- NNP 29 Khoa Đi n – Đi n tử - ĐHBK Tp.HCM 1/14/2013 Ki n thức N 30 P Miê n ngèo...
... dung collector Thời gian np đi ndung ti p xúc jE với Đi n trở khuếch t n ti p xúc JE Đi ndung khuếch t n Đi ndung ký sinh B E Thời gian qua mi n Với transistor NPN, mật độ dòng đi n tử mi n ... động t n hiệu nhỏ Mạch tương đương t n số cao r, C (=Cbc): tương đương t n hiệu nhỏ JC ph ncực ngược r, C (=Cbe): tương đương t n hiệu nhỏ JE ph ncực thu n ro : đi n trở BJT CE rx : đi n ... tương đương 2xVON ( 1.4V) VCEsat l n (thường ~1 V) 86 43 Cấu hình Darlington (2) TIP-141 Vì để có tốc độ chuy n nhanh để bảo vệ BJT, đóng gói s n BJT Darlington thường có đi n trở diode Darlington...
... (Inversion): ph ncực dương giá trị đủ l n kim loại b n d n (VGS > VTN), đi n tử hút vào mi n g n giao ti p b n d n chất cách đi n, hình thành nn kênh d n đi n tử (kênh N) b n d nP Cấu trúc N- EMOS ... (Insulated Gate FET) Nguy n tắc hoạt động FET dòng hạt d n từ ngu n đi n máng điều khi n đi np cổng hay đi n trường cổng Đi n trường làm cảm ứng đi n tích b n d n giao ti p b n d n- oxide Cấu ... S(source)/D(drain) người ta thường n i mi n th n với cực ngu n Sự tạo thành kênh d n N- EMOS Sự tạo thành kênh d nN Sự ảnh hưởng chiều dài kênh d n L chiều rộng kênh d n W MOSFET gọi MOSFET kênh ngắn...
... suất phát e, hệ số v n chuy n mi n B BJT NPN với tham số sau: NDE = 1x1017cm–3, NAB = 1x1015cm–3, Dn = Dp, WB = 120nm, Lp= Ln = 2µm (a) (b) Hình Hình Hình 10 Cho mạch hình với BJT có =100, người ... mơ hình t n hiệu nhỏ ta n t tắt chúng ph n tích DC hở mạch chúng a) Tính điểm tĩnh Q BJT (ICQ VCEQ) b) Tính tham số h mơ hình t n hiệu nhỏ c) Tính hỗ d n gm độ lợi p AC AV = Vout/Vin d) Đi n trở ... RL phải thỏa điều ki n đễ mạch ngu n dòng? c) Mu ncó dòng IOUT có sai số so với IR không vượt 4% (nghĩa (IR–IOUT)/IR 4%) BJT phải thỏa điều ki n gì? d) Trường h p BJT khơng có đặc tính IOUT...
... DỤNGCỤ B N D N Dụngcụ b n d n: tảng ngành công nghi p đi n tử - ngành công nghi p l n giới với doanh số t ncầu ng n tỉ la từ n m 1998 ki n thức dụngcụ b n d n hiểu m n học khác ... đi n- đi n tử N I DUNG B n khối xây dựngdụngcụ b n d n Mười tám dụngcụ b n d n quan trọng vai trò chúng ứng dụng đi n tử Hai mươi công nghệ b n d n quan trọng vai trò chúng chế tạodụng ... nhiều chất b n d n h n h p nhiều loại dụngcụ b n d n Có chất b n d n h n h p từ nguy n tố (nhị h p) , nguy n tố (tam h p) nguy n tố (tứ h p) Nhiều chất b n d ncó tính chất đi n quang khác với...