... Σ P mi (1) Đốivớiđộnglàmviệcchếđộngắnhạn l plạicầnquiđổisangchếđộlàmviệcdàihạn : P đm2 = P m2 ε = 2, 2 0, 25 = 1, 1 − K sd K nc = ksd + → k sd = nhq ∑k i =1 sdi P i =1` = Pdmi ... L p C6-H1 GVHD: Nguyễn Phúc Huy Công thức tính phụ tải tính toán: n Ptt1 = Knc ∑ p m i =1 Đốivớiđộnglàmviệcchếđộngắnhạn l plạicầnquiđổisangchếđộlàmviệcdàihạn : P đm2 = P m2 ... P m2 ε = 2, 2 0, 25 = 1, 1 10 K nc = ksd + − K sd → k sd = nhq ∑k i =1 sdi Pdmi 10 P i =1` = = dmi 28 .2. 0 .16 + 1, 1.0,35 + 20 .0 ,16 + 20 .2. 0 ,16 + 20 .0 .16 + 20 .0 ,16 + 10 .2. 0 ,16 = 0 ,16 1
... h pp không phụ thuộc vào thời gian dòng điện Ip dòng điện khuếch tán lỗ trống dp dp Ta có: = I p = − D p eA dx dt P- P0 P( x0) -P0 dIp d pDo đó, = −D p eA dx dx Phương trìng (2) trở thành: d pP ... e.D p ⇒ dp = e .p. µ p E i dx D p dp = E i dx pp Mà Dp p Và E i = = VT = KT e − dV dx Do đó: dV = −VT dp p Lấy tích phân vế từ x1 đến x2 để ý x1 điện chọn 0volt, mật độ lỗ trống mật độ Ppo ... Với Tungsten, ta có: n= 18 ,8 6 ,20 3 .10 23 .2. 10 ≈ 1 ,23 .10 29 điện tử/m 18 4 ( ⇒ E F = 3,64 .10 19 1 ,23 .10 29 ) ⇒ E F ≈ 8,95eV IV CÔNG RA (HÀM CÔNG): Ta thấy nhiệt độ th p (T #00K), lượng tối đa...
... Anh tốt nhất! 3 /11 A 13 500 g B 13 500n (kg) Câu 40: Cho cấu hình electron nguyên tử sau: 1) 1s22s2 2p6 3s1 2) 1s22s2 2p6 3s2 3p6 4s2 C 15 0n (kg) 3) 1s22s1 D 13 ,5 (kg) 4) 1s22s2 2p6 3s2 3p1 Các cấu hình ... Đ P ÁN KTCL THPTQG LẦN NĂM 20 15 Môn: Hóa Học Đ P ÁN ( Mỗi đ p án 0 ,2 điểm) CÂU 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 Đề gốc C C ... CnH2nO2 => CnH2nO2 + (1, 5n -1) O2 nCO2 + nH2O Theo đề nO2 = nCO2 => 1, 5n – =n => n =2 => este HCOOCH3 =>D Câu 33 Quiđởi hỗn h p dạng 2, 4g FeS2 => nFeS2 = 0, 02 mol Quá trình cho nhận e: FeS2 Fe+3...
... t Hình 6 .11 6.4 DIAC (Diode Alternative Current) 6.4 .1 Cấu tạo A1 A1 A N1 N1 P1 P1 P1 N2 N2 N2 P2 P2 P2 T4 N3 N3 T1 T3 T2 A A2 A2 Hình 6. 12 DIAC có cấu tạo gồm l p PNPN, hai cực A1 A2, cho dòng ... loại NPN BJT loại PNP gh plại hình vẽ sau: A E2 B2 T2 C2 C1 B1 G T1 82 E1 K Chương 6: Linh kiện có vùng điện trở âm Hình 6.7 6.3 .2 Nguyên lý vận chuyển A A E2 B2 R Ra T2 P N R N PP C2 K R G C1 ... điện theo hai chiều B1 B2 G N1 P1 P1 N2 N2 P2 P2 N3 G B1 87 B2 Chương 6: Linh kiện có vùng điện trở âm Hình 6 .15 .Cấu tạo TRIAC Có bốn tổ h p điện mở TRIAC cho dòng chảy qua: B2 G + Xung + + Xung...
... P d Hình 7.7 LED bảy đoạn t p h p bảy LED chế tạo dạng dài x p hình vẽ ký hiệu bảy chữ a, b, c, d, e, f, g Phần phụ LED bảy đoạn chấm sáng (p) để dấu phẩy th p phân Dấu chấm LED p tương ứng phát ... hai phần gọi sơ c p thứ c p Phần sơ c p diode loại GaAs phát tia hồng ngoại, phần thứ c p transistor quang loại silic Ký hiệu: If Ic Hình 7 .15 Ký hiệu gh p quang 7.5 .2 Nguyên lý hoạt động Khi phân ... cực tính nguồn hay chiều quay động LE D1 A1 A2 LE D2 Ký hiệu Hình 7 .2 Ký hiệu LED đôi loại hai màu Nếu chân A1 có điện p dương LED1 sáng ngược lại chân A2 có điện p dương LED sáng b LED ba màu...
... quang-điện, phương ph p cửa quang, phương ph p giao thoa phương ph p trộn bước sóng Phương ph p trộn bước sóng phương ph p tồn quang, hoạt động hồn tồn khơng dựa vào tín hiệu điện • Bộ chuyển đổi trang ... chuyển sang dạng tín hiệu điện, tái tạo lại sau phát laser phát bước sóng khác Bộ chuyển đổi bước sóng Chế tạo phương ph p cửa quang Hình 6 .27 Bộ chuyển đổi bước sóng chế tạo theo phương ph p cửa ... cao ( 10 14 ÷ 10 15 Hz) tải tin quang thuận lợi cho tải tín hiệu băng rộng • • • • • Trạm l p quang điện (optoelectronic repeater) Cấu trúc trạm l p quang điện (optoelectronic repeater) Trạm l p quang...
... thụ P mạch Kết luận sau khơng với giá trị P? A R1.R2 = 5000 2 B R1 + R2 = U2 /P C |R1 – R2| = 50 Ω D P < U2 /10 0 -4 Câu 15 Cho đoạn mạch RLC nối ti p Biết L = 1/ π H, C = 2. 10 /π F, R thay đổi ... trêng h p b»ng nhau.T×m c«ng st cùc ®¹i ®iƯn trë cđa biÕn trë thay ®ỉi? A U2 R1 R2 U2 B R1 + R2 2U C R1 + R2 U ( R1 + R2 ) D R1 R2 Câu28 Cho m¹ch ®iƯn m¾c nèi ti p theo thø tù R nèi ti p víi L ... t¨ng tõ 10 0 Ω ®Õn 20 0 Ω , P t¨ng tõ 20 W ®Õn 25 W R t¨ng ti p tõ 20 0 Ω ®Õn 400 Ω ,P gi¶m tõ 25 W ®Õn 20 W C Kh«ng ®ỉi v× cïng b»ng 20 W D T¨ng tõ 20 W ®Õn 10 0W,sau ®ã gi¶m tõ 10 0W ®Õn 20 W Câu27 Cho...
... 35 nhiệt độ không đổi, hệ cân chuyển dịch bên phải tăng p suất: A 2H (k) + O2 (k) 2H 2O(k) B 2SO3 (k) 2SO2 (k) + O2 (k) C 2NO(k) N (k) + O2 (k) D 2CO2 (k) 2CO(k) + O2 (k) 36 ... tốc độ phản ứng nghịch B Phản ứng thuận phản ứng nghịch không xảy nữa( dừng lại) C Nồng độ chất phản ứng nồng độ chất sản phẩm D Nồng độ chất phản ứng giảm nồng độ chất sản phẩm tăng 22 phản ... khí O2 , tăng p suất B Giảm nồng độ khí O2 , giảm p suất C Tăng nhiệt độ giảm p suất D Giảm nhiệt độ giảm nồng độ SO2 26 Xét phản ứng nung vôi: CaCO3 CaO + CO2 (H > 0) (phản ứng thu nhiệt)...
... thiệu p dụng nối quang 27 0 Tải U1 MOC3 0 21 Q1 510 510 In 3V →30V 15 0 51 110 Vrms 22 0VAC Hình 15 - Q1: Bảo vệ nối quang điện nguồn lớn (chia bớt dòng điện qua LED) - Khi LED sáng, nối quang hoạt động ... 1 Các sản phẩm tiêu biểu BJT Diode 19 66 19 71 1980 19 85 19 90 SSI MSI LSI VLSI ULSI GSI 10 10 0→ 10 00 10 00→ 20 000 20 000 → 500000 >500000 >10 00000 19 61 Linh Mạch kiện đếm, đa planar, h p, Cổng mạch ... thành phần kỹ thuật planar, thành phần thụ động theo kỹ thuật màng Nhưng trình chế tạo thành phần tác động thụ động thực không đồng thời nên đặc tính thông số thành phần thụ động không phụ thuộc...
... ký hiệu UJT B2 Nền B1 E p E Phát B2 nE B2 B1 Nền B1 Hình 24 Một thỏi bán dẫn pha nhẹ loại n- với hai l p ti p xúc kim loại hai đầu tạo thành hai cực B1 B2 Nối PN hình thành thường h p chất dây ... dao động thư giãn (relaxation oscillator) R E 10 K R2 330 VB2 E VBB +12 V VC1 = VP Người ta thường dùng UJT làm thành mạch dao động tạo xung Dạng mạch trị số linh kiện điển sau: VE C1 n p VB2 C1 ... VE=0,5V + η VB2B1 (ở VB2B1 = VBB) Diod phân cực thậun bắt đầu dẫn điện mạnh UJT Điện VE=0,5V + η VB2B1=VP gọi điện đỉnh (peak-point voltage) VE VE Đỉnh VP VP VV IP Vùng điện trở âm IV Thung lũng...
... = 11 V R3 1K 6V ACCU 12 V D2 50uF ~22 0V ~ 11 0V R1 47Ω 2W Hình - Khi accu n p chưa đầy, SCR1 dẫn, SCR2 ngưng - Khi accu n p đầy, điện cực dương lên cao, kích SCR2 làm SCR2 dẫn, chia bớt dòng n p ... bị phân cực nghịch, accu n p qua D1, R1 Khi điện, nguồn điện accu làm thông SCR th psáng đèn Mạch n p accu tự động (trang sau) D1 6,3V SCR1 R2 47Ω 2W SCR2 D3 6,3V RR3 1K 47Ω 2W + - VR 750Ω 2W ... n p) Trang 1 32 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử II TRIAC (TRIOD AC SEMICONDUCTOR SWITCH) T2 n T2 n p T2 n pp n + p n n G Cổng (Gate) T1 Đầu T1 Đầu T2 + T2 IG - T2 IG G T1...
... lệch pha 18 0o Trang 11 4 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử ID(mA) vS(t) 0,01V t -0,01V 12 , 285mA t Q ≈ 12 , 215 mA -1 -1, 01V -1V VGS -0,99V VGS(off) vGS(t) iD(t) (mA) -1, 01V 12 , 285 ... (mA) -1, 01V 12 , 285 12 , 250 12 , 215 -0.99V ≈ VDD = +20 V t RD = 820 Ω iD(t) vDS(t) (V) vDS(t) C2 v0(t) = vds(t) 9,9837 9,9550 9, 926 3 ≈ t v0(t) 0, 028 7V Hình 38 t -0, 028 7V Trang 11 5 Biên soạn: Trương ... đỉnh đối đỉnh hiệu tín hiệu ngõ vào: AV = vo (t) vS ( t ) Trong trường h p thí dụ trên: o v o ( t ) 0,0574VP − P − 18 0 = AV = v S (t) 0,02VP− P AV =2, 87 ∠ -18 0o Người ta dùng dấu - để biểu diễn độ...
... transistor NPN sử dụng thông dụng transistor PNP dùng tốt tần số cao JFET kênh N thông dụng JFET kênh Pvới lý Phần sau, ta khảo sát JFET kênh N, với JFET kênh P, tính chất tương tự II CƠCHẾ HOẠT ĐỘNG ... -8V VGS(off) Hình 17 IV ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ TRÊN JFET ƯỞNG Như ta thấy JFET, người ta dùng điện trường kết h pvới phân cực nghịch nối P- N để làm thay đổi điện trở (tức độ dẫn điện) thông ... RE=1K RC=3K VC VE V EE 2V V CC 12 V VB Tính IC, VCE mạch điện: +6V RB 430K +6V RC 2K IC β =10 0/Si 1K RE Tính VB, VC, VE mạch điện: +12 V RC 5K VC VB β =10 0/Si RB 33K VBB VE 2V 1K RE Trang 90 Biên soạn:...
... = 10 0Ω IC (mA) RC = 2KΩ + VCC = 12 V IC VCC = 10 V VCC: 10 V 12 V 14 V VEE = 1V VCC = 14 V Q1 Q1 IE =3 (mA) Q2 VCB 10 12 14 Hình 24 Ảnh hưởng IE lên điểm điều hành: Nếu ta giữ RC VCC cố định, thay đổi ... điện trở động re giống điện trở động rd nối P- N phân cực thuận nên: re = 26 mV IE n+ E p B’ n- ie ic C ib’ Hình 31 B Ngoài ra, ta có điện trở rb vùng bán dẫn phát (ở đây, ta coi điện trở B B’) ... Ảnh hưởng điện trở cực thu RC: RC = 1, 5KΩ; 2KΩ; KΩ RC RE = 10 0Ω IC IE = 3mA VCC = 12 V VEE = 1V Hình 20 VEE − VBE − 1, 7 = = 3mA ≈ I C RE 0 ,1 V V * Khi RC = KΩ, I C = − CB + CC RC RC V 12 = − CB...
... nên phương trình trở thành: d Pn Pn − Pn = Trong L p = D p τ p dx L 2p [ ] Và có nghiệm số là: Pn ( x) − Pn0 = Pn ( x ) − Pn0 e Suy ra, J pn ( x ) = −e.D p dPn dx = x =x e.D p Lp [P (x n − x − x2 ... lỗ trống dòng điện tử phải số Ta có: Jpp (x1) = Jpn(x2) Jnp (x1) = Jnn(x2) Dòng điện J tiết diện số Vậy x1 x2 ta có: J = Jpp(x1) + Jnp (x1) = Jpn(x2) + Jnn(x2) Dòng điện Jpn dòng khuếch tán lỗ ... Kiện Điện Tử p dụng: I ( t 0C) = I (25 0 C) t − 25 10 21 00− 25 10 = 25 nA .18 1 = 25 nA ⇒ I (10 0 C) = 4, 525 µA Tính chất nối P- N phân cực thuận thay đổi theo nhiệt độ Khi nhiệt độ nối P- N tăng, điện...
... I8 02 + C 813 + (7) I9 01 R 817 D 811 R8 12 R 815 R 816 Q803 Q8 02 C 825 C 815 R 813 B :10 3V P5 50 R1 1k C6 1uF + D805 + C 823 C 824 R8 01 C8 31 D806 D809 C 826 D807 R8 02 C806-C809 R809 + D 815 D 816 C 825 LF 8 02 R806 ... KG D5 12 Q 511 BLK 10 k D 511 R508 KB Q5 01 4.Phần quét mành: Đặc điểm: - nguồn c p 24 ÷ 27 V từ cao p - đầu gh p thẳng lái tia (cực dương) Cực âm nối với tụ hoá (10 00 ÷ 22 00µF) - đầu điện p1 /2 nguồn ... Trường h p xung fH, nguồn đủ 10 3V co bật máy Mạch khởi động R806 Mạch tạo dao động C8 31, D806, D807, R8 02 Mạch bảo vệ D 815 ÷ D 816 : giữ cân điện p BE D 810 : bù xung Mạch Reset: Q8 02, 803 khởi động...