Đang tải... (xem toàn văn)
Nội dung của báo cáo gồm 3 chương: Chương 1: Tổng quan Giới thiệu vật liệu nano ôxít của kim loại telua và một số ứng dụng của chúng, các phương pháp chế tạo vật liệu nano ôxít. Giới thiệu về cảm biến hồng ngoại và hiệu ứng quang điện. Chương 2: Thực nghiệm Trình bày phương pháp, quá trình chế tạo và khảo sát đặc điểm, tính chất, cấu trúc hình học của vật liệu. Chương 3: Kết quả và thảo luận Phân tích, đánh giá các kết quả thu được từ các phép đo XRD, SEM, EDX, UV Vis và khảo sát đặc tính điện của vật liệu thông qua phép đo với các loại ánh sáng hồng ngoại, xanh và đỏ. Từ đó rút ra các kết luận và tính khả dụng của vật liệu.
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Tổng hợp trực tiếp từ kim loại cấu trúc nano ơxít telua khảo sát đặc tính điện chúng Trần Minh Hiển hien.tm151409@sis.hust.edu.vn Ngành Vật lý kỹ thuật Chuyên ngành Vật liệu điện tử công nghệ nano Giảng viên hướng dẫn: TS Vũ Xuân Hiền Bộ môn: Viện: Vật liệu điện tử Vật lý kỹ thuật HÀ NỘI, 7/2020 TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP Tổng hợp trực tiếp từ kim loại cấu trúc nano ơxít telua khảo sát đặc tính điện chúng Trần Minh Hiển hien.tm151409@sis.hust.edu.vn Ngành Vật lý kỹ thuật Chuyên ngành Vật liệu điện tử công nghệ nano Giảng viên hướng dẫn: TS Vũ Xuân Hiền Bộ môn: Viện: Vật liệu điện tử Vật lý kỹ thuật HÀ NỘI, 7/2020 Chữ ký GVHD ĐỀ TÀI TỐT NGHIỆP Tổng hợp trực tiếp từ kim loại cấu trúc nano oxit telua khảo sát đặc tính điện chúng Giáo viên hướng dẫn Ký ghi rõ họ tên LỜI CẢM ƠN Trong suốt trình học tập trường Đại học Bách Khoa Hà Nội, học tập Viện Vật Lý Kỹ Thuật, em nhận nhiều kiến thức, kỹ năng, kinh nghiệm quý báu cần thiết từ thầy Em xin tỏ lịng biết ơn trân trọng tới tất thầy cô cán nghiên cứu Viện Vật Lý Kỹ Thuật, trường Đại học Bách Khoa Hà Nội giúp đỡ em suốt thời gian học tập nghiên cứu Em xin tỏ lòng biết ơn chân thành sâu sắc tới TS Vũ Xuân Hiền, người tận tình hướng dẫn giúp đỡ em tìm hướng nghiên cứu, tìm kiếm tài liệu, xử lý phân tích số liệu, giải đáp vấn đề gặp phải suốt trình nghiên cứu thực báo cáo Em xin gửi lời cảm ơn sâu sắc tới bố mẹ kính u ln động viên, khích lệ để em hoàn thành tốt đồ án Ngoài ra, bạn bè người thân người khơng thể thiếu giúp đỡ nhiều trình thực đề tài Mặc dù cố gắng báo cáo chắn khơng tránh khỏi sai sót Rất mong nhận ý kiến đóng góp thầy bạn để em hồn thành tốt báo cáo Một lần xin chân thành cảm ơn người! TÓM TẮT NỘI DUNG ĐỒ ÁN Nội dung báo cáo gồm chương: Chương 1: Tổng quan Giới thiệu vật liệu nano ơxít kim loại telua số ứng dụng chúng, phương pháp chế tạo vật liệu nano ơxít Giới thiệu cảm biến hồng ngoại hiệu ứng quang điện Chương 2: Thực nghiệm Trình bày phương pháp, trình chế tạo khảo sát đặc điểm, tính chất, cấu trúc hình học vật liệu Chương 3: Kết thảo luận Phân tích, đánh giá kết thu từ phép đo XRD, SEM, EDX, UVVis khảo sát đặc tính điện vật liệu thơng qua phép đo với loại ánh sáng hồng ngoại, xanh đỏ Từ rút kết luận tính khả dụng vật liệu Sinh viên thực Ký ghi rõ họ tên MỤC LỤC LỜI MỞ ĐẦU CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Giới thiệu kim loại telua 1.2 Vật liệu telua ơxít Phân loại telua ơxít Telua monoxit, TeO Telua dioxit, TeO2 Telua troxit, TeO3 12 Một số ứng dụng vật liệu nano oxit telua 13 1.3 Cảm biến hồng ngoại 13 Cảm biến 13 Cảm biến hồng ngoại 13 Các loại cảm biến hồng ngoại 14 Nguyên tắc hoạt động cảm biến hồng ngoại .14 Một số đặc trưng cảm biến hồng ngoại 16 1.4 Hiệu ứng quang điện 16 1.5 Các phương pháp chế tạo vật liệu nano 17 Phương pháp hóa ướt 18 Phương pháp oxy hóa nhiệt 18 Phương pháp Sol-Gel 19 Phương pháp lắng đọng pha hóa học (CVD) 19 Phương pháp lắng đọng pha vật lý (PVD) 20 Phương pháp thủy nhiệt 21 CHƯƠNG THỰC NGHIỆM 22 2.1 Quá trình thí nghiệm 22 Hóa chất thiết bị thí nghiệm 22 Phương pháp thí nghiệm 22 Quy trình thí nghiệm 22 2.2 Các phương pháp khảo sát vật liệu 24 Phép đo nhiễu xạ tia X (XRD) 24 Kính hiển vi điện tử quét (SEM) 25 Phép đo tán xạ lượng tia X (EDX) 26 Phép đo phổ hấp thụ UV-Vis 27 Khảo sát đặc tính điện 28 CHƯƠNG KẾT QUẢ 30 3.1 Kết ảnh chụp SEM 30 3.2 Kết phân tích XRD 30 3.3 Kết phân tích EDX 31 3.4 Kết phân tích UV-Vis 33 3.5 Đặc tính điện vật liệu 34 Led hồng ngoại 34 Led xanh led đỏ 36 CHƯƠNG KẾT LUẬN 38 TÀI LIỆU THAM KHẢO 39 DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1.1: Bột Telua dioxit (TeO2) .10 Hình 1.2: Cấu trúc tinh thể TeO2: (a) α-TeO2, (b) β-TeO2, (c) γ-TeO2 [5] 10 Hình 1.3: Mật độ lượng trạng thái điện tử Te 5s, Te 5p, O 2s, O 2p: 11 Hình 1.4: Nguyên tắc hoạt động cảm biến 13 Hình 1.5: Cảm biến hồng ngoại E18-D80NK 14 Hình 1.6: Mơ tả hoạt động cảm biến hồng ngoại 15 Hình 1.7: Nguyên lý phát chuyển động ngang nguồn thân nhiệt 15 Hình 1.8: Cơ chế hiệu ứng quang điện 16 Hình 1.9: Phương pháp từ xuống (top-down) từ lên (bottom-up) để tổng hợp vật liệu nano 18 Hình 1.10: Hình ảnh FE-SEM (a) dây nano ZnO (b) dây CuO chế tạo phương pháp oxy hóa nhiệt [10] 18 Hình 1.11: Các nhóm sản phẩm phương pháp Sol-gel 19 Hình 1.12: Sơ đồ tổng hợp nano cacbon phương pháp CVD 20 Hình 1.13: Sơ đồ hệ bốc bay nhiệt 20 Hình 2.1: Bình áp suất, teflon lọ thủy tinh 22 Hình 2.2: Hệ gia nhiệt gồm gia nhiệt HC-05 lò gia nhiệt 23 Hình 2.3: Phần mềm Hot plate để kết nối với gia nhiệt HC-05 23 Hình 2.4: Cấu tạo máy nhiễu xạ tia X (1)- Ống tia X, (2)- Đầu thu xạ, 24 Hình 2.5: Máy nhiễu xạ tia X 25 Hình 2.6: Sơ đồ hệ đo kính hiển vi điện tử quét 26 Hình 2.7: Nguyên lý hoạt động kỹ thuật EDX 26 Hình 2.8: Máy đo phổ UV-Vis Jaco V-750 27 Hình 2.9: Quy trình nhỏ phủ điện cực 28 Hình 2.10: Sơ đồ hệ đo 29 Hình 3.1: Ảnh SEM mẫu chế tạo 30 Hình 3.2: Kết phân tích XRD 31 Hình 3.3: Kết EDX mẫu T4 31 Hình 3.4: Ảnh mapping mẫu T4 32 Hình 3.5: Kết phân tích UV-Vis với mẫu khác 33 Hình 3.6: Độ rộng cấm mẫu 33 Hình 3.7: Đồ thị độ đáp ứng ánh sáng hồng ngoại mẫu 34 Hình 3.8: Đường biểu diễn (a) thời gian đáp ứng (b) thời gian hồi phục mẫu 35 Hình 3.9: Độ đáp ứng hồng ngoại mẫu qua chu kỳ liên tiếp 35 Hình 3.10: Đồ thị độ đáp ứng led đỏ mẫu 36 Hình 3.11: Đồ thị độ đáp ứng led xanh mẫu 36 DANH MỤC BẢNG Bảng 1.1: Các thơng số tính chất telua [1] Bảng 2.1: Các mẫu chế tạo 23 Bảng 3.1: Kích thước hạt nano mẫu 30 Bảng 3.2: Thành phần phần trăm nguyên tử mẫu 32 LỜI MỞ ĐẦU Trong hai thập kỉ qua, phát triển công nghệ nano diễn mạnh mẽ Các vật liệu nano chiếm vị trí hàng đầu tốc độ phát triển hai khía cạnh: tăng cường kiến thức khoa học ứng dụng Tại Việt Nam, công nghệ nano phát triển khoảng mười năm trở lại đây, kịp thời có kết đáng khích lệ, đóng góp cho công nghệ nước nhà Nắm bắt xu đó, nhà khoa học phịng nghiên cứu đẩy mạnh việc nghiên cứu ứng dụng cơng nghệ nano lĩnh vực mang tính ứng dụng cao y học, mơi trường…dựa vật liệu nano phổ biến dễ tổng hợp Việc tìm kiếm phát triển vật liệu ln vấn đề quan tâm nhằm đáp ứng nhu cầu sống Với lý nêu với hướng dẫn TS Vũ Xuân Hiền, em xin thực đồ án tốt nghiệp với đề tài: “Tổng hợp trực tiếp từ kim loại cấu trúc nano oxit telua khảo sát đặc tính điện chúng” Mục tiêu đề tài tổng hợp vật liệu nano ôxit từ kim loại telua khảo sát đặc tính điện chúng ứng dụng cảm biến quang học � � ��4 �=�= ( 3) (� − 1)2 8ℎ ∈2 = (2.48 ∗ 1015)(� − 1)2 PT 2.3 Tần số tia X phát đặc trưng với nguyên tử chất coa mặt mẫu Việc ghi nhận phổ X phát từ mẫu cho ta thông tin tỷ phần nguyên tố Phép đo phổ hấp thụ UV-Vis Phép đo phổ hấp thụ phương pháp phân tích định lượng dựa vào hiệu ứng hấp thụ xảy phân tử vật chất tương tác với xạ điện từ Phổ hấp thụ UVVis sử dụng ánh sáng đo có bước sóng nằm vùng tử ngoại khả biến (thường máy đo đo từ 200 đến 1100 nm) Trong vùng ánh sáng lượng photon nằm vùng lượng chuyển tiếp điện tử orbitan nguyên tử hay phân tử Chính vậy, thơng qua phổ UV-Vis người ta thường xác định độ rộng vùng cấm vật liệu Vật liệu dung dich màng Thông qua số đỉnh, cường độ đỉnh, độ mở rộng đỉnh…người ta suy số tính chất như: độ dày màng (đồng đều, dày hay mỏng…) kích thước hạt phân bố kích thước hạt (đối với hạt nano) [16] Hệ số hấp thụ đặc trưng cho môi trường hấp thụ phụ thuộc vào bước sóng ánh sáng theo biểu thức: PT 2.4 �0 (1 − �)2 � = �� � �� Trong đó: α: hệ số hấp thụ d: chiều dày mẫu I0: cường độ chùm sáng tới IT: cường độ chùm sáng truyền qua R: hệ số phản xạ Phổ hấp thụ mẫu đo máy UV-Vis Jaco V-750 trường đại học Bách khoa Hà Nội Hình 2.8: Máy đo phổ UV-Vis Jaco V-750 Ngoài ra, hấp thụ ánh sáng liên quan đến lượng vùng cấm, phổ UV-Vis dùng để tính tốn lượng vùng cấm Trong báo cáo này, em sử dụng phương pháp Tauc để xác định độ rộng vùng cấm mẫu Phương trình Tauc viết sau: � ℎ �= �(ℎ� − ��)� PT 2.5 Trong đó, m số thể cho loại chuyển tiếp vùng lượng Thông thường, m=0.5 chuyển tiếp lượng vùng cấm thẳng m=2 chuyển tiếp lượng vùng cấm xiên Suy dạng hàm phụ thuộc lượng có dạng: (�ℎ�)2 = � (ℎ� − �� ) PT 2.6 Bằng cách vẽ đường biểu diễn hàm f(ℎ�) theo lượng photon ℎ�, Eg xác định giao điểm đường tuyến tính đồ thị với trục hồnh Khảo sát đặc tính điện Để nghiên cứu đặc tính điện vật liệu chế tạo, đồ án em tiến hành khảo sát độ thay đổi điện trở vật liệu chiếu loại ánh sáng màu khác Mẫu bột thu đem phân tán H2O, dung dịch rung siêu âm phút để bột nano phân tán H2O Sau thu dung dịch ta tiến hành nhỏ phủ dung dịch lên điện cực lược Điện cực làm vật liệu Pt với kích thước lược ~30 μm đế SiO2/Si chế tạo phương pháp phún xạ kết hợp với công nghệ vi điện tử Các điện cực sau phủ vật liệu sấy khô 60oC 30 phút Hình 2.9: Quy trình nhỏ phủ điện cực Điện cực đặt cố định đế Hàn hai đầu điện cực với dây dẫn keo bạc sấy để keo bạc khô lại Điện cực mắc nối tiếp với nguồn chiều qua điện trở 4700 Ω Sử dụng máy đo điện kết nối với máy tính qua phần mềm đo điện áp đa kênh để đo điện áp thay đổi điện trở (hình 2.9) Từ điện áp điện trở ta tính điện trở thay đổi điện cực phủ vật liệu Hình 2.10: Sơ đồ hệ đo Sau lắp đặt xong, bật máy đo điện phần mềm đo điện áp đa kênh để quan sát tín hiệu Khi quan sát thấy tín hiệu điện áp ổn định, bật đèn chiếu vào điện cực Tín hiệu điện áp thay đổi vật liệu bị kích thích tia sáng Lưu lại số liệu qua xử lý tính tốn ta thu đường đặc tính thay đổi điện trở chiếu sáng loại ánh sáng khác CHƯƠNG KẾT QUẢ 3.1 Kết ảnh chụp SEM T1 T2 T3 T4 Hình 3.1: Ảnh SEM mẫu chế tạo Hình thái bề mặt mẫu thể hình 3.1, cấu trúc hạt nano dạng cầu quan sát rõ ràng Kích thước hạt nano mẫu trình bày bảng 3.1 Bảng 3.1: Kích thước hạt nano mẫu Mẫu Kích thước hạt (nm) T1 100-560 T2 100-440 T3 95-310 T4 75-300 3.2 Kết phân tích XRD Kết phân tích XRD thể hình 3.2 cho thấy cấu trúc vật liệu dạng vơ định hình Do cấu trúc hạt cầu thu từ ảnh chụp SEM kết tụ thành đám hạt nhỏ Cường độ tương đối (a.u) T4 T3 T2 T1 10 20 30 40 50 60 70 80 ( ) O Hình 3.2: Kết phân tích XRD Từ kết này, phần suy đốn vật liệu ơxít tạo TeO theo lý thuyết TeO tồn dạng vơ định hình Để xác định rõ điều này, em tiến hành đo phổ tán xạ lượng tia X để xác định thành phần phần trăm chất cấu tạo nên vật liệu 3.3 Kết phân tích EDX Hình 3.3: Kết EDX mẫu T4 Bảng 3.2: Thành phần phần trăm nguyên tử mẫu Mẫu T1 T2 T3 T4 Thành phần Nguyên tử (%) Te 51.64 O 48.36 Te 49.32 O 50.68 Te 48.32 O 51.68 Te 50.93 O 49.07 Theo kết từ bảng 3.2, ta thấy tỷ lệ phần trăm nguyên tử Te:O cấu trúc thu xấp xỉ 1:1 Như vậy, dự đoán hạt nano oxit thu từ trình thí nghiệm nano oxit TeO Điều chứng tỏ kết thu từ phổ XRD xác Hình 3.4: Ảnh mapping mẫu T4 Hình 3.4 mô tả kết ảnh chụp mapping mẫu T4 với độ phóng đại 6000 lần cho thấy phân bố nguyên tử Te O đồng 3.4 Kết phân tích UV-Vis T1 Độ hấp thụ (a.u) T2 T3 T4 300 400 500 600 700 800 Bước sóng (nm) Hình 3.5: Kết phân tích UV-Vis với mẫu khác Theo kết phổ hấp thụ UV-Vis hình 3.5 cho thấy mẫu có đỉnh phổ bước sóng 360 nm, điều có nghĩa dung dịch mẫu hấp thụ bước sóng nằm vùng lân cận ánh sáng tử ngoại Tại vùng ánh sáng khả kiến, dung dịch mẫu gần không hấp thụ bước sóng khoảng 0.0025 0.040 T1 0.035 0.0020 (h)2 (cm-1.eV)2 (h)2 (cm-1.eV)2 0.030 0.025 0.020 0.015 0.010 0.0015 0.0010 0.0005 Eg=3.02 eV 0.005 T2 Eg=3.18 eV 0.0000 0.000 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 3.5 4.5 h eV) h eV) 4.0 4.5 0.008 0.004 T3 T4 (h)2 (cm-1.eV)2 (h)2 (cm-1.eV)2 0.006 0.004 0.003 0.002 0.001 0.002 Eg=3.14 eV Eg=3.13 eV 0.000 0.000 2.5 3.0 3.5 h (eV) 4.0 4.5 3.0 3.5 h eV) Hình 3.6: Độ rộng cấm mẫu 4.0 4.5 Từ kết đo phổ hấp thụ UV-Vis sử dụng phương pháp Tauc, tính độ rộng vùng cấm vật liệu nằm khoảng 3,02-3,18 eV 3.5 Đặc tính điện vật liệu Trong khảo sát này, tiến hành đo khảo sát thay đổi điện trở vật liệu chiếu sáng ánh sáng đèn led hồng ngoại, led xanh (blue) led đỏ Từ kết thay đổi điện trở thu áp dụng công thức tính �� độ đáp ứng � = loại đèn led �� Led hồng ngoại 20 T=32oC Hồng ngoại S=Ra/Rg 15 10 300 320 340 Thời gian (s) Hình 3.7: Đồ thị độ đáp ứng ánh sáng hồng ngoại mẫu Hình 3.7 cho thấy độ đáp ứng với ánh sáng hồng ngoại vật liệu TeO Mẫu đo nhiệt độ phòng 32oC có độ đáp ứng xấp xỉ 16 lần T=32oC (a) B S=Ra/Rg 15 10 A 299 300 301 Thời gian (s) 302 303 T=32oC C (b) S=Ra/Rg 15 10 D 334.5 335.0 335.5 336.0 336.5 337.0 337.5 338.0 Thời gian (s) Hình 3.8: Đường biểu diễn (a) thời gian đáp ứng (b) thời gian hồi phục mẫu Thời gian đáp ứng thời gian hồi phục mẫu thể hình 3.8 (a, b) Thời gian đáp ứng hồi phục khoảng thời gian tính từ A đến B từ C đến D hình 3.8 Qua tính tốn, thời gian đáp ứng hồi phục mẫu 0.14 0.58 giây Do máy đo tín hiệu xung có tốc độ đo chưa cao (50-1000 sps) nên kết chưa thực xác Nếu sử dụng máy sóng (oscilloscope) có tốc độ đo cao kết cải thiện Các khảo sát thực để xác định độ ổn định độ nhạy mẫu 25 T=32oC Hồng ngoại S=Ra/Rg 20 15 10 100 200 300 400 500 Thời gian (s) Hình 3.9: Độ đáp ứng hồng ngoại mẫu qua chu kỳ liên tiếp Độ ổn định mẫu xác định qua chu kỳ liên tiếp (hình 3.9) Qua thấy độ đáp ứng vật liệu TeO với ánh sáng hồng ngoại có độ ổn định cao Led xanh led đỏ T=32oC Led đỏ S=Ra/Rg 1.2 1.1 1.0 60 80 100 120 140 Thời gian (s) Hình 3.10: Đồ thị độ đáp ứng led đỏ mẫu T=32oC 1.5 Led xanh S=Ra/Rg 1.4 1.3 1.2 1.1 1.0 800 850 900 Thời gian (s) Hình 3.11: Đồ thị độ đáp ứng led xanh mẫu 950 Khảo sát độ nhạy mẫu với đèn led xanh (blue) led đỏ cho kết hình 3.10 3.11 Kết cho thấy vật liệu TeO có nhạy với ánh sáng xanh đỏ, nhiên độ đáp ứng không cao so với nhạy với ánh sáng hồng ngoại Độ đáp ứng mẫu với led đỏ led xanh 1.15 1.41 lần Kết khảo sát độ nhạy mẫu với ba loại ánh sáng hồng ngoại, xanh đỏ cho thấy mẫu có độ đáp ứng tốt với ánh sáng hồng ngoại (~16 lần) Qua kết này, hứa hẹn tiềm lớn vật liệu ơxit nano TeO ứng dụng cảm biến hồng ngoại CHƯƠNG KẾT LUẬN Trong điều kiện có sẵn mơn Vật lý điện tử viện Vật lý kỹ thuật trường Đại học Bách Khoa Hà Nội, em thu số kết sau: - Chế tạo thành công vật liệu nano ơxít kim loại telua, có cấu trúc hạt cầu kích thước khoảng 75 - 560 nm phương pháp hóa ướt cho Te tác dụng với dung dịch NH4OH nhiệt độ 80oC - Xác định độ rộng vùng cấm vật liệu (3.02 – 3.18 eV) phương pháp Tauc - Khảo sát đặc tính điện vật liệu chiếu sáng ánh sáng hồng ngoại, xanh đỏ cho kết vật liệu có độ đáp ứng cao với ánh sáng hồng ngoại (16 lần) Đây vật liệu mới, cần nhiều thời gian để nghiên cứu thêm Trong thời gian tới, em cố gắng tìm hiểu thêm đặc tính vật liệu telua oxít để đưa ứng dụng thực tế vật liệu sống TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] T N V Dung, "Tính chất hóa học, điều chế ứng dụng telu", 2019 [2] G W Leddicotte, "The radiochemistry of tellurium", 1961 [3] L I Berger, "Semiconductor materials", Boca Raton: CRC Press, 1997 [4] Shiying Guo, Zhen Zhu, Xuemin Hu, Wenhan Zhou, Xiufeng Song, Shengli Zhang, Kan Zhanga and Haibo Zeng , “Ultrathin tellurium dioxide: Emerging direct bandgap semiconductor with high-mobility transport anisotropy,” 2018 [5] W F H S X C P L a X Z Yanlu Li, “Structural, electronic, and optical properties of α, β, and γ -TeO2,” tập 70, số 7, pp 2199-2204, 2010 [6] W A C W C Dutton, “The oxides and oxyacids of tellurium,” Chemical Reviews, tập 66, số 6, pp 657-675, 1966 [7] C J S.-W C Youngmin Byoun, “Strategy for sensitive and selective NO2 detection at low temperatures utilizing p-type TeO2 nanowire-based sensors by formation of discrete n-type ZnO nanoclusters,” tập 46, số 11, pp 1936519374, 2020 [8] S P G.-J S H K C L Ali Mirzaei, “CO gas sensing properties of In4Sn3O12 and TeO2 composite nanoparticle sensors,” tập 305, pp 130138, 2016 [9] M S Y A.-H M.S Al-Buriahi, “Role of TeO2 in radiation shielding characteristics of calcium boro-tellurite glasses,” tập 46, số 9, pp 1362213629, 2020 [10] Supab Choopun, Niyom Hongsith, Ekasiddh Wongrat, "Metal-Oxide Nanowires by Thermal Oxidation Reaction Technique", InTech, 2010 [11] L K Tốp, "Tạo màng phương pháp Sol-Gel", ĐH quốc gia TP Hồ Chí Minh: Trường đại học khoa học tự nhiên [12] N D H V V Q N V D N V Pham Van Tong, “Diameter Controlled Synthesis of Tungsten Oxide Nanorod Bundles for Highly Sensitive NO2 Gas Sensors,” tập 183, pp 372-380, 2013 [13] D V Tuan, "Phương pháp thủy nhiệt công nghệ nano" [14] M M.-K a M S.-N Fatemeh Arab, "Synthesis, characterization, and optical properties of Te, Te/TeO2 and TeO2 nanostructures via one-pot hydrothermal method", San Diego: University of California, 2016 [15] M T S Hongwang Zhang, “Synthesis of Tellurium Dioxide Nanoparticles by Spray Pyrolysis,” Chemistry of Materials, tập 19, số 6, pp 1290-1301, 2007 [16] P T Thu, "Nghiên cứu tổng hợp vật liệu quang xúc tác sở TiO2 vật liệu khung kim (MOF)", Ha noi, 2014 [17] P P N Nguyên, "Kỹ thuật phân tích vật lý", Hà Nội: Nhà xuất khoa học kỹ thuật, 2004 [18] L V Đương, "Nghiên cứu chế tạo đặc trưng tính chất màng phủ nitrua hợp kim cứng WC-Co phương pháp phún xạ magnetron", Hà Nội: Viện Hàn lâm khoa học công nghệ Việt Nam, 2019 [19] L K B A K D K Samira Moufok, "Electronic structure and optical properties of TeO2 polymorphs", 2019 ... nghiên cứu liên quan đến paratelurit, α-TeO2 TeO2 vật liệu đầy tiềm cho thiết bị chuyển đổi quang (như thiết bị chuyển đổi cực nhanh bóng bán dẫn quang học) khuếch đại quang, số khúc xạ cao độ phi... chậm khơng khí ẩm làm nóng khơng khí khơ, chuyển hóa thành telua dioxit TeO khơng tan nước bị oxi hóa axit nitric (HNO3) kali pemanganat (KMnO 4) chuyển đổi thành telua dioxit Sản phẩm TeO axit... γ-TeO 2, nguyên tử Te liên kết với ba nguyên tử O thay cho bốn nguyên tử Sự thay đổi làm thay đổi khoảng cách Te-O thay đổi vị trí vùng hóa trị vùng dẫn thông qua biến thể hỗn hợp obital Số phối trí