Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 17 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Cấu trúc
Chương I
MỨC NĂNG LƯỢNG VÀ DẢI NĂNG LƯỢNG
I. KHÁI NIỆM VỀ CƠ HỌC NGUYÊN LƯỢNG:
II. PHÂN BỐ ĐIỆN TỬ TRONG NGUYÊN TỬ THEO NĂNG LƯỢNG:
III. DẢI NĂNG LƯỢNG: (ENERGY BANDS)
Chương II
SỰ DẪN ĐIỆN TRONG KIM LOẠI
I. ĐỘ LINH ĐỘNG VÀ DẪN XUẤT:
II. PHƯƠNG PHÁP KHẢO SÁT CHUYỄN ĐỘNG CỦA HẠT TỬ BẰNG NĂNG LƯ
III. THẾ NĂNG TRONG KIM LOẠI:
III. SỰ PHÂN BỐ CỦA ĐIỆN TỬ THEO NĂNG LƯỢNG:
IV. CÔNG RA (HÀM CÔNG):
V. ĐIỆN THẾ TIẾP XÚC (TIẾP THẾ):
Chương III
CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN
I. CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN THUẦN HAY NỘI BẨM:
II. CHẤT BÁN DẪN NGOẠI LAI HAY CÓ CHẤT PHA:
1. Chất bán dẫn loại N: (N - type semiconductor)
2. Chất bán dẫn loại P:
3. Chất bán dẫn hỗn hợp:
III. DẪN SUẤT CỦA CHẤT BÁN DẪN:
IV. CƠ CHẾ DẪN ĐIỆN TRONG CHẤT BÁN DẪN:
V. PHƯƠNG TRÌNH LIÊN TỤC:
Chương IV
NỐI P-N VÀ DIODE
I. CẤU TẠO CỦA NỐI P-N:
II. DÒNG ĐIỆN TRONG NỐI P-N KHI ĐƯỢC PHÂN CỰC:
1. Nối P-N được phân cực thuận:
2. Nối P-N khi được phân cực nghịch:
III. ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ LÊN NỐI P-N:
IV. NỘI TRỞ CỦA NỐI P-N.
1. Nội trở tĩnh: (Static resistance).
2. Nội trở động của nối P-N: (Dynamic Resistance)
V. ĐIỆN DUNG CỦA NỐI P-N.
1. Điện dung chuyển tiếp (Điện dung nối)
2. Điện dung khuếch tán. (Difusion capacitance)
VI. CÁC LOẠI DIODE THÔNG DỤNG
1. Diode chỉnh lưu:
2. Diode tách sóng.
3. Diode schottky:
4. Diode ổn áp (diode Zener):
5. Diode biến dung: (Varicap – Varactor diode)
6. Diode hầm (Tunnel diode)
Chương V
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
I. CẤU TẠO CƠ BẢN CỦA BJT
II. TRANSISTOR Ở TRẠNG THÁI CHƯA PHÂN CỰC.
III. CƠ CHẾ HOẠT ĐỘNG CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC.
IV. CÁC CÁCH RÁP TRANSISTOR VÀ ĐỘ LỢI DÒNG ĐIỆN.
V. DÒNG ĐIỆN RỈ TRONG TRANSISTOR.
VI. ĐẶC TUYẾN V-I CỦA TRANSISTOR.
1. Mắc theo kiểu cực nền chung:
2. Mắc theo kiểu cực phát chung.
3. Ảnh hưởng của nhiệt độ lên các đặc tuyến của BJT.
VII. ĐIỂM ĐIỀU HÀNH – ĐƯỜNG THẲNG LẤY ĐIỆN MỘT CHIỀU.
VIII. KIỂU MẪU MỘT CHIỀU CỦA BJT.
IX. BJT VỚI TÍN HIỆU XOAY CHIỀU.
1. Mô hình của BJT:
2. Điện dẫn truyền (transconductance)
3. Tổng trở vào của transistor:
4. Hiệu ứng Early (Early effect)
5. Mạch tương đương xoay chiều của BJT:
CHƯƠNG 6
TRANSISTOR TRƯỜNG ỨNG
I. CẤU TẠO CĂN BẢN CỦA JFET:
II. CƠ CHẾ HOẠT ĐỘNG CỦA JFET:
III. ĐẶC TUYẾN TRUYỀN CỦA JFET.
IV. ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ TRÊN JFET.
V. MOSFET LOẠI HIẾM (DEPLETION MOSFET: DE MOSFET)
VI. MOSFET LOẠI TĂNG (ENHANCEMENT MOSFET: E-MOSFET)
VII. XÁC ĐỊNH ĐIỂM ĐIỀU HÀNH:
VIII. FET VỚI TÍN HIỆU XOAY CHIỀU VÀ MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG VỚI TÍ
IX. ĐIỆN DẪN TRUYỀN (TRANSCONDUCTANCE) CỦA JFET VÀ DEMOSFET.
X. ĐIỆN DẪN TRUYỀN CỦA E-MOSFET.
XI. TỔNG TRỞ VÀO VÀ TỔNG TRỞ RA CỦA FET.
XII. CMOS TUYẾN TÍNH (LINEAR CMOS).
XIII. MOSFET CÔNG SUẤT: V-MOS VÀ D-MOS.
1. V-MOS:
2. D-MOS:
CHƯƠNG VII
LINH KIỆN CÓ BỐN LỚP BÁN DẪN PNPN VÀ NHỮNG LINH KIỆN KHÁC
I. SCR (THYRISTOR – SILICON CONTROLLED RECTIFIER).
1. Cấu tạo và đặc tính:
2. Đặc tuyến Volt-Ampere của SCR:
3. Các thông số của SCR:
4. SCR hoạt động ở điện thế xoay chiều
5. Vài ứng dụng đơn giản:
II. TRIAC (TRIOD AC SEMICONDUCTOR SWITCH).
III. SCS (SILICON – CONTROLLED SWITCH).
IV. DIAC
V. DIOD SHOCKLEY.
VI. GTO (GATE TURN – OFF SWITCH).
VII. UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR – TRANSISTOR ĐỘC NỐI).
1. Cấu tạo và đặc tính của UJT:
2. Các thông số kỹ thuật của UJT và vấn đề ổn định nhiệt cho
3. Ứng dụng đơn giản của UJT:
VIII. PUT (Programmable Unijunction Transistor).
CHƯƠNG VIII
LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ
I. ÁNH SÁNG.
II. QUANG ĐIỆN TRỞ (PHOTORESISTANCE).
III. QUANG DIOD (PHOTODIODE).
IV. QUANG TRANSISTOR (PHOTO TRANSISTOR).
V. DIOD PHÁT QUANG (LED-LIGHT EMITTING DIODE).
VI. NỐI QUANG.
CHƯƠNG IX
SƠ LƯỢC VỀ IC
I. KHÁI NIỆM VỀ IC - SỰ KẾT TỤ TRONG HỆ THỐNG ĐIỆN TỬ.
II. CÁC LOẠI IC.
1. IC màng (film IC):
2. IC đơn tính thể (Monolithic IC):
3. IC lai (hibrid IC).
III. SƠ LƯỢC VỀ QUI TRÌNH CHẾ TẠO MỘT IC ĐƠN TINH THỂ.
IV. IC SỐ (IC DIGITAL) VÀ IC TƯƠNG TỰ (IC ANALOG).
1. IC Digital:
2. IC analog:
Nội dung
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Người ta định nghĩa tổng trở transistor: ∆VCE VCE − (−VA ) VCE + VA = = r0 = IC IC − IC Thường VA>>VCE nên: r0 = VA 200V = IC IC Mạch tương đương xoay chiều BJT: Với tín hiệu có biện độ nhỏ tần số không cao lắm, người ta thường dùng hai kiểu mẫu sau đây: Kiểu hỗn tạp: (hybrid-π) Với mơ hình tương đương transistor tổng trở vào, tổng trở ra, ta có mạch tương đương hỗn tạp sau: ib B ic C rb gmvbe rπ ro vbe E Hình 40(a) Kiểu mẫu re: (re model) Cũng với mơ hình tương đương xoay chiều BJT, tổng trở vào, tổng trở ra, ta có mạch tương đương kiểu re Trong kiểu tương đương này, người ta thường dùng chung mạch cho kiểu ráp cực phát chung cực thu chung mạch riêng cho chung - Kiểu cực phát chung thu chung: Trang 86 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử B ic ib C (E) IE IB βre βib IC IB ro vào ra vào vbe Kiểu cực phát chung Kiểu cực thu chung E (C) Hình 40(b) - Kiểu cực chung ic ie B re αie C IE ro IC vào Hình (c) Kiểu cực chung B Thường người ta bỏ ro mạch tương đương RC lớn Kiểu thông số h: (h-parameter) Nếu ta coi vbe ic hàm số iB vCE, ta có: vBE = f(iB,vCE) iC = f(iB,vCE) Lấy đạo hàm: δv δv v be = dv BE = BE di B + BE dv CE δv CE δi B i c = di C = δi C δi di B + C dv CE δi B δv CE Trong kiểu mẫu thông số h, người ta đặt: δv δv h ie = BE ; h re = BE ; δi B δv CE h fe = β = δi C δi ; h oe = C δi B δv CE Vậy, ta có: vbe = hie.ib + hre.vce ic = hfe.ib + hoe.vce Từ hai phương trình này, ta có mạch điện tương đương theo kiểu thông số h: Trang 87 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử ib B C + hie ~ hrevce hfeib - vbe h oe vce E Hình 41 hre thường nhỏ (ở hàng 10-4), vậy, mạch tương đương người ta thường bỏ hre.vce So sánh với kiểu hỗn tạp, ta thấy rằng: h ie = rb + (β + 1)re = rb + rπ Do rb